CTIMES - 電阻器

Littelfuse 200W瞬態抑制二極管陣列提供鉗位保護 (2015.07.21)
Littelfuse公司的SM24CANA系列200W瞬態抑制二極管陣列（SPA二極管）可用以保護汽車的控制器區域網絡（CAN）匯流排免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和其它過壓瞬變的影響

Littelfuse擴展LV UltraMOV壓敏電阻系列 (2015.07.13)
Littelfuse公司日前宣佈已擴展LV UltraMOV壓敏電阻系列，為具有更高直流電壓和浪湧要求的應用提供解決方案。該系列於2013年問世，最初可提供14VDC到56VDC的直流電壓額定值，浪湧電流額定值高達8kA（8/20 us脈衝）

Diodes單通道負載開關採用2mm x 2mm封裝 (2015.05.07)
Diodes公司推出單通道負載開關AP22850，新產品提供從4.5V到高達12V的操作範圍並具有近零靜態電流，適合在以電池供電的小筆電、平板電腦和電子閱讀器內使用。AP22850透過高達8A的負載電流、可調節啟動功能及放電率來處理開關電源排序

Littelfuse新款延時型保險絲具有增強型過流保護和浪湧耐受能力 (2015.03.17)
Littelfuse公司日前推出延時瓷質交流保險絲—835系列保險絲。 835系列為Littelfuse首款同時具備I2t值；直流電壓為250V時，最大分斷電流為1,500A；1.5kA 8/20us浪湧承受能力以及5x20封裝的保險絲

ADI推出故障檢測和保護、低/超平坦電阻值開關系列產品 (2014.11.19)
在製程控制和資料擷取應用中即時辨識和防範故障，可提高系統正常運行時間。美商亞德諾（ADI）推出故障檢測和保護、低/超平坦電阻值開關系列產品：ADG5412F、ADG5413F、ADG5412BF和ADG5413BF

IR推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻 (2014.11.13)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)為工業應用擴充StrongIRFET MOSFET系列，為多種工業應用包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關模式電源二次側同步整流推出75V元件

ROHM耐突波晶片電阻「ESR01」 (2010.11.08)
ROHM株式會社近日宣布，研發出最適合行動電話等行動裝置及各種電源機器多樣化應用的耐突波晶片電阻「ESR01系列」。近年來隨著各類的電子機器的小型化、高功能化的發展，對於小型大功率的電阻需求也日益升高

ROHM推出超低阻值晶片電阻PML100系列 (2010.09.10)
ROHM株式會社近日宣布，新研發動力方向盤等車用電子用， 6432（2512 inch）尺寸，額定功率達3W的長邊電極型電流檢測用晶片電阻「PML100系列」。此製品已以月產300萬顆的規模投入量產（樣品價格：20日圓）

綜觀多點觸控介面 (2009.06.05)
多點觸控人機介面的時代已經來臨，但尚未準備好進入日常生活應用領域。多點觸控提供了一個改變世界的機會，相關競賽也已經開始，若無其他變數，多點觸控介面很快就會勝出

投射電容觸控技術應用面面俱到！ (2009.06.05)
當前投射電容多點觸控應用精彩可期。支援多點觸控應用的其他技術無法傳遞真實座標位置，不能滿足Windows 7對多點觸控應用更為嚴謹的要求。因此投射電容觸控技術優勢便脫穎而出，其中Multi-Touch All-points互容偵測多技術可精確偵測多顆手指同時在螢幕移動變化的絕對定位，以及多手指同時接觸螢幕時的絕對位置

Vishay推出改良式高精度箔捲繞表面貼裝電阻 (2009.03.03)
Vishay日前推出經改良的VSMP0603高精度BMZF箔卷繞表面貼裝電阻，該器件額定功率增至0.1 W且電阻值高達5kΩ。該元件為採用0603晶片尺寸的產品，當溫度範圍在-55°C至+125°C（參考溫度為+25°C）時，可提供±0.2 ppm/°C的軍用級絕對TCR、±0.01%的容差以及1納秒的快速響應時間，且無振鈴

Vishay推出新型Bulk Metal Z箔電阻 (2009.02.05)
Vishay日前推出新型超高精度Bulk Metal Z箔電阻E102Z。該款電阻可在-55°C到+125°C的溫度範圍內提供達軍品級標準的絕對TCR值（±0.2 ppm/°C），容差為±0.005%（50 ppm），在+70ºC下工作2000小時的負載壽命穩定性達到±0.005%（50 ppm）

廣域電壓範圍操作之靜態隨機存取記憶體設計 (2009.02.03)
目前設計低功率SOC系統的主要方式，是以操作速度需求不高的電路以較低VDD來設計，低電壓高效能的記憶體設計將是其中一項主要的挑戰。本設計應用了低電壓操作原理，把靜態隨機存取記憶體操作在0.5V，讓此設計在使用時能夠達到80MHz的最高操作頻率

未來公用資訊看板觸控螢幕科技應用 (2009.01.05)
以公用資訊看板為中心的商務服務逐漸成為普遍的銷售媒介，因此為了滿足客戶的需求，如何有效降低成本，並提供耐久性佳的觸控技術，已成為重要課題。

Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.11.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型20V n通道器件，擴展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。該器件採用PowerPAK SO-8封裝，在20V額定電壓時具有業界最低導通電阻及導通電阻與閘極極電荷乘積

Vishay擴展Gen III TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.10.23)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n通道器件，從而擴展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，對於採用PowerPAK SO-8封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業界最低的導通電阻以及導通電阻與閘極極電荷之乘積

Maxim推出DS1841數位電阻 (2008.09.16)
Maxim的DS1841是一顆7位元、對數型態且非揮發的數位電阻，特色在於內建溫度感應器和一個類比-數位轉換器。內建的溫度感應器編制了一個72 bytes的非揮發性的查詢表(LUT)，包含了從-40°C到+100°C的溫度範圍

Vishay推出新款p通道功率MOSFET系列 (2008.08.21)
Vishay推出採用PowerPAK SC-75封裝的p通道功率MOSFET系列，該系列包括額定電壓介於8V～30V的多個器件，這些是採用此封裝類型的首批具有上述額定電壓的器件。日前推出的這些器件包括首款採用PowerPAK SC-75封裝的-12V(SiB419DK)及-30V(SiB415DK)單p通道功率MOSFET

Vishay推出高精度Z箔表面貼裝電流感應晶片電阻 (2008.08.18)
Vishay宣佈推出新型VCS1625Z超高精度Z箔表面貼裝電流感應晶片電阻。此新器件可提供±0.05ppm/°C（當溫度介於0°C至+60°C之間）或±0.2 ppm/°C（當溫度範圍在−55°C至+125°C）（參考溫度為+25°C）的工業級別絕對TCR、在額定功率時±5ppm的超卓功率係數（“自身散熱產生的R∆”）及±0.2%的容差

Vishay推出專業汽車用薄膜晶片電阻 (2008.08.14)
Vishay宣佈推出採用0603封裝尺寸的專業汽車用薄膜晶片電阻，該電阻結合了高達+175°C（1000小時）的高工作溫度以及先進額定功率。大多數薄膜晶片電阻在+70°C的環境溫度下額定功率為100mW，而MCT 0603 AT在+85°C時額定功率規定為150mW