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CGD與Qorvo合作開發馬達控制應用的GaN參考設計及評估套件 (2024.06.07)
無晶圓廠潔淨技術半導體Cambridge GaN Devices（CGD）致力於開發氮化鎵（GaN）器件，近日與全球連接和電源解決方案供應商Qorvo合作開發 GaN 在馬達控制應用中的參考設計和評估套件（EVK） |
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CGD與工研院合作 共同開發氮化鎵電源 (2024.05.31)
無晶圓廠潔淨技術半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD）與工業技術研究院（ITRI）簽署合作備忘錄，以鞏固雙方在開發高性能氮化鎵USB-PD適配器的合作夥伴關係。
CGD致力於開發多種節能的氮化鎵（GaN）器件，以實現更環保的電子元件 |
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CGD、群光電能與劍橋大學共組GaN生態系統 開發先進高功率方案 (2023.11.06)
英商劍橋氮化鎵元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家專注於研發高效能氮化鎵（GaN）功率元件的半導體公司，致力於打造更環保的電子元件。近日與台灣的電力電子系統整合方案供應商群光電能（Chicony Power Technology）、英國劍橋大學技術服務部（CUTS）簽署一項三方協議 |
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CGD的GaN單晶片 獲台積電歐洲創新區最佳展示獎 (2023.10.15)
Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系統單晶片 (SoC) 在台積電( TSMC) 2023 年歐洲技術研討會創新區榮獲「最佳展示」獎。
CGD是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，專門開發多種節能GaN型功率裝置，旨在實現更環保的電子元件 |
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CGD推出ICeGaN 650 V氮化鎵HEMT系列產品 (2023.05.12)
Cambridge GaN Devices（CGD）今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化鎵 HEMT 系列產品，提供領先業界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 採用 CGD 的智慧閘極介面，幾乎消除一般 E 模式 GaN 的各種弱點，大幅加強過電壓耐用性、提供更高的抗雜訊閾值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保護效果 |
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CGD開發GaN高能效功率裝置 協助打造環保電子產品 (2023.04.10)
無晶圓廠無塵技術半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化鎵 （GaN）開發出多款高能效功率裝置，協助打造出更為環保的電子產品；CGD 宣布由學術研究機構維吉尼亞理工大學進行的獨立第三方研究表現，CGD 的 ICeGaN氮化鎵技術較其他氮化鎵平台更具可靠性及堅固性 |
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Cambridge GaN Devices 融資擴大功率半導體裝置市場 (2022.11.22)
無晶圓廠半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD），於2016年從英國劍橋大學工程系著名的功率裝置集團分割出來，已募集1900萬美元的Series B資金。此投資案由Parkwalk Advisors和BGF領投，另有IQ Capital、CIC、Foresight Williams Technology 和 Martlet Capital 跟投 |
