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RFMD發表48V高功率氮化鎵電晶體 (2007.06.15)
針對驅動行動通訊、設計及製造高效能無線電系統及解決方案的廠商RF Micro Devices,Inc.，近日發表RF393X家族的48V氮化鎵（GaN）功率電晶體。RF393X產品系列可提供從10W到120W的功率效能，並具備非常寬廣的可調諧頻寬－展現RFMD GaN技術相對於競爭GaAs及矽晶LDMOS技術之高功率與頻寛之優質結合


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