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英飛凌 Bulk-CMOS 射頻開關產量逾50億組 (2018.07.31)
英飛凌科技股份有限公司於 2008 年開始量產第一個 Bulk-CMOS 射頻 (RF) 開關。接著在 5G 時代的曙光中，英飛凌精良的產品組合與產品獲得全球無線市場創新業者前所未有的歡迎 |
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東芝推出低插入損耗的智慧型手機射頻開關SOI製程 (2015.11.25)
東芝公司（Toshiba）半導體與儲存產品公司研發新一代TarfSOI（東芝先進的射頻絕緣矽（SOI））製程—TaRF8，該製程針對射頻（RF）開關應用進行最佳化，實現低插入損耗。採用新製程製造的SP12T射頻開關IC適用於智慧型手機，樣品出貨將於2016年1月啟動 |
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IDT推出高隔離性與線性射頻開關 (2014.11.13)
IDT推出高隔離性與線性射頻開關
IDT公司日前推出了F2912開關，此開關為半導體公司首次規劃的新射頻（RF）開關產品系列。F2912具有先進的低插入損耗、高隔離度及線性等整合特色，是在進行微波回載及前載、檢測設備、有線電視頭端，WiMAX射頻、無線系統與一般開關應用基地台（2G、3G與4G）等工作時的最佳選擇 |
