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英飛凌與Wolfspeed擴展碳化矽6 吋晶圓供應協定 (2024.01.25)
隨著產業供應鏈對碳化矽產品的需求持續增加，英飛凌科技與Wolfspeed 公司共同宣布擴大於 2018 年 2 月所簽署的長期 6 吋碳化 （SiC） 矽晶圓供應協定，並且延長期限。雙方擴展的合作範圍，包括一個多年期的產能預訂協定，進而穩定英飛凌整體供應鏈，以因應汽車、太陽能、電動車應用及儲能系統等領域對於碳化矽半導體需求成長 |
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Wolfspeed首座8吋SiC晶圓廠投入量產 (2022.05.03)
Wolfspeed宣佈其位於美國紐約州莫霍克谷（Mohawk Valley）的SiC製造工廠正式營業。這座 200mm(8英吋)晶圓廠將助力推進諸多產業從 Si 基產品向 SiC 基半導體的轉型。
紐約州州長 Kathy Hochul 蒞臨現場並預祝 Wolfspeed 在莫霍克谷（Mohawk Valley）大展宏圖 |
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Wolfspeed與Lucid Motors簽訂協議 生產和供應SiC裝置。 (2022.04.28)
Wolfspeed於近日宣佈與Lucid Motors達成重要合作。Lucid Motors將在其高性能、純電動車型Lucid Air中採用Wolfspeed SiC功率元件解決方案。同時，Wolfspeed和Lucid Motors簽訂多年協議，將由Wolfspeed生產和供應SiC裝置 |
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EV用電池三分天下，逐鹿次世代車用市場 (2021.11.25)
車用電池市場的競爭日趨激烈，中國已躍然成為最大的鋰離子電池生產國。現階段雖然中國業者占有最大的市場比例，但日韓兩國積極布局的EV（Electric Vehicle）用電池崛起，儼然成為搶攻次世代車用市場的關鍵組件 |
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應用材料助碳化矽晶片製造 加速升級至200毫米晶圓 (2021.09.09)
應用材料公司推出新產品，協助全球領先的碳化矽 (SiC) 晶片製造商，從150毫米晶圓製造升級為200毫米製造，增加每片晶圓裸晶 (die) 約一倍的產量，滿足全球對優質電動車動力系統日益增加的需求 |
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Cree謀轉型發展碳化矽 獨霸SiC晶圓市場 (2021.07.14)
相較於第一代半導體材料的矽（Si）與第二代半導體材料的砷化鎵（GaAs），碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）等第三代寬能隙半導體材料擁有高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性 |
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中國高斯寶採用科銳SiC電晶體 提升伺服器電源效率 (2021.06.13)
科銳公司(Cree)宣布，中國高斯寶電氣（Gospower）將在其次代通用備援電源(CRPS)解決方案中，採用Wolfspeed 650V碳化矽金氧半場效電晶體(MOSFET)，來提高電源效率。
科銳指出，Wolfspeed的650V碳化矽MOSFET透過低開關和導通損耗提供高效率，並具有高功率密度的特點，包括更小的體積、更輕的重量和更少的元件數 |
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Cree與StarPower助客車廠商開發SiC電機控制器系統解決方案 (2020.06.10)
宇通客車（宇通集團）於日前宣佈，其新能源技術團隊正在採用基於科銳（Cree, Inc.）1200V SiC元件的Stare半導體功率模組，開發更高效率，更快，更小，更輕，更強大的電機控制系統，各方共同推進SiC逆變器在新能源大巴領域的商業化應用 |
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Cree和ST擴大現有SiC晶圓供貨協定 並延長協定期限 (2019.11.22)
Cree和半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，ST）宣布，雙方將現有碳化矽（SiC）晶圓多年長期供貨協定總價提升至5億美元以上，並延長協定有效期限。這份延長供貨協議相較原合約總價提升一倍 |
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科銳與ABB宣佈SiC元件合作 供汽車和工業領域解決方案 (2019.11.21)
全球碳化矽（SiC）技術領先企業科銳（Cree）與ABB電網事業部宣佈達成合作，共同擴展SiC在快速增長大功率半導體市場的採用。協定內容包括在ABB種類齊全的產品組合中，將採用科銳Wolfspeed SiC基半導體，這將有助科銳擴大客戶基礎，同時加快ABB進入正在快速擴大的電動汽車（EV）市場 |
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科銳與采埃孚推進電驅動領域合作 (2019.11.06)
全球碳化矽（SiC）半導體企業科銳（Cree, Inc.）與德國采埃孚（ZF Friedrichshafen AG）宣佈達成戰略合作，開發業界領先的高效率電傳動設備。
通過此次戰略合作，科銳與采埃孚將強化現有的合作 |
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科銳將在紐約州建造全球最大SiC製造工廠 (2019.09.24)
作為碳化矽（SiC）技術全球領先企業的科銳（Cree, Inc.），於今日宣佈計畫在美國東海岸創建碳化矽走廊，建造全球最大的碳化矽製造工廠。科銳將在美國紐約州Marcy建造一座全新的採用最先進技術並滿足車規級標準的200mm功率和射頻（RF）晶圓製造工廠 |
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Cree與德爾福科技開展汽車SiC元件合作 (2019.09.15)
科銳（Cree）與德爾福科技（Delphi Technologies）宣佈開展汽車碳化矽（SiC）元件合作。雙方的此次合作將通過採用碳化矽（SiC）半導體技術，為未來電動汽車（EV）提供更快、更小、更輕、更強勁的電子系統 |
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CREE投資10億美元 擴大SiC碳化矽產能 (2019.05.08)
Cree 宣佈，將投資10億美元用於擴大SiC碳化矽產能，在公司美國總部北卡羅萊納州特勒姆市建造一座採用最先進技術的自動化200mm SiC碳化矽生產工廠和一座材料超級工廠。
該項目為該公司至今最大的投資，將為Wolfspeed SiC碳化矽和GaN-on-SiC碳化矽基氮化鎵業務提供動能 |
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Cree和意法半導體宣布碳化矽晶圓長期供貨協議 (2019.01.10)
Cree宣布簽署一份長期供貨協議，為橫跨多重電子應用領域的全球領先半導體供應商意法半導體 （STMicroelectronics，簡稱ST）生產和供應Wolfspeed 碳化矽（SiC）晶圓。按照該協議規定，在目前碳化矽功率元件市場需求明顯成長的期間，Cree將向意法半導體提供價值2.5億美元之150mm先進碳化矽裸晶圓與磊晶晶圓 |
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Wolfspeed最新1200V SiC MOSFET 促進電動車市場發展 (2018.06.26)
科銳旗下Wolfspeed於近日宣佈推出最新第三代1200V碳化矽SiC MOSFET系列，為電動汽車動力傳動系統帶來性能突破。
這一開關元件能夠實現高電壓功率轉換，進一步鞏固Wolfspeed在電動汽車生態系統解決方案領域的領先地位 |
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Cree收購英飛凌RF Power業務 擴展4G/5G無線市場 (2018.03.08)
LED照明大廠Cree宣布，收購德國英飛凌射頻功率(RF Power)業務之資產，收購金額約3.45億歐元。這項交易將擴展Cree旗下Wolfspeed事業體在無線市場之商機。交易已經完成並於 3月 6 日生效 |
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飛思卡爾CEO：想贏，就得先奪中國市場！ (2012.12.07)
飛思卡爾技術論壇（FTF 2012）中國站於北京盛大舉行。由於正值該公司新任總裁暨執行長Gregg Lowe走馬上任，又逢半導體產業市場景氣趨向保守，Gregg Lowe甫上任後的中國首秀，在首都北京舉辦，象徵宣示著中國市場的主權在我！而Gregg也明白地說：想在半導體市場勝出，首先就得在中國市場先成功 |
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FTF後 飛思卡爾的堅持與挑戰正要開始 (2012.08.16)
8月15日，當最後一場專題演說結束，也意味著為期兩天的飛思卡爾技術論壇北京站正式劃上句點。在此聚集來自亞洲各地的2000多名產業專家、企業領導人以及嵌入式軟體工程師等，又將回到工作崗位上，而北京，也再次恢復往時的平靜 |
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路就在這裡！ (2012.08.15)
甫上任的飛思卡爾半導體總裁兼首席執行官Gregg Lowe，所遇到的第一場FTF活動，就選擇舉辦在中國北京。在這場該公司年度重要盛會的開場演說中，Gregg不斷強調中國市場的重要性 |
