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CTIMES / 俄亥俄州立大學
科技
典故		 第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期，貝爾實驗室開始一項研究計畫，目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日，由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管，優點是體積更小、更可靠、且成本低廉，不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業，同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
新鍺材料速度可比矽快10倍 (2013.04.11)
美國俄亥俄州立大學(OSU)的研究人員日前宣佈開發出一種可製造厚度為一個原子的鍺薄片技術，並表示其傳導電子的速度要比矽快上10倍，比傳統鍺材料快5倍以上。 新材料的架構與備受矚目的石墨烯──由二維材料構成的單一碳原子層很相似

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