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力旺電子NeoFuse技術於16nm FinFET成功完成驗證 (2015.05.06)
力旺電子宣佈，其單次可程式（One-Time Programmable, OTP）NeoFuse技術於16奈米鰭式電晶體（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）製程平台成功完成驗證，並在今年度完成矽智財開發和導入客戶應用 |
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UMC與SuVolta 宣布聯合開發28奈米低功耗製程技術 (2013.07.24)
聯華電子公司與SuVolta公司,宣布聯合開發28奈米製程。該項製程將SuVolta的Deeply Depleted Channel(tm) (DDC)電晶體技術整合到UMC的28奈米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移動(HPM)製程。SuVolta與UMC正密切合作利用DDC電晶體技術的優勢來降低泄漏功耗，並提高SRAM的低電壓效能 |
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新思科技與聯電合作開發出高品質DesignWare IP (2011.10.26)
新思科技（Synopsys）近日宣佈擴大合作關係，共同開發用於聯電28奈米HLP Poly SiON製程之DesignWare IP。新思科技進一步擴展先前在聯電40及55奈米製程上的成功經驗，計畫將經過驗證之DesignWare嵌入式記憶體（embedded memories）及邏輯庫（logic library）用於聯電28奈米HLP Poly SiON製程技術中 |
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新一代28nm FPGA技術 (2011.01.12)
本文將介紹半導體產業在滿足市場需求方面會面臨的種種挑戰，以及如何透過適當的 28nm 製程技術來應對這些挑戰。高效能、低功耗製程與架構創新這種突破性組合，使最新 28nm FPGA 非常適用於節能、超頻寬、超高階等應用 |
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IBM與特許合作公佈32nm代工服務藍圖 (2008.04.18)
IBM與特許半導體共同發表了32nm製程代工服務的發展規劃藍圖。根據了解，兩公司已於4月4日開始提供設計使用的製程設計工具（PDK），而2008年9月起也將開始提供IP試製用的Shuttle Service（低價少量的晶片設計服務） |
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與CMOS相容的嵌入式非揮發性記憶體之挑戰與解決方案 (2006.11.22)
從類比微調應用中的位元級、一直到數據或代碼儲存的千位元等級，CMOS 相容的單一多晶片嵌入式 NVM 的應用範圍越來越廣。CMOS 的相容性設計，卻給工程師帶來必須克服保存和耐久性的挑戰，本文所介紹的一些機制和解決方案，可驗證出實驗結果與理論分析是趨於一致的 |
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新款充電燃料電池可望延長使用時間 (2006.03.14)
根據日經BP社報導，在日前召開的Intel開發技術論壇（Intel Developer Forum；IDF）上，展示許多新款筆記型電腦等可攜式終端產品使用的充電電池和燃料電池。充電電池方面，廠商推出高能量密度的鋰聚合物充電電池和鋰-硫充電電池等產品；在燃料電池方面，則展出了改質型甲醇實驗機型 |
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Intel：NB電池續航力工作小組迭有進展 (2004.10.26)
筆記型電腦電池續航力工作小組(Extended Battery Life Working Group；EBL-WG)宣佈，在低耗電顯示器發展計畫達成重要里程碑，耗電量相當或低於3瓦特之12.1/14.1/15.0 XGA顯示器面板的全年平均出貨量超過600萬套，約占2004年所有筆記型電腦預計出貨量之12% |
