帳號：
密碼：
相關物件共 2 筆
ASM研發提升45nm High-k製程1倍產量的ALD技術 (2009.02.09)
ASM日前宣佈，其已成功開發出一種高速原子層沈積製程，能夠為45nm high-K 閘極製程提升一倍氧化鉿(HfO2) 薄膜的產量，進而延伸在關鍵原子層沉積(ALD)市場的領導地位。 新的高速ALD製程是專門設計在ASM的Pulsar製程模組上運作，並可使用既有的反應爐設備設計透過專利的製程最適化技術達成產能的提升
ASM提出新技術解決high k與金屬柵的挑戰 (2008.05.22)
ASM推出一個全新的原子層沈積（ALD）製程。該製程採用氧化鑭（LaOx）及氧化鋁（AlOx）高介電值覆蓋層，使得32納米high k金屬閘極堆疊採用單一金屬，而不是之前CMOS所需要的兩種不同的金屬


  十大熱門新聞
1 英飛凌XENSIV PAS CO2 5V感測器提高建築效能及改善空氣品質
2 Sophos新款XGS系列桌上型防火牆及防火牆軟體更新版
3 Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統
4 宇瞻智慧物聯展示ESG監控管理與機聯網創新方案
5 Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極體系列
6 瑞薩與英特爾合作為新款Intel Core Ultra 200V系列處理器提供最佳化電源管理
7 是德科技可攜式800GE桌上型系統 適用於AI和資料中心互連測試
8 Pilz安全可配置小型控制器PNOZmulti 2適用於分散式周邊設備
9 Microchip新款64位元PIC64HX微處理器支援後量子安全高效
10 三菱電機新型MelDIR品牌80×60像素熱二極管紅外線感測器

AD
刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 讀者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹
︱ Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw