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台灣應用材料推出原子層沉積技術 (2001.10.24) 應用材料公司宣佈推出第一套「原子層沉積」(ALD:Atomic Layer Deposition)反應室,可在低溫度範圍下沉積薄而均勻的純淨薄膜;原子層沉積反應室能同時支援多種薄膜材料,包括金屬與介電質薄膜 |
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應材發表Sprint Plus (2001.09.25) 應用材料公司宣佈推出業界第一套鎢金屬化學氣相沉積製程設備-Sprint Plus,其具有高生產力的先進填溝技術,將可支援次100nm晶片世代。Sprint Plus可於Endura SL平台結構上,結合最新推出的原子層沉積(ALD:Atomic Layer Deposition)鎢金屬成核技術 |
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