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CTIMES / Gan Hemt
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
ROHM高性能650V耐壓GaN HEMT開始量產 (2023.05.18)
半導體製造商ROHM已開始650V耐壓氮化鎵(GaN)HEMT 「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量產,此二款產品適用於伺服器和AC適配器等各類型電源系統。 據悉電源和馬達的用電量占全世界用電量的一半,為實現無碳社會,如何提高其效率已成為全球性的重要課題

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