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GE科學家展示超高溫SiC MOSFET效能 承受超過800 ℃ (2023.06.02)
來自通用電氣研究（GE Research）的科學家們創造了一項新記錄，展示可以承受超過溫度 800 ℃的金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）。這相較於之前已知的該技術演示高出 200℃，對於極端操作環境中未來應用深具潛力 |
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貿澤電子即日起供貨TI BUF802高速緩衝運算放大器 (2022.09.22)
貿澤電子（Mouser Electronics）即日起供貨Texas Instruments（TI）的BUF802高速緩衝運算放大器。BUF802能讓資料擷取（DAQ）系統中的訊號頻寬以指數增加，以便設計工程師將DAQ前端設計運用到示波器、主動式探頭和高頻資料擷取系統等各種測試和測量應用 |
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Qorvo推出750V SiC FET 封裝D2PAK-7L提供更大靈活性 (2022.07.27)
Qorvo今日宣佈推出採用表面貼裝D2PAK-7L封裝的七款750V碳化矽（SiC）FET，借助此封裝選項，Qorvo SiC FET可為車載充電器、軟切換DC/DC轉換器、電池充電（快速DC和工業）以及IT/伺服器電源等快速增長應用量身客制，能夠為在熱增強型封裝中實現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益高功率應用提供更佳解決方案 |
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透過新方法為訊號鏈系統建立電源解決方案 (2022.05.25)
訊號鏈系統將實體世界中的類比數據連接到處理數據的數位世界。然而為訊號鏈系統供電會是一項挑戰，因為電源不可以降低系統的整體性能。線性穩壓器可以防止性能降低，但代價是功率損耗增加，因此效率降低 |
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UnitedSiC推出最小導通電阻6mΩ SiC FET 耗損僅競品的一半 (2021.09.14)
碳化矽（SiC）功率元件的應用正快速且廣泛的成長中，尤其是電動車相關的市場，而SiC元件的性能優劣也成為供應商的決勝點。而專注於碳化矽元件技術開發的美商UnitedSiC（聯合碳化矽），今日推出了一款業界最佳的750V SiC FET產品，該元件的導通電阻（RDS on）僅有6mΩ，僅有競爭對手SiC MOSFET產品的一半，並提供了5μs額定短路耐受時間 |
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賦能未來，勇往直前：SiC MOSFET問世10周年的思索 (2021.04.20)
在SiC MOSFET問世10周年之際，作者回顧科銳公司十年歷史所經歷的關鍵時刻，並認為未來的發展會比過去曾經歷的增長還要巨大，也為下一步即將增長的產業曲線提出卓見。 |
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UnitedSiC推出用於低功率AC-DC返馳式轉換器的SiC JFET系列 (2019.03.21)
UnitedSiC推出一系列適用於與具備內建低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的SiC JFET晶片，可製造出速度快，基於疊接的20W至100W返馳式產品。這些常導通式SiC JFET的操作電壓範圍為650V至1700V，可幫助實現簡化的啟動方案，具有零待機功耗 |
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UnitedSiC發布全新UF3C FAST碳化矽FET系列產品 (2018.11.06)
碳化矽（SiC）功率半導體製造商UnitedSiC宣布推出採用標準TO-247-3L封裝之UF3C FAST系列650V和120V高性能碳化矽FET。相較現有UJC3系列，FAST系列具有更快的切換速度和更高的效率水準 |
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TI新型高壓放大器 提高誤差敏感工業應用的準確度 (2018.06.20)
德州儀器（TI）推出三款兼具高速和高精密度的新型放大器，可讓設計人員為誤差敏感型應用創造更準確的電路。新裝置支援各項經由測試與量測、醫療和資料採集系統所輸入的訊號進行更精確的量測和更快的處理 |
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盛群針對高輸出功率LED燈應用照明驅動IC─HT7L5820 (2015.11.06)
盛群推出HT7L5820主要應用於30W至150W高輸出功率LED燈，如戶外照明之路燈、街燈與室內照明之天花燈、吸頂燈，此外也可應用於適配器、交換式電源供應器與電池充電器之恆壓（CV）與恆流（CC）輸出應用 |
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溝槽構造SiC-MOSFET可大幅降低導通電阻 (2015.08.14)
ROHM近日研發出採用溝槽結構的SiC-MOSFET，並已建立完備的量產體制。與量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用變流器等所有相關設備的功率損耗 |
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盛群推出應用於高輸出功率LED燈之照明驅動IC─HT7L5821 (2015.08.14)
盛群（HOLTEK）推出HT7L5821，主要應用於功率因素校正（PFC）與準諧振（Quasi-Resonant）PWM雙級式LED電源系統，如戶外照明之路燈、街燈與室內照明之天花燈、吸頂燈，提供高功率高效率高安全性之LED照明需求，此外，也可應用於適配器、交換式電源供應器與電池充電器之恆壓（CV）與恆流（CC）輸出應用 |
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是德科技推出用於電力電路設計的 功率元件電容分析儀 (2014.08.12)
是德科技（Keysight Technologies Inc.）日前宣佈推出一款能夠在實際操作電壓下自動測試功率元件接面電容的功率元件電容分析儀。
隨著使用碳化矽（SiC）和氮化?（GaN）等新材料製成的功率元件不斷問世，切換式電源供應器現在必須在更高的頻率下運作，因而突顯出準確執行元件電容特性分析的重要性 |
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大聯大控股友尚推出快捷半導體筆記型電腦電源解決方案 (2014.05.20)
大聯大控股今日宣佈，旗下友尚將推出快捷半導體（Fairchild Semiconductor）FAN6756 65W筆記型電腦電源解決方案。
快捷半導體推出一系列脈衝寬度調變（PWM）控制器，新產品可讓筆記型電腦電源的設計人員滿足嚴苛的國際節能規範要求，包括強制要求工作模式下最低平均效率達到87%的能源之星（ENERGY STAR）外部電源（External Power Supply；EPS）2 |
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NXP-SSL21084AT (2013.06.20)
The NXP SSL21084AT is a high-efficiency driver IC with an integrated 600 V MOSFET for superior dimmable LED lighting solutions that typically operates in the lamp power range up to 15 W. The straightforward design produces a cost-effective yet compact application, suitable for use with GU10 and PAR16 formats |
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歐洲高能效功率晶片專案成果斐然 (2013.05.28)
歐洲奈米電子行動顧問委員會（ENIAC）聯盟（JU）日前公佈為期三年的LAST POWER專案開發成果。此專案於2010年4月啟動，目標在於研發高成本效益且高可靠性的功率電子技術，聚集了寬能隙功率半導體元件（Wide Bandgap Power Semiconductor）領域的民營企業、大學和公共研究中心 |
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NXP-SSL2129AT (2013.02.28)
The NXP SSL2129AT is a high-efficiency controller IC for superior dimmable LED lighting solutions that typically operates in the lamp power range of 4 to 25 W. The straightforward design produces a cost-effective yet compact application, suitable for use with GU10 and PAR16 formats |
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快捷半導體SiC BJT上場 鎖定5kW應用市場 (2012.11.21)
快捷半導體日前才完成收購碳化矽(SiC)功率電晶體企業TranSiC，掌握了最關鍵的SiC材料與製程技術，並且能夠在超廣溫度範圍下有亮眼出色的性能，以及高於金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）和接面場效電晶體（JFET）技術的雙極SiC電晶體技術 |
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快捷半導體SiC BJT上場 鎖定5kW應用市場 (2012.11.21)
快捷半導體日前才完成收購碳化矽(SiC)功率電晶體企業TranSiC，掌握了最關鍵的SiC材料與製程技術，並且能夠在超廣溫度範圍下有亮眼出色的性能，以及高於金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）和接面場效電晶體（JFET）技術的雙極SiC電晶體技術 |
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Infineon推出採直驅技術的 CoolSiC 1200V SiC JFET 系列產品 (2012.05.15)
英飛凌(Infineon) 日前推出最新 CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，進一步強化英飛凌在 SiC市場的領先地位。此一革命性的全新產品系列展現英飛凌在 SiC 技術研發領域超過十年的經驗，同時擁有高品質、可大量生產的特點 |
