CTIMES - Mosfet

安森美推出最新的ATX電源公開參考設計 (2009.02.05)
安森美半導體(ON)推出最新的ATX電源公開參考設計。ON表示這款255瓦(W)參考設計超越美國80 PLUS銀級、“能源之星” 5.0版及電腦產業拯救氣候行動計劃(CSCI)第三階段桌上型個人電腦(PC)的電源效能標準

Vishay推出採用MICRO FOOT晶片級封裝MOSFET (2009.02.02)
Vishay宣佈推出首款採用MICRO FOOT晶片級封裝的TrenchFET功率MOSFET，該器件具有背面絕緣的特點。 Si8422DB針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器及智慧型電話等便攜設備中的功率放大器、電池和負載切換進行了優化

Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET (2008.12.24)
Vishay宣佈推出新型20-V和30-V p-通道TrenchFET功率MOSFET。該器件採用SO-8封裝，具有±20-V柵源極電壓以及業內最低的導通電阻。現有的同類SO-8封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至24 mΩ，而Si7633DP具有3.3 mΩ（在10 V時）及 5.5 mΩ（在4.5 V時）的超低導通電阻

安捷倫推出具備曲線追蹤儀功能的元件分析儀 (2008.12.24)
安捷倫科技（Agilent）宣佈推出首款功率元件分析儀/曲線追蹤儀整合解決方案，其可在高達3,000 V的電壓和20 A的電流下對半導體元件進行特性分析。功率元件，包括功率管理IC（PMIC）和功率MOSFET以及車用馬達控制IC，對於高功率與高準確度測試的需求與日俱增

Diodes新款自我保護式MOSFET節省85%電路板空間 (2008.12.23)
Diodes公司擴展其IntelliFET產品系列，推出超小型的完全自我保護式低端MOSFET。該ZXMS6004FF元件採用2.3 x 2.8毫米的扁平式SOT23F封裝，能節省85%的電路板空間。扁平式SOT23F封裝雖然小巧，但熱性能卻相當強勁

IR全新基準MOSFET提升60%封裝電流額定值 (2008.12.22)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出具備高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用於工業用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。新元件的封裝電流額定值達到195A，較典型封裝電流額定值高出60%

Vishay結合20V n通道功率MOSFET及肖特基二極體 (2008.12.17)
Vishay宣佈推出超小的20V n通道功率MOSFET＋肖特基二極體。SiB800EDK採用1.6mm×1.6mm的熱增強型 PowerPAK SC-75封裝，其將在100 mA時具有0.32V低正向電壓的肖特基二極體與具有在低至 1.5V柵極驅動時規定的額定導通電阻的MOSFET進行了完美結合

高振幅的任意/函數產生器 (2008.12.08)
本文說明產生高振幅信號的常規方法與外部放大器，然後討論典型的應用，並介紹整合高振幅階段使用新型任意/函數產生器的效益。

快捷推出最薄的MicroFET MOSFET (2008.11.20)
快捷半導體（Fairchild Semiconductor）推出超薄的高效率MicroFET產品FDMA1027，滿足現今可攜式應用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P通道PowerTrench MOSFET，FDFMA2P853則是20V P通道PowerTrench MOSFET，帶有肖特基二極體，並採用2mm ×2mm×0.55mm MLP封裝

Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.11.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型20V n通道器件，擴展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。該器件採用PowerPAK SO-8封裝，在20V額定電壓時具有業界最低導通電阻及導通電阻與閘極極電荷乘積

快捷P通道MOSFET採用CSP封裝 (2008.11.06)
快捷半導體（Fairchild Semiconductor）推出採用1×1.5×0.4mm WL-CSP封裝的單一P通道MOSFET元件FDZ391P，能滿足可攜應用對外型薄、電能和熱效率高的需求。FDZ391P採用快捷半導體的1.5V額定電壓PowerTrench製程設計，結合先進的WL-CSP封裝，將RDS(ON) 和所需的PCB空間減至最小

Vishay擴展Gen III TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.10.23)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n通道器件，從而擴展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，對於採用PowerPAK SO-8封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業界最低的導通電阻以及導通電阻與閘極極電荷之乘積

降低能源損耗「飛」我莫屬 (2008.10.13)
生活中各個角落無不需要使用電力，然而電源的損耗也正在這些電子設備與線路的傳遞處理中一點一滴流逝。也因此半導體廠商所汲汲營營的，正是不斷開發出更新的半導體架構，讓電能的使用效率能夠達到更高，降低損耗，不僅使用者能更節省能源支出，也相對為環境的保護多出一份心力

專訪：英飛淩多元市場資深技術總監Leo Lorenz (2008.10.13)
生活中各個角落無不需要使用電力，然而電源的損耗也正在這些電子設備與線路的傳遞處理中一點一滴流逝。也因此半導體廠商所汲汲營營的，正是不斷開發出更新的半導體架構，讓電能的使用效率能夠達到更高，降低損耗，不僅使用者能更節省能源支出，也相對為環境的保護多出一份心力

Linear針對LED應用推出全功能LED控制器 (2008.10.03)
凌力爾特(Linear)發表LT3756，其為一款100V、高壓端電流感測DC/DC轉換器，專為驅動高電流LED而設計。此元件所擁有的6V至100V輸入電壓範圍，使其成為汽車、工業及建築照明等廣泛應用之理想選擇

AnalogicTech高效能降壓轉換器提供快2倍的瞬變響應 (2008.10.03)
AnalogicTech發表一款高效能、500mA單晶降壓轉換器。透過創新偽定頻（pseudo fixed-frequency）架構，新轉換器可提供比傳統500mA、2MHz、PWM模式的降壓轉換器快兩倍以上的瞬變響應，並能支援使用極小、僅1µH 晶片尺寸之電感

ST推高耐用性及切換性能和效率之MOSFET產品 (2008.09.30)
意法半導體進一步提高照明安定器功率MOSFET的耐用性、切換性能和效率，功率MOSET被用於安定器及開關電源的功率因數校正器(PFC)和半橋電路內。 SuperMESH3的創新技術，結合更低的導通電阻，確保其擁有更高的效率

Vishay推出30V單片功率MOSFET和肖特基二極體 (2008.09.30)
Vishay宣佈推出首款採用具頂底散熱通路的封裝的30V單片功率MOSFET和肖特基二極體，其可在具有強迫通風冷卻功能的系統中高性能運作。新型SkyFET SiE726DF器件採用具有雙面冷卻功能的PolarPAK封裝，可提升高電流、高頻運用的效率

Linear推出高度整合的多顆電池監控IC (2008.09.24)
凌力爾特(Linear)發表一款高度整合的多顆電池監控IC LTC6802，其能量測12顆獨立的電池，專利設計並可使多顆LTC6802堆疊成串，而不需光耦合器或隔離器，因此可精準地監控串聯成長電池串列的每顆電池

Linear推出整合式 2Amp MOSFET及感測電阻 (2008.09.10)
凌力爾特( Linear )發表LTC4217，其為一款2A整合式Hot Swap控制器，並透過範圍為2.9V至26.5V之負載供應電壓來保護低功耗卡板。如同其他Hot Swap元件，LTC4217透過限制開機時提供至負載供應的突波電流量，來使卡板可安全地從通電的底板插入及移除