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CTIMES / 宜普電源
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
宜普電源推出高頻單片式氮化鎵半橋功率電晶體 (2017.06.12)
EPC2111氮化鎵半橋功率電晶體?明系統設計師實現具高效率的負載點系統應用,在14 A、12 V轉至1.8 V、5 MHz開關時實現超過85%效率,及在10 MHz開關時實現超過80%效率。 宜普電源(EPC)推出30 V的增強型單片式半橋氮化鎵電晶體(EPC2111)
Tektronix 提出隔離量測標準 (2017.05.24)
全球量測解決方案供應商--- Tektronix 正在擴大其在獨立量測系統中的地位。2016 年,Tektronix 推出具有革命性的 120 dB (1 百萬至 1) 共模抑制的高效隔離量測系統 IsoVu,為電源量測設立了全新的標準
EPC eGaN技術在性能及成本上實現質的飛躍 (2017.03.17)
全球增?型氮化鎵電晶體廠商、致力於開發創新的矽基功率場效應電晶體(eGaN FET)及積體電路的宜普電源轉換公司(EPC)推出全新的EPC2045(7微歐姆、100 V)及EPC2047(10 微歐姆、200 V)電晶體,在提升產品性能的同時也可以降低成本
CES 2017:宜普電源展示基於eGaN技術的多元化應用 (2017.01.04)
宜普電源轉換公司(EPC)將於國際消費電子展(CES 2017)展示氮化鎵(GaN)技術是眾多最新應用的主要技術,包括自動駕駛車、不使用電源線的未來家居、聯網汽車及於藥丸內的微型X光系統以非侵入式方法進行結腸鏡檢查等應用
宜普電源推出全新增?型氮化鎵功率電晶體 (2015.08.27)
宜普電源(EPC)推出EPC2039功率電晶體。該產品是一種具備高功率密度的增?型氮化鎵(eGaN)功率電晶體,其尺寸只是1.82mm2、80 VDS、6.8 A及在閘極上施加5 V電壓時的最大阻抗? 22 微歐姆
宜普演示板採用氮化鎵場效應電晶體實現音頻高效 (2015.02.06)
宜普電源轉換公司(EPC)推出新款採用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體的D類音頻放大器參考設計(EPC9106)採用 Bridge-Tied-Load(BTL)設計,包含四個接地的半橋輸出功率級電路,使得設計可以升級及擴展
宜普電源推出單片式氮化鎵半橋功率電晶體 (2015.01.23)
宜普電源轉換公司(EPC)推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增強型單片式氮化鎵半橋元件。可推動48 V轉12 V降壓轉換器在20 A輸出電流下實現超過97%的系統效率。在於透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體而成為單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及空隙,使電晶體的占板面積減少50%
宜普電源推出450 V增強型氮化鎵功率電晶體 (2015.01.15)
具備4奈秒上升時間特性的450 V氮化鎵場效應功率電晶體(eGaN FET)並適合於高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的應用。 宜普電源(EPC)推出450 V並通常處於關斷狀態的增?型功率電晶體(EPC2027),可用於需要高頻開關的應用,從而實現更高的效率及功率密度
宜普電源推出單片半橋式氮化鎵功率電晶體 (2014.12.09)
為了協助功率系統設計增加效率與功率密度,宜普電源轉換公司(EPC)推出60 V單片半橋式氮化鎵功率電晶體-- EPC2101。透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體而成?單個元件,可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙,使得電晶體的占板面積?少50%
宜普300 V氮化鎵功率電晶體因應高頻應用需求 (2014.10.03)
宜普公司為功率系統設計師提供一種上升時間為2奈秒(ns)並面向高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的300 V氮化鎵場效應功率電晶體(EPC2025)。 宜普電源(EPC)推出300 V功率電晶體(EPC2025),可用於需要高頻開關的應用,從而實現更高效率及更高功率密度

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