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晶體矽太陽能電池選擇性發射極和自摻雜接觸-晶體矽太陽能電池選擇性發射極和自摻雜接觸 (2011.07.15)
晶體矽太陽能電池選擇性發射極和自摻雜接觸
提升太陽能效率 Selective Emitter技術可望量產化 (2010.04.29)
太陽能電池的晶圓材料結晶矽（c-Si）由多晶矽(Polysilicon)製成，多晶矽自2009年後市場價格持續滑落，2010年下看每公斤60~80美元，原本佔有太陽能電池市場九成的矽晶產品也因此重新贏得廠商的信賴，再度重視高效率矽晶技術，Selective Emitter技術可望成為設備大廠第一個量產化標的
可發光矽半導體材料發展動向 (2006.11.09)
基於未來光學元件與積體電路整合的發展，矽（Silicon）半導體材料如果可以發光，主動元件之間的信號直接利用光線傳輸，屆時，包含電腦在內，電子產品的體積、功能、演算速度、電磁波干擾、發熱等問題可望被徹底改善
以0.18μm CMOS製程製作之40GHz 除頻器 (2005.05.05)
本文用以分析預測再生除頻器（regenerative divider）所需的相位移及適當操作的選擇。另外，本文介紹一除頻器利用共振的觀念，透過實作在晶片上的螺旋電感去除裝置上的電容效應
SiGe HBT技術發展概述 (2001.06.01)
SiGe技術經過這十幾年的研究發展，已漸漸開花結果。


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