CTIMES - 電容器

Vishay推出三款新型電磁干擾抑制薄膜電容器 (2008.09.30)
Vishay宣布推出三款最大電壓可升至310 VAC的新型X2電磁干擾抑制（EMI）薄膜電容器，該電容器具有較寬的引腳腳距與電容質範圍。絕大部分標準電磁干擾抑制薄膜電容器的限定電壓介於275至305VAC之間，而Vishay推出新型MKP 339 X2、MKP 338 2 X2與MKP 336 2 X2器件可為設計人員提供更高的限定電壓，不但符合安全認證標準，且具有相同的小型尺寸

Vishay擴展298D MicroTan產品系列 (2008.08.18)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布已擴展其298D系列MicroTan固體鉭芯片電容器，在模塑0402封裝尺寸中提供業界最佳的額定電容電壓值。 Vishay的298D MicroTan電容器充分利用已獲專利的MAP（多陣列封裝）裝配技術以擴展產品系列，現已可在面積為1.0mm×0.5mm、最大濃度為0.60mm的超薄小型0402 K封裝中提供4.7μF-4V至10μF-4V的電容電壓

Sony投3.72億美元提高鋰電池產能 (2008.08.08)
外電消息報導，Sony日前表示，由於手機、數位相機以及其他消費性電子產品對鋰電池的需求量大幅成長，因此該公司將投資3.72億美元的經費，擴增鋰電池的生產設備，以提高鋰電池的生產能力

Vishay擴展了140CRH系列SMD鋁電容器功能 (2008.08.04)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈已擴展了其140CRH系列表面貼裝鋁電容器的功能，從而可提供極高的電容值及紋波電流。 140CRH為具有非故態自恢復電解質的極化鋁電解電容器，其非常適用於環境溫度高達125°C的汽車及工業系統中的濾波、平滑、緩衝及電壓退耦應用

台灣電源IC設計廠商大步前進！ (2008.07.31)
整體而言，可攜式產品的省能設計趨勢，在於提高晶片效率、提升電壓穩定度、加強系統整合這三大方向。細節來看，電源設計需兼顧低雜訊與低耗電、降低輸出電壓訊號被依暫停訊號關閉時，由調節器吸收的待機電流（Standby Current；Is）、降低輸入輸出電流差的靜態電流（Quiescent Current；Iq）、提高切換頻率效能（Efficiency）等設計需求

高解析度照相手機LED閃光電源解決方案 (2008.07.25)
手機的整合應用越來越重要，為了提供某些高度複雜性的行動應用，也驅動了可短時間儲存高電流而不造成電池超載，來供應高效能操作所必須之電力的電路需求。本文即以超級電容的設計應用，來解決LED閃光等峰值電源供應的問題

行動裝置低功耗設計的全面性策略 (2008.07.25)
從晶片的製程與材料，到系統的電路及供電架構，以及軟體的智慧性電壓、頻率控制，和處理器、記憶體的運算架構等，在在都影響多功能行動裝置最終的功耗表現。要開發出低功耗的行動裝置

Vishay針對車用工業擴展表面貼裝鋁電容器尺寸 (2008.07.11)
日前，Vishay宣布已擴展其150CRZ系列表面貼裝鋁電容器的功能，使該系列器件能夠提供低阻抗值、高電容與纹波電流，以及可實現高振動功能的4針腳版本。 150CRZ器件採用五種封裝尺寸，以8mm×8mm×10mm，直至較大的12.5mm×12.5×16mm

Vishay推新型TR8系列模塑MicroTan鉭晶片電容 (2008.05.15)
Vishay宣佈推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭晶片電容，採用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 µF條件下），而採用0603封裝的具有業內最低的1.5Ω ESR值。由於具有超低ESR值，加上小型0603和0805封裝，該產品可提高在音頻過濾和信號處理應用中的效率，並且只需佔用較小的PCB板面空間

Vishay推出新型HE3液體鉭高能電容器 (2007.07.10)
Vishay宣佈推出在市場上所有類似器件中具有最高電容的新型液體鉭高能電容器。HE3採用含SuperTan技術的獨特封裝設計，可在高能應用中提高可靠性及性能。 Vishay的HE3專門針對高可靠性航空電子及軍用設備中的能量存儲及脈衝功率應用而進行了優化，該器件採用密封的純鉭封裝，可在高壓力及惡劣環境中使用

安森美半導體推出HighQ IPD製程技術 (2007.07.09)
安森美半導體（ON Semiconductor）宣佈擴充先進製程技術，提供HighQ銅整合被動元件(IPD, Integrated Passive Device)製造服務，這個創新的八吋晶圓技術可以提供比較簡單的矽銅技術更高的效能，但在成本上卻比昂貴的超高效能砷化鎵-金被動產品要低上許多

Vishay推出新型T97系列固體鉭電容器晶片 (2007.06.25)
Vishay宣佈推出新型TANTAMOUNT Hi-Rel COTS T97系列固體鉭電容器晶片，這些電容器可提供高可靠性篩選及浪湧電流測試選擇，並且具有極低的ESR值。這些新型T97電容器採用雙陽極結構，以確保在同類器件中ESR值最低，這些元件主要面向安全性至關重要的應用，例如軍事、航太及醫療行業中的應用

國巨成功開發超高容值MLCC (2007.05.21)
被動元件廠商國巨公司研發技術大突破，成功開發X5R 1210 100μF（微法拉）高容值積層陶瓷電容（MLCC），為國內廠商首次以高溫度穩定性材質成功研發的100μF高容MLCC，技術實力不僅大幅領先國內同業，同時晉升為全球高容MLCC主要供應商

AnalogicTech發表第一款整合式超級電容充電IC (2007.05.21)
Advanced Analogic Technologies Incorporated（簡稱AnalogicTech），近日發表針對PC數據卡之高壓端負載切換應用的P通道限流MOSFET電源開關AAT4620。此元件內建所有用以限流、保護PC卡連接器、連續充電電容、以及在系統就緒時提出通知的電路，並能達到一般用以平衡高脈衝電流之超級電容的快速充電，而不會逾越主機供電規格

Vishay推出T95系列固體鉭電容器晶片 (2006.08.27)
Vishay Intertechnology宣佈推出新型TANTAMOUNT Hi-Rel COTS T95系列固體鉭電容器芯片，這些電容器可提供高可靠性篩選及浪涌電流測試選擇。這些新型T95電容器主要面向安全性至關重要的航空及軍事應用

高速網路傳輸與影音娛樂的未來趨勢 (2006.08.07)
本刊於6月初順應美國當地公關公司的邀請，參與由該公司所舉辦之亞洲媒體團，與中、日、韓、印、菲等亞洲媒體記者，實地造訪矽谷八家科技公司，一探目前矽谷最新的科技取向，及其獨步世界的優勢所在

Vishay推出新型TH3模塑晶片式固體鉭電容器 (2006.07.31)
Vishay近日宣佈推出新型TH3模塑晶片式固體鉭電容器，在施加50%的降額電壓時，這些電容器具有耐 150°C高溫的高可靠性。這些新型電容器專為各種高溫汽車應用而進行了優化

Vishay推出新型固體鉭晶片電容器 (2006.06.22)
Vishay推出新型Hi-Rel COTS T83系列固體鉭晶片電容器，這些電容器在五種不同尺寸的封裝中具有高可靠性以及標準低ESR值選擇；新型T83電容器面向各種航空及軍用系統，例如雷達、飛彈及其它武器系統，並且具有在當前軍用規範中還不可獲得的電容/電壓值，從而使設計人員能夠減小現有裝置的大小、重量，以及減少其元件數

Linear發表可充任何容量電容的充電控制器 (2006.02.22)
Linear Technology Corporation日前發表一款專門設計以快速充電大電容至高達1,000V的返馳控制器LT3750。LT3750可驅動一個外部高電流N通道MOSFET，並能在少於300ms的時間內對一個100uF電容充電至300V，使其成為專業照相閃光燈系統、RF保全、庫存控制系統及特定高壓電源應用之理想選擇

Vishay 推出面向主端濾波緩沖器 (2006.02.13)
Vishay Intertechnology, Inc.推出面向主端濾波緩沖器且電容範圍介於68μF～820μF的新系列鋁電解電容器。這些電容器的容差為20%，在 +85°C時有效使用時間長達2,000小時。Vishay BCcomponents 093 PMG-SI系列電容器的額定電壓為400V、420V 及 450V，工作溫度範圍介於-25°C～+85°C