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東芝推出800V超結N溝道功率新MOSFET (2017.01.23)
東芝公司(Toshiba)旗下儲存與電子元件解決方案公司宣布針對高效率電源推出具備改進的低導通電阻、高速開關的800V超結N溝道功率MOSFET。「DTMOS IV系列」的八款新MOSFET利用超結結構，與東芝之前的「π-MOSVIII系列」相比，其可將其單位面積導通電阻(RON x A)降低近79% |
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東芝全新MOSFET系列產品實現低導通電阻與高速表現 (2016.12.23)
東芝半導體(Toshiba)推出全新U-MOS九代低電壓N通道功率MOSFET 40V與45V系列產品，其具備低導通電阻和高速之優良表現，U-MOS9系列MOSFET產品陣容提供更多樣化產品選擇，以滿足製造商各式需求 |
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英飛凌新Power MOSFET實現體積更輕巧耐用的電器產品 (2015.09.01)
【德國慕尼黑訊】DIY工具，如無線電鑽與電鋸應同時具備便利與耐用性。因此，這類應用所採用的電子元件必須具備省空間及堅固耐用的特性。英飛凌科技(Infineon)擴增 StrongIRFETPower MOSFET系列產品，提供符合上述需求的解決方案 |
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Diodes MOSFET H橋節省50%佔位面積 (2015.02.26)
Diodes公司推出一對MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產品透過減少元件數量及縮減50%的印刷電路板佔位面積，簡化馬達驅動和電感無線充電電路。40V額定值H橋DMHC4035LSD旨在滿足車用馬達驅動應用的要求；30V額定值H橋DMHC3025LSD則適合12V單相位風扇應用 |
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德州儀器推出NexFET N通道功率MOSFET實現低電阻功效 (2015.01.22)
採用5公釐x 6公釐QFN封裝並具極低Rdson的25 V和30 V裝置
德州儀器（TI）推出NexFET產品線的11款新型N通道功率MOSFET，包括擁有低導通電阻（Rdson）且採用QFN封裝的 25 V CSD16570Q5B和30 V CSD17570Q5B，其適合熱插拔和ORing應用 |
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Vishay發表新型20V P通道第三代MOSFET (2009.03.10)
Vishay發表採用其新型p通道TrenchFET第三代技術的首款元件，該20V p通道MOSFET採用SO-8封裝，具最低的導通電阻。
新型Si7137DP具有1.9mΩ（在10V時）、2.5mΩ（在4.5V時）和3.9mΩ（在 2.5V時）的超低導通電阻 |
