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美国ITC现正积极调查Spansion微控制器及内存产品侵害旺宏专利案件 (2014.08.20)
非挥发性内存厂商旺宏电子今 (08/20) 日表示，美国国际贸易委员会（United States International Trade Commission，ITC）目前已针对Spansion的微控制器(Microcontroller Units , MCUs) 及内存产品涉嫌侵害旺宏专利案展开积极调查 |
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富士通半导体推出全新4 Mbit FRAM产品 (2013.11.15)
富士通半导体有限公司台湾分公司宣布推出全新具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片MB85R4M2T。MB85R4M2T采用44-pinTSOP封装并且与标准低功耗SRAM兼容，因此能够在工业机械、办公自动化设备、医疗设备以及其他设备等应用中，取代原有具备高速数据写入功能的SRAM |
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富士通半导体推出2.7V-5.5V大范围工作电压FRAM产品 (2012.10.19)
富士通半导体有限公司台湾分公司日前宣布推出新款V系列晶片MB85RC256V。富士通半导体目前的V系列FRAM产品涵盖4KB、16KB、64KB、256KB容量，MB85RC256V是首款可在2.7V-5.5V电压范围内运作的FRAM产品，有利于需要大范围工作电压零组件之设计 |
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力旺与美格纳合作量产可修改嵌入式内存 (2008.02.19)
力旺电子与半导体制造厂商美格纳(MagnaChip)共同宣布，力旺获专利的非挥发性电性可修改(Neobit)嵌入式内存，已可于MagnaChip 0.18微米CMOS逻辑制程上提供量产。该技术不只应用在CMOS逻辑制程，还可以应用在高压制程上 |
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Catalyst推可替代工业标准的’604系列LED驱动器 (2007.12.14)
模拟、混合信号及非挥发性内存供货商Catalyst半导体公司，发布最新的基于Quad-Mode专利技术的分数充电泵LED驱动组件。CAT3604V是一款4信道LED驱动器，与工业标准’604系列组件具备相似功能并增加Catalyst专利的Quad-Mode开关架构的效益，包括改善平均效率，提供了工业标准之外的另一种选择 |
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ST推出免费STM32 微控制器自我检测软件 (2007.12.07)
意法半导体（ST）针对不久前推出的内建ARM Cortex-M3处理器的STM32系列Flash微控制器新推出一个软件库，当微控制器使用在家电产品时，这套软件是专为简化其为符合IEC 60335-1标准所需通过的测试和认证程序而设计 |
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从过去到未来 (2007.10.29)
如果你认为过去的归过去，未来的归未来，那么你就错了，因为没有过去就不会有现在，没有现在当然就不会有未来。然而过去、现在、未来之间是如何相互依存的呢？从某方面来说这是神秘难以解答的一件事，但简单来讲就是靠记忆的作用，过去虽然不存在了，却可以回想，未来虽然还没有决定，现在却可以一步步去计划、设想与实践 |
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Cypress新4-Mbit nvSRAM采0.13微米SONOS制程 (2007.10.26)
Cypress公司发表一款全新4-Mbit非挥发性静态随机存取内存（non-volatile static random access memory；nvSRAM），具备15奈秒(ns)的访问时间、无限次數的讀写及记忆周期、还有长达20年的资料维持等产品特色 |
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Microchip推出非挥发性数字电位计 (2007.10.18)
Microchip推出MCP4141/2、MCP4241/2、MCP4161/2和MCP4261/2（MCP41XX/42XX）非挥发性数字电位计。这些新型七位及八位电位计配备串行外围接口（SPI），能够在摄氏零下四十度到摄氏一百二十五度更宽广的工业温度范围内操作 |
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GELSINGER于IDF阐述Intel科技进步节奏 (2007.09.20)
英特尔资深副总裁暨数字企业事业群总经理Patrick Gelsinger 18日于旧金山举办的英特尔科技论坛（IDF）上，说明英特尔与产业界合作共同推动创新处理器的各项最新进度。他谈到英特尔的「规则律动」（tick-tock）处理器设计节奏，包括英特尔即将推出的新45奈米（nm）制程产品细节 |
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Catalyst通用型可编程数字电位计开始供货 (2007.08.16)
模拟、混合信号组件及非挥发性内存供货商Catalyst半导体公司，发布一款通用型可编程电位计组件CAT5114，该组件采用8支脚，2×2.5mm TDFN封装，是目前世界上最小的非挥发性数字式电位计 |
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ST新款SPI接口串行式EEPROM 采用SO8窄封装 (2007.08.03)
串行式非挥发性内存IC厂商意法半导体（ST），宣布推出一款新的1-Mbit串行式EEPROM，M95M01支持SPI（串行式周边接口）总线并采用宽度仅为150-mil（3.8mm）的微型SO8N封装──目前市场上第一个SPI串行式EEPROM将如此高容量的内存挤进在如此小的封装内 |
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韩商将FRAM应用于DSP车用音响平台中 (2007.08.03)
非挥发性铁电随机存取内存（FRAM）和整合半导体产品开发商及供货商Ramtron International Corporation宣布，韩国的Daesung-Eltec公司已将 FRAM内存设计于其以数字信号处理（DSP）为基础的汽车音响平台中 |
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Intel与ST合资的Flash公司将命名为Numonyx (2007.07.24)
英特尔（Intel）、意法半导体（ST）及投资公司Francisco Partners等三家公司对外宣布，将正在设立筹备中的闪存合资新公司命名为Numonyx。新的公司主要将提供以NOR闪存为主的非挥发性内存，应用领域包括手机、MP3播放器、数字相机、计算机等 |
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发挥FRAM的独特优势 (2007.04.30)
Ramtron是一家无晶圆半导体公司，该公司瞄准垂直市场之广泛应用领域，提供设计、开发与营销特定半导体内存，以及整合式半导体解决方案。Ramtron也将铁电材质整合进入半导体产品，而开发出新层次的非挥发内存产品，也就是铁电随机存取内存（FRAM） |
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内存技术竞赛 Intel看好PRAM (2007.04.17)
英特尔（Intel）在英特尔开发商论坛（IDF）上首次公开演示其PRAM技术。PRAM是由英特尔和数家其他公司联合开发的一种相变随机内存，被认为可能取代Flash，甚至是DRAM。与DRAM不同的是，Flash等非挥发性内存不会因没电而丢失存储的信息 |
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Ramtron推出+125℃ FRAM内存FM25C160 (2007.03.05)
非挥发性铁电内存(FRAM)和整合半导体产品开发商及供货商Ramtron International宣布推出首款 +125℃ FRAM内存 FM25C160。该款5V 16Kb 的串行SPI接口 FRAM可满足Grade 1和AEC-Q100规范的要求，可在 -40℃到 +125℃ 的整个汽车温度范围内工作 |
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Ramtron全新单芯片解决方案采用微型封装 (2006.11.03)
非挥发性铁电内存(FRAM)和整合半导体产品供货商Ramtron International公司，宣布推出64Kb、3V FRAM-Enhanced Processor Companion产品FM3130，在微型封装中将非挥发性铁电RAM和整合式实时时钟/日历(RTC)两者的效益结合在一起 |
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Ramtron扩大其串行内存产品系列阵容 (2006.09.13)
非挥发性铁电内存（FRAM）和整合半导体产品供货商Ramtron International公司，扩充其串行内存产品系列，推出带有工业标准2线串行接口的五十万位非挥发性FRAM产品FM24C512，以支持需要大容量数据收集的应用，如市电计量和实时配置储存服务 |
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Cypress推出高速小型非挥发性SRAM系列产品 (2006.06.05)
Cypress Semiconductor宣布推出非挥发性SRAM系列产品-nvSRAM的第一款组件产品。此款创新组件在切断电源的情况下，继续储存内部数据，而无须外接电池，因此，让Cypress这项创新高速装置不但符合欧盟电子电机设备有害物质限用指令（RoHS）的规定，且可提供比其他解决方案更小的封装 |
