CTIMES - Moset驅動器

CTIMES / Moset驅動器

科技
典故

第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期，貝爾實驗室開始一項研究計畫，目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日，由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管，優點是體積更小、更可靠、且成本低廉，不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業，同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。

凌力爾特發表新型高速同步MOSFET驅動器 (2008.07.02)
凌力爾特(Linear)發表一款高速同步MOSFET 驅動器LTC4447，其專為在同步整流轉換器架構中，驅動頂部和底部電源N 通道MOSFET 而設計。此驅動器結合電源MOSFET與眾多凌力爾特DC/DC 控制器的其中一款後，可構成一完整的高效率同步穩壓器，而能被用作降壓或升壓DC/DC轉換器

Linear發表高速同步MOSFET驅動器 (2008.03.21)
凌力爾特(Linear)發表LTC4443/-1，其為一款高速同步MOSFET驅動器，專為在同步整流之轉換器架構中，驅動頂部和較低功耗N通道MOSFET而設計。此驅動器結合電源MOSFET與眾多凌力爾特DC/DC控制器的其中一款之後，便可形成一個完整的高效率同步穩壓器，以作為降壓或升壓DC/DC轉換器