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CTIMES / 茂德
科技
典故
Intel的崛起-4004微處理器與8080處理器

Intel因為受日本Busicom公司的委託設計晶片,促成了4004微處理器的誕生,也開啟了以單一晶片作成計算機核心的時代。1974年,Intel再接再厲研發出8080處理器,和4004微處理器同為CPU的始祖,也造就了Intel日後在中央處理器研發的主導地位。
台灣DRAM產業加速解構重組 (2012.10.25)
台灣DRAM大廠透過裁員以進行企業重組的速度正在加速。因為產量供給過剩,DRAM的價格長期低迷,遲遲無法改善營收赤字。不論是個人電腦、或是行動電話用的消費型DRAM產品世代更換延遲,與韓國之間的差異更是愈來愈大
茂德裁員=宣告台灣DRAM終結? (2012.10.03)
從今年三月股票下市,到現在宣布裁撤1300名員工,茂德已經走向重整之路。事實上,台灣近年來DRAM產業被直接形容為慘業,從過去的風光到現在的衰敗,已經鮮少人再對DRAM抱持希望
拉高智慧手機解析度 驅動IC台廠衝HD720 (2011.06.17)
市場對於智慧型手機螢幕顯示解析度的要求越來越高,進一步帶動小尺寸高階驅動IC的需求量。台灣面板驅動晶片廠商也紛紛轉向開發小尺寸高階驅動IC的行列。 目前智慧型手機最廣泛的螢幕解析度為HVGA(320×480)與WVGA(800×480),當蘋果iPhone4推出960×640的高解析度Retina顯示器之後,便刺激了智慧型手機大廠對於螢幕解析度的激烈競賽
智慧手機和平板助攻 行動DRAM聲勢看漲 (2011.04.13)
在智慧型手機和媒體平板裝置的帶動下,行動DRAM(Mobile DRAM)需求也隨之水漲船高,包括低功耗DRAM和虛擬DRAM(Pseudo SRAM)的聲勢正不斷看漲。 2010年全球DRAM市場規模為391億美元,行動裝置相關應用就佔14%,達到55億美元
海力士將開始生產54奈米製程記憶體晶片 (2008.03.31)
外電消息報導,海力士(Hynix)半導體執行長Kim Jong-kap日前表示,該公司預計將從今年開始生產使用54奈米製程的DRAM記憶體晶片,並可能交由茂德進行生產。 Kim Jong-kap表示,他對2008年下半年的記憶體晶片市場表示樂觀
2007 DRAM最重要趨勢為70奈米的推進 (2007.05.02)
DRAM報價跌勢劇烈,除了將產能轉移外,為持續降低營運成本,台灣記憶體廠的茂德、力晶都將加快70奈米製程的腳步,至於華邦則宣佈試產80奈米,90奈米與70奈米產出比例相差55%,下半年將主流製程推進到70奈米後,將更具成本競爭優勢
DRAM導入90奈米製程 八吋廠尋找新出路 (2007.04.30)
由於標準型DRAM紛紛導入90奈米製程,因此為了解決八吋廠成本競爭力不足的問題,DRAM廠有意將八吋廠產能轉為邏輯晶片代工之用途,對於此舉是否影響晶圓代工廠之產能利用,部份晶圓代工廠認為將不會有所影響
茂德進軍大陸 並赴海外設立感測器設計公司 (2007.01.10)
茂德正式通過向經濟部投審委員會提出大陸八吋晶圓技術提升至0.18微米製程的申請案外,也同時通過赴大陸設立8吋廠公司案,另外為佈局手機整合性相關零組件市場,董事會也決議赴海外設立影響感測器的IC設計公司計畫
良率不佳及產能延遲 DRAM供給Q4吃緊 (2006.08.30)
第四季DRAM需求大好,但供給面恐不如預期,繼先前華亞爆出90奈米良率不佳的問題後,近期也傳三星80奈米良率不穩,及三星新十二吋DRAM廠Fab15產能要等到明年以後才開出,此舉恐導致第四季DRAM供給告急壓力將再度升高
90奈米製程微縮順利 DRAM業者樂觀 (2006.07.04)
第二季以來DRAM市場供需平衡未有太大變化,DRAM價格也維持在一定區間之內,這個市況對於DRAM廠來說,卻可有效控制成本,並盡力拉高營收及毛利率,如國內DRAM廠力晶、茂德、南亞科等,第二季營收創下歷史新高,毛利率也較第一季大躍進
茂德成功試產90奈米DRAM晶圓 (2005.07.14)
茂德科技首批以90奈米堆疊式(stacked)製程技術投產的512Mb DDR12吋晶圓,已於本月八日正式產出,平均良率均超過60%以上,顯示中科12吋廠現有生產線已具量產能力。由於中科12吋廠建置速度較預期中快,因此茂德也決定,明年首季月產能將拉高至1萬5000片,明年下半年就可達3萬片規模
茂德與Hynix合作開發奈米級DRAM製程 (2005.05.24)
根據工商時報消息,儘管茂德90奈米製程仍是向韓國DRAM大廠Hynix以技轉方式取得,但茂德仍希望能開發出自有技術,所以茂德已向竹科管理局提出申請,將在篤行園區內建立茂德的研發設計中心,與Hynix共同開發次世代堆疊式DRAM製程技術
傳茂德計畫斥資10億美元在中國興建晶圓廠 (2005.01.19)
繼南韓DRAM廠三星電子宣布提高半導體資本支出後;國內DRAM業者力晶、茂德與華亞科技也紛紛展開開始進行新的籌資建廠計劃;據業界消息,其中茂德計畫一旦赴中國投資8吋晶圓廠申請案通過後,在2005下半年即斥資十億美元興建中國新廠
中國晶圓廠將掀起新一波集資熱 (2004.12.27)
中國晶圓業者近來掀起新一波集資熱潮,據業界消息,除了今年度已經進行海外上市募資的上海中芯、華潤上華以及甫宣布增資的台積電上海公司,明年包括上海先進,與茂德、力晶等計畫前往設廠的台資企業,也將加入這一波集資行列
搶第二 茂德8吋晶圓廠西進申請案送件 (2004.12.22)
繼晶圓代工大廠台積電前往中國投資8吋晶圓廠之後,DRAM業者茂德科技跟進提出相同申請,並已送件經濟部投審會,該公司計畫西進的8吋廠將投資8億美元,生產LCD驅動IC、SDRAM及快閃記憶體,希望能主打自有產品及品牌並成為首家登陸的台灣整合元件廠
搶攻兩席西進配額 晶圓業者摩拳擦掌 (2004.08.23)
我國首家獲准登陸的台積電8吋晶圓廠將於下季量產,而由於我國晶圓廠赴中國大陸投資8吋廠的申請配額僅剩兩席,南亞科、茂德、力晶及聯電競爭也漸趨白熱化。四晶圓廠中,力晶、茂德及聯電在台12吋廠量產進度已達標準,南亞科轉投資的華亞科技12吋廠則將於第四季跨越申請門檻
南茂DRAM封測業務 轉向以茂德為主 (2004.08.11)
半導體封測業者南茂旗下公司華特宣布停止與茂矽之業務往來,該公司董事長鄭世杰表示,華特一年近四成約5億元的營收金額將轉往茂德,並將增加其他記憶體供應商朝向多元化經營
茂德中科12吋晶圓廠動土 挑戰全球最大 (2004.04.10)
茂德科技8日於中部科學工業園區舉行該公司12吋晶圓三廠動土典禮,該廠為國內首家進駐中科的DRAM廠商,總投資金額高達32億美元,最大月產能為5萬片,將成為全球半導體產業中單一廠址產能最大的12吋晶圓廠
佈局DDRII市場 DRAM業者與封測廠合作密切 (2004.04.03)
為因應DDRII規格記憶體即將成為市場主流,DRAM廠為搶攻市場佔有率,紛紛計畫推出新產品,且因DDRII封裝與測試製程皆與上一世代不同,各家DRAM廠也與後段封測廠進行技術合作,包括南亞科與裕沛、茂德與南茂、力晶與力成
12吋廠效益發揮 台灣3大DRAM廠可望轉虧為營 (2004.01.13)
工商時報報導,儘管2003年12月DRAM報價大幅下滑,國內3大DRAM廠南亞科、力晶、茂德各因製程實力提升與12吋晶圓廠成本效益發揮,單月營收僅出現小幅滑落甚至逆勢成長,第4季單季獲利也一如預期穩定發展;力晶、茂德全年營運均可望順利轉虧為盈

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