帳號：
密碼：
CTIMES / 溝槽結構
科技
典故		 只有互助合作才能雙贏——從USB2.0沿革談起

USB的沿革歷史充滿曲折，其中各大廠商從本位主義的相互對抗，到嘗盡深刻教訓後的Wintel合作，能否給予後進有意「彼可取而代之」者一些深思與反省？
溝槽構造SiC-MOSFET可大幅降低導通電阻 (2015.08.14)
ROHM近日研發出採用溝槽結構的SiC-MOSFET，並已建立完備的量產體制。與量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用變流器等所有相關設備的功率損耗

  十大熱門新聞

AD
刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 讀者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹
︱ Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw