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美國ITC現正積極調查Spansion微控制器及記憶體產品侵害旺宏專利案件 (2014.08.20)
非揮發性記憶體廠商旺宏電子今 (08/20) 日表示，美國國際貿易委員會（United States International Trade Commission，ITC）目前已針對Spansion的微控制器(Microcontroller Units , MCUs) 及記憶體產品涉嫌侵害旺宏專利案展開積極調查 |
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富士通半導體推出全新4 Mbit FRAM產品 (2013.11.15)
富士通半導體有限公司台灣分公司宣布推出全新具有SRAM相容型並列介面的4 Mbit FRAM晶片MB85R4M2T。MB85R4M2T採用44-pinTSOP封裝並且與標準低功耗SRAM相容，因此能夠在工業機械、辦公自動化設備、醫療設備以及其他設備等應用中，取代原有具備高速資料寫入功能的SRAM |
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富士通半導體推出2.7V-5.5V大範圍工作電壓FRAM產品 (2012.10.19)
富士通半導體有限公司台灣分公司日前宣佈推出新款V系列晶片MB85RC256V。富士通半導體目前的V系列FRAM產品涵蓋4KB、16KB、64KB、256KB容量，MB85RC256V是首款可在2.7V-5.5V電壓範圍內運作的FRAM產品，有利於需要大範圍工作電壓零組件之設計 |
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力旺與美格納合作量產可修改嵌入式記憶體 (2008.02.19)
力旺電子與半導體製造廠商美格納(MagnaChip)共同宣佈，力旺獲專利的非揮發性電性可修改(Neobit)嵌入式記憶體，已可於MagnaChip 0.18微米CMOS邏輯製程上提供量產。該技術不只應用在CMOS邏輯製程，還可以應用在高壓製程上 |
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Catalyst推可替代工業標準的’604系列LED驅動器 (2007.12.14)
類比、混合信號及非揮發性記憶體供應商Catalyst半導體公司，發佈最新的基於Quad-Mode專利技術的分數充電泵LED驅動元件。CAT3604V是一款4通道LED驅動器，與工業標準’604系列元件具備相似功能並增加Catalyst專利的Quad-Mode開關架構的效益，包括改善平均效率，提供了工業標準之外的另一種選擇 |
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ST推出免費STM32 微控制器自我檢測軟體 (2007.12.07)
意法半導體（ST）針對不久前推出的內建ARM Cortex-M3處理器的STM32系列Flash微控制器新推出一個軟體庫，當微控制器使用在家電產品時，這套軟體是專為簡化其為符合IEC 60335-1標準所需通過的測試和認證程序而設計 |
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從過去到未來 (2007.10.29)
如果你認為過去的歸過去，未來的歸未來，那麼你就錯了，因為沒有過去就不會有現在，沒有現在當然就不會有未來。然而過去、現在、未來之間是如何相互依存的呢？從某方面來說這是神秘難以解答的一件事，但簡單來講就是靠記憶的作用，過去雖然不存在了，卻可以回想，未來雖然還沒有決定，現在卻可以一步步去計劃、設想與實踐 |
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Cypress新4-Mbit nvSRAM採0.13微米SONOS製程 (2007.10.26)
Cypress公司發表一款全新4-Mbit非揮發性靜態隨機存取記憶體（non-volatile static random access memory；nvSRAM），具備15奈秒(ns)的存取時間、無限次數的讀寫及記憶週期、還有長達20年的資料維持等產品特色 |
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Microchip推出非揮發性數位電位計 (2007.10.18)
Microchip推出MCP4141/2、MCP4241/2、MCP4161/2和MCP4261/2（MCP41XX/42XX）非揮發性數位電位計。這些新型七位元及八位元電位計配備串列週邊介面（SPI），能夠在攝氏零下四十度到攝氏一百二十五度更寬廣的工業溫度範圍內操作 |
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GELSINGER於IDF闡述Intel科技進步節奏 (2007.09.20)
英特爾資深副總裁暨數位企業事業群總經理Patrick Gelsinger 18日於舊金山舉辦的英特爾科技論壇（IDF）上，說明英特爾與產業界合作共同推動創新處理器的各項最新進度。他談到英特爾的「規則律動」（tick-tock）處理器設計節奏，包括英特爾即將推出的新45奈米（nm）製程產品細節 |
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Catalyst通用型可編程數位電位計開始供貨 (2007.08.16)
類比、混合信號元件及非揮發性記憶體供應商Catalyst半導體公司，發佈一款通用型可編程電位計元件CAT5114，該元件採用8支腳，2×2.5mm TDFN封裝，是目前世界上最小的非揮發性數位式電位計 |
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ST新款SPI介面串列式EEPROM 採用SO8窄封裝 (2007.08.03)
串列式非揮發性記憶體IC廠商意法半導體（ST），宣佈推出一款新的1-Mbit串列式EEPROM，M95M01支援SPI（串列式周邊介面）匯流排並採用寬度僅為150-mil（3.8mm）的微型SO8N封裝──目前市場上第一個SPI串列式EEPROM將如此高容量的記憶體擠進在如此小的封裝內 |
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韓商將FRAM應用於DSP車用音響平台中 (2007.08.03)
非揮發性鐵電隨機存取記憶體（FRAM）和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈，韓國的Daesung-Eltec公司已將 FRAM記憶體設計於其以數位信號處理（DSP）為基礎的汽車音響平台中 |
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Intel與ST合資的Flash公司將命名為Numonyx (2007.07.24)
英特爾（Intel）、意法半導體（ST）及投資公司Francisco Partners等三家公司對外宣佈，將正在設立籌備中的快閃記憶體合資新公司命名為Numonyx。新的公司主要將提供以NOR快閃記憶體為主的非揮發性記憶體，應用領域包括手機、MP3播放器、數位相機、電腦等 |
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發揮FRAM的獨特優勢 (2007.04.30)
Ramtron是一家無晶圓半導體公司，該公司瞄準垂直市場之廣泛應用領域，提供設計、開發與行銷特定半導體記憶體，以及整合式半導體解決方案。Ramtron也將鐵電材質整合進入半導體產品，而開發出新層次的非揮發記憶體產品，也就是鐵電隨機存取記憶體（FRAM） |
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記憶體技術競賽 Intel看好PRAM (2007.04.17)
英特爾（Intel）在英特爾開發商論壇（IDF）上首次公開演示其PRAM技術。PRAM是由英特爾和數家其他公司聯合開發的一種相變隨機記憶體，被認為可能取代Flash，甚至是DRAM。與DRAM不同的是，Flash等非揮發性記憶體不會因沒電而丟失存儲的資訊 |
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Ramtron推出+125℃ FRAM記憶體FM25C160 (2007.03.05)
非揮發性鐵電記憶體(FRAM)和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International宣佈推出首款 +125℃ FRAM記憶體 FM25C160。該款5V 16Kb 的串列SPI介面 FRAM可滿足Grade 1和AEC-Q100規範的要求，可在 -40℃到 +125℃ 的整個汽車溫度範圍內工作 |
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Ramtron全新單晶片解決方案採用微型封裝 (2006.11.03)
非揮發性鐵電記憶體(FRAM)和整合半導體產品供應商Ramtron International公司，宣佈推出64Kb、3V FRAM-Enhanced Processor Companion產品FM3130，在微型封裝中將非揮發性鐵電RAM和整合式即時時鐘/日曆(RTC)兩者的效益結合在一起 |
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Ramtron擴大其串列記憶體產品系列陣容 (2006.09.13)
非揮發性鐵電記憶體（FRAM）和整合半導體產品供應商Ramtron International公司，擴充其串列記憶體產品系列，推出帶有工業標準2線串列介面的五十萬位元非揮發性FRAM產品FM24C512，以支援需要大容量資料收集的應用，如市電計量和即時配置儲存服務 |
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Cypress推出高速小型非揮發性SRAM系列產品 (2006.06.05)
Cypress Semiconductor宣佈推出非揮發性SRAM系列產品-nvSRAM的第一款元件產品。此款創新元件在切斷電源的情況下，繼續儲存內部資料，而無須外接電池，因此，讓Cypress這項創新高速裝置不但符合歐盟電子電機設備有害物質限用指令（RoHS）的規定，且可提供比其他解決方案更小的封裝 |
