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Vishay推出Bulk Metal Z箔卷型表面貼裝電阻 (2008.08.14) Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型VSMP0603超高精度Bulk MetalZ箔(BMZF)卷型表面貼裝電阻。該器件採用0603芯片尺寸的產品,當溫度範圍在−55°C至+125°C(參考溫度為+25°C)時,可提供±0.2 ppm/°C的軍用級絕對TCR、±0.01%的容差以及1納秒的快速響應時間(幾乎不可測量),且無振鈴 |
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Vishay提供63V額定電壓固體鉭晶片電容器 (2008.08.11) Vishay宣佈,該公司已擴展了其Tantamount Hi-Rel COTS T97系列,可提供具有63V額定電壓的固體鉭晶片電容器,從而能夠滿足+28V電源設計中的額定值降低要求。
由於缺乏面向+28V應用的替代產品,在此之前,設計人員不得不依賴50V鉭電容器,這種電容器無法滿足50%額定電壓的降級要求(軍事及最佳商業實踐) |
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Sony投3.72億美元提高鋰電池產能 (2008.08.08) 外電消息報導,Sony日前表示,由於手機、數位相機以及其他消費性電子產品對鋰電池的需求量大幅成長,因此該公司將投資3.72億美元的經費,擴增鋰電池的生產設備,以提高鋰電池的生產能力 |
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Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔電阻 (2008.08.06) Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔電阻。這款新型器件在0°C~+60°C的溫度範圍內具有±0.05 ppm/°C的工業級絕對TCR、在−55°C~+125°C(+25°C 參考溫度)的範圍內具有±0.2ppm/°C的絕對TCR、在+25°C時具有8W的額定功率(按照 MIL-PRF-39009規範,在自由空氣中為1 |
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Vishay推出改進的S系列高精度Bulk Metal箔電阻 (2008.07.31) Vishay宣佈推出改進的S系列高精度Bulk Metal 箔(BMF)電阻,這些電阻在-55°C~+125°C(+25°C 參考點)時具有±2 ppm/°C的軍用級典型TCR、±0.005%的容差,以及超過10,000小時的±0.005%負載壽命穩定性 |
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提供過電流、過溫度與過電壓的保護機制 (2008.07.31) 在創新的熱保護裝置中,可在過電流情況發生時提供可復位的電流限制,並於過電壓的情況下提供電壓箝制能力。此一整合型解決方案可確保廠商的產品符合業界測試標準、減少元件數量並提高設備可靠性 |
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ST推出250A功率MOSFET結合先進封裝和製程 (2008.07.20) 以降低如電動汽車等電動設備的營運成本和減少對環境的影響為目標,電源應用廠商意法半導體(ST)推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET,新產品STV250N55F3低導通電阻,可將功率轉換的損耗降至最低,並且能夠提升系統的性能 |
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Vishay推出新型VSA101軸向Bulk Metal Z箔電阻 (2008.07.17) 為滿足在高可靠性應用中對超高精度電阻的需求,Vishay推出新型VSA101軸向Bulk Metal Z箔電阻。這款新型器件在0°C~+60°C以及−55°C~+125°C(+25°C參考溫度)的溫度範圍內分別具有±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C的低絕對TCR、額定功率時±5 ppm 的出色PCR(“R,由於自加熱”)、±0.005%的容差,以及±0.005%的負載壽命穩定性 |
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Vishay推出Bulk Metal表貼裝Power Metal Strip電阻 (2008.06.30) Vishay宣佈推出一款新型高精度Bulk Metal表面貼裝Power Metal Strip電阻,該電阻可在限定功率及+70ºC的條件下保持2,000小時的±0.05%負載壽命穩定性,在–55ºC至+125ºC及25ºC參考溫度條件下實現±15 PPM/ºC的絕對TCR,以及具有±0.1%的容差 |
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Vishay推出新型密封式微型超高精度Z箔電阻 (2008.06.30) 為滿足高可靠性應用中對性能的長期穩定性的需求,Vishay Intertechnology, Inc.推出新型密封式VHP203微型超高精度Z箔電阻。這款新型器件在0°C~+60°C(+25°C參考溫度)範圍內具有±0.05 ppm/°C的低絕對TCR、額定功率時±5 ppm的出色功率系數("ΔR,由於自加熱")、±0.001%(10 ppm)的容差,以及±0.002%(20 ppm)的負載壽命穩定性 |
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Vishay推出新型D2TO35 35W濃膜功率電阻 (2008.06.26) Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出新型35W濃膜功率電阻,該器件採用易於安裝的小型TO-263封裝(D2PAK),並且具有廣泛的電阻值範圍。
該新型D2TO35濃膜電阻為無電感器件,具有0.01Ω~550kΩ的寬泛電阻範圍 |
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Vishay推出新型汽車精密薄膜晶片電阻陣 (2008.05.16) Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜晶片電阻陣列,該器件已透過AEC-Q200測試,並具有1000V額定電壓的ESD穩定性。該器件經優化可滿足汽車行業對溫度和濕度的新要求,同時可為工業、電信及消費電子提供較高的重複性和穩定的性能 |
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Vishay的電點火器晶片電阻器榮獲EDN創新獎 (2008.04.29) Vishay宣佈,在4月14日加利福尼亞州聖荷西舉辦的宴會和頒獎典禮上,其電點火器晶片電阻器(EPIC)榮獲無源元器件和互聯欄目的EDN創新獎。
EDN雜誌創新獎設立於1990年,旨在表彰上一年度對半導體產業產生重大影響的人物、產品及技術 |
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Vishay推出新型高可靠性濃膜電阻 (2008.03.10) 日前Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出一款新型濃膜電阻,該電阻將超低的電阻值與面向電流感應應用的小容差及低TCR進行完美結合。
為在直流到直流轉換器、電源、電動機電路、計算機及手機中的電流感應及分流應用提供高穩定性,Vishay的CRCW....-EL濃膜功率電阻具有10mΩ~100mΩ的超低電阻範圍,容差僅為±1%及±5% |
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Vishay推出具高額定功率Power Metal Strip電阻 (2008.02.29) Vishay宣佈推出以小型0603封裝具有0.20 W高額定功率的首款Power Metal Strip電阻。WSL0603…18的功率是標準WSL0603型器件的兩倍,該產品是一種小型表面貼裝電阻,主要面向直流到直流轉換器、電源/鋰離子電池管理系統以及電腦與電信系統的VRM中的高功率、電流感應應用 |
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汽車應用中的磁電阻感應器 (2008.02.15) 磁電阻效應可應用於多種汽車內的感應器,主要是應用於測量機械系統的速度與角度。如此一來,磁場感應器就成為電子元件、磁性元件和機械元件所組成的複雜系統中的一部分 |
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Vishay推出二款高性能Power Metal Strip電阻 (2008.02.14) Vishay宣佈推出兩款高性能表面貼裝Power Metal Strip電阻,這兩款電阻是率先採用3921及5931封裝尺寸且工作溫度範圍介於–65°C~+275°C的此類器件。
新型WSLT3921及WSLT5931器件的 |
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Vishay推出新型Power Metal Strip儀錶並聯電阻 (2008.01.24) Vishay宣佈推出採用5515尺寸封裝的新型Power Metal Strip儀錶並聯電阻,該器件具有3W功率以及低至100µΩ的超低電阻值。WSMS5515儀錶並聯電阻採用可產生100µΩ~500µΩ超低電阻值的專有工藝技術,該技術可在面向工業及民用電子電錶的電流錶並聯應用中提供更高的精確度 |
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Digi-Key與Stackpole簽署全球經銷協定 (2007.11.28) 電子元件經銷商Digi-Key及Stackpole Electronics, Inc.(SEI)宣布針對SEI電阻簽署一項全球經銷協定。
SEI產品包括廣泛的表面黏著及貫孔電阻,包括厚膜、薄膜、電流感測、碳質、及金屬膜/氧化膜電阻,以及成長中的繞線式及厚膜功率電阻產品線 |
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Vishay推出面向加熱應用的PTC熱敏電阻 (2007.10.29) Vishay宣佈推出面向加熱應用的新系列自調節 PTC(正溫度係數)熱敏電阻。這些直接加熱的PTCHP系列器件已進行了優化,可用作熱致動器、殺蟲劑與香水噴霧器及小型保溫板等家電中的加熱元件 |