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SiC牵引逆变器降低功率损耗和热散逸 (2022.08.25)
本文说明如何在EV牵引逆变器中驱动碳化矽（SiC）MOSFET，透过降低电阻和开关损耗来提高效率，同时增加功率和电流密度。 |
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电气化趋势不可逆 车用半导体扮演推手 (2022.08.23)
电动汽车的应用已经成为汽车半导体市场成长的一大关键因素。
高压、高频、高功率密度的车用系统，发展趋势也渐渐成形。
将半导体效能提升，才能回应新世代智慧型车辆发展的需求 |
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英特尔：晶片制造需满足世界对於运算的需求 (2022.08.23)
英特尔在Hot Chips 34当中，强调实现2.5D和3D晶片块（tile）设计所需的最新架构和封装创新，将引领晶片制造的新时代，并在未来数年内推动摩尔定律的发展。英特尔执行长Pat Gelsinger（基辛格）向全球分享持续不断追求更强大运算能力的历程 |
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MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键 (2022.08.23)
AIoT意即将IoT导入AI系统，从工业应用领域发展到人们的日常生活中，为众多产业带来更多创新应用，MCU在实现边缘AI或终端AI中成为主要关键核心。 |
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以碳化矽MOSFET实现闸极驱动器及运作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驱动方式与传统的矽MOSFET和绝缘闸双极电晶体（IGBT）不同，本文叙述在碳化矽应用进行闸极驱动时，设计人员如何确保驱动器具备足够的驱动能力。 |
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意法半导体推出具灵活诊断保护功能的车规高边开关控制器 (2022.08.19)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出VNF1048F车规高边开关控制器，整合强化的系统保护诊断功能及I2-t矽熔断保护技术。
作为意法半导体新推出整合I2-t保护功能之STi2Fuse系列的首款产品 |
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边缘应用无远弗届 加速半导体产业创新力道 (2022.08.17)
未来十年半导体市场持续展现成长态势，成长动能将来自边缘运算。
而新事物的大量应用与开发，正是催生和释放这种成长的动力。
由於半导体跨越了生活各种层面，因此成长数字将会非常快速 |
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EPC推出ePower功率级积体电路 实现更高功率密度和简化设计 (2022.08.11)
宜普电源转换公司（EPC）推出ePower功率级积体电路，它整合了整个半桥功率级，可在1 MHz工作时实现高达35 A的输出电流，为高功率密度应用提供更高的性能和更小型化的解决方案，包括DC/DC转换、马达控制和D类音频放大器等应用 |
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氛围灯：汽车大放异彩的新元素 (2022.08.09)
LED技术使氛围灯成为新的镀铬元素，让车辆大放异彩。然而，新的技术发展也给设计人员带来了新的挑战。 |
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非铜金属半镶嵌制程 实现窄间距双层结构互连 (2022.08.05)
imec展示全球首次实验示范采用18nm导线间距的双金属层半镶嵌模组，强调窄间距自对准通孔的重要性，同时分析并公开该模组的关键性能叁数，包含通孔与导线的电阻与可靠度 |
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ROHM推出车电多萤幕SerDes IC 提升车电功能安全 (2022.08.03)
半导体制造商ROHM（针对多萤幕化趋势的车电显示器市场，推出支援高画质解析度（1,980×1,080像素）的SerDes IC（序列器：BU18TL82-M，解序列器：BU18RL82-M）。
近年来随着电子後视镜和液晶仪表板的普及 |
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ST新款40V STripFET F8 MOSFET电晶体 具备节能降噪特性 (2022.08.02)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出新40V MOSFET电晶体STL320N4LF8和STL325N4LF8AG降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极体之特性，降低功率转换、马达控制和配电电路的耗能和杂讯 |
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NanoEdge AI实际范例：风扇堵塞侦测 (2022.08.02)
本文介绍如何使用NanoEdge AI Studio快速部署AI应用。本应用的目的是透过马达控制板的不同电流讯号，藉由机器学习演算法来侦测风扇滤网的堵塞百分比。 |
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用於自由曲面设计的五大CODE V工具 (2022.07.29)
本文说明在进行自由曲面光学设计时，CODE V当中可以帮助完成设计最隹化和分析的五大工具。 |
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摩尔定律碰壁 成本为选择先进封装制程的关键考量 (2022.07.29)
本场东西讲座除了深度剖析晶片封装技术趋势与对策之外，更与亲赴现场的开发业者广泛交流，共同讨论前景与挑战。 |
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关於台积电的2奈米制程，我们该注意什麽？ (2022.07.29)
台积在6月底正式宣布了他们的2nm技术蓝图，有什麽重要性？又会带出哪些半导体制造技术的风向球？本文就从技术演进，以及市场竞争与成本的角度来切入分析。 |
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以设计师为中心的除错解决方案可缩短验证时间 (2022.07.28)
「设计错误」常被认为是造成 ASIC 和 FPGA 重新设计的主要原因之一。而在这些错误当中，有许多类型都可以很容易由「以设计师为中心」的解决方案所捕捉，修正或除错，进而缩短验证时间 |
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节能降耗势在必行 宽能隙半导体发展加速 (2022.07.27)
宽能隙半导体拥有许多优势，其节能效果非常出色。
碳化矽和氮化??两种技术各有特点，各自的应用情境也有所不同。
宽能隙技术已经催生出一系列相关应用，协助达成碳中和的企业目标 |
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功率半导体元件的主流争霸战 (2022.07.26)
多年来，功率半导体以矽为基础，但碳化矽（SiC）、氮化??（GaN）等第三类半导体材料出现，让功率半导体元件的应用更为多元。 |
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[新闻十日谈#25] 高电价时代来临！下半年产业怎麽走？ (2022.07.26)
由於能源转型仍在过渡期，但产业用电又节节高升，看来缺电是将来的产业常态，2022年下半年将会十分严峻。 |
