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IBM新型SiGe電晶體 傳輸頻率達350GHz (2002.11.12) 根據外電消息,IBM近日對外宣佈採用SiGe(矽鍺)製程,研發出新型高速電晶體,IBM表示,採用新型SiGe材料的電晶體,其傳輸頻率達350GHz,比現代晶片速度快三倍,預計2005~2006年投入量產 |
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ST發光矽技術 成功整合光學/電子功能 (2002.11.05) 根據外電消息,半導體商ST(意法半導體)近日宣佈其發光矽(Light-emitting silicon)技術已有突破,並且表示此成果可將光學和電子功能整合於一塊矽晶片上,使矽發光器的效率,首次達到砷化鎵(GaAs)等材料的效果,預計今年底前開始提供該技術之工程樣品 |
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