 |
意法半導體先進的STGAP3S電隔離閘極驅動器 為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能 (2024.12.30)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）新 STGAP3S 系列碳化矽（SiC） 和 IGBT 功率開關閘極驅動器整合了最新之穩定的電隔離技術、優化的去飽和保護功能，以及靈活的米勒鉗位架構 |
|
貿澤電子、安森美和Wurth Elektronik合作為下一代太陽能和儲能系統提供解決方案 (2024.12.09)
2024年12月9日 – 全球最新電子元件和工業自動化產品的授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 與安森美和Wurth Elektronik合作，一同滿足太陽能逆變器市場持續成長的需求。
全球逆變器市場的成長動力來源，主要來自微型逆變器和串式逆變器在安裝上的便利性，以及對再生能源基礎架構投資的增加 |
|
Littelfuse超級結X4-Class 200V功率MOSFET具有低通態電阻 (2024.11.26)
工業技術製造公司Littelfuse推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結X4-Class功率MOSFET。這些新元件在目前200V X4-Class超級接面MOSFET的基礎上進行擴展，有些具有最低導通電阻。由於這些MOSFET具有高電流額定值，設計人員能夠採用它們來取代多個並聯的低額定電流元件，進而簡化設計流程，提高應用的可靠性和功率密度 |
|
安森美與伍爾特電子攜手 升級高精度電力電子應用虛擬設計 (2024.11.17)
安森美 （onsemi） 和伍爾特電子（Wurth Elektronik）宣佈，伍爾特電子的無源元件資料庫已整合到安森美獨特的PLECS模型自助生成工具 （SSPMG） 中。 SSPMG 是基於 Web 的平臺，介面直觀、簡單易用，協助工程師針對複雜的電力電子應用定製高精度、高擬真 PLECS 模型，以儘早發現和修復設計過程中的性能瓶頸 |
|
貿澤與ADI合作全新電子書探索電子設計電源效率與耐用性 (2024.11.13)
貿澤電子（Mouser Electronics）與美商亞德諾（ADI）合作出版全新的電子書，重點介紹最佳化電源系統的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（為未來提供動力：實現效率和耐用性的進階電源解決方案）中，ADI和貿澤的主題專家針對電源系統中最重要的元件、架構和應用提供深入分析 |
|
三菱電機將交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片樣品 (2024.11.12)
三菱電機株式會社（Mitsubishi Electric）宣布，將開始發貨用於驅動馬達的碳化矽 （SiC) 金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）裸晶片樣品11月14日，三菱電機推出電動車（EV）、插電式混合動力車（PHEV）和其他電動車（xEV）的逆變器 |
|
意法半導體三相馬達驅動器整合評估板加速強化性能 (2024.11.11)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出三相馬達驅動器PWD5T60，搭配支援靈活控制策略的即用型評估板，可加速採用節能馬達之小尺寸以及可靠的風扇和幫浦開發速度。PWD5T60的運作電壓達500V，整合一個閘極驅動器和六個RDS(ON) 1.38?的功率MOSFET，使該元件能夠達到出色的額定能量面積比例 |
 |
SiC MOSFET：意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術 (2024.11.11)
意法半導體中國及APeC車用SiC產品部門經理Gaetano Pignataro分享了他對碳化矽（SiC）市場的觀點、行業面臨的挑戰以及ST應對不斷增長需求的策略。 |
|
英飛凌推出EiceDRIVER 125 V高側閘極驅動器 故障即時保護電池 (2024.11.07)
在電機驅動和開關模式電源（SMPS）等電池供電應用中，電源架構通常要求在模組發生故障時能夠斷開該模組與主電源軌的連接。為實現這一功能，往往會採用MOSFET等高側斷開開關，以防止負載短路影響電池 |
|
ROHM參展2024慕尼黑電子展以E-Mobility、車用和工控為展示主軸 (2024.11.06)
現今電子系統的需求日益成長，尤其是在永續經營和急需創新的市場方面，先進技術將成為助力。半導體製造商ROHM將於11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的2024慕尼黑電子展（electronica 2024），展示提高車用和工控中功率密度、效率和可靠性的先進功率和類比技術，並進行技術交流合作 |
|
ROHM的EcoSiC導入COSEL的3.5Kw輸出AC-DC電源產品 (2024.10.30)
半導體製造商ROHM生產的EcoSiC產品—SiC MOSFET和SiC蕭特基二極體（SBD），被日本先進電源製造商COSEL生產的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元「HFA／HCA系列」採用。強制風冷型HFA系列和傳導散熱型HCA系列均搭載ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD，實現最大的工作效率（94%） |
|
貿澤電子推新品：2024年Q3新增近7,000項元件 (2024.10.29)
貿澤電子（Mouser Electronics）協助客戶加快產品上市速度。貿澤受到超過1,200個半導體及電子元件製造商品牌的信賴，幫助他們將新產品賣到全世界。貿澤為客戶提供100%通過認證的原廠產品，而且還能追蹤這些產品自離開製造商工廠以後的完整路線 |
|
Nexperia的AC/DC反激式控制器可實現更高功率密度 (2024.10.29)
控制器可提高電源效率並降低待機功耗
Nexperia推出一系列新AC/DC反激式控制器，擴展電源IC產品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基於GaN的反激式轉換器而設計，用於PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業電源和輔助電源等設備及其他需要高功率密度的AC/DC轉換應用 |
|
英飛凌CoolSiC蕭特基二極體2000 V直流母線電壓最高可達1500 VDC (2024.10.28)
許多工業應用如今可以透過提高直流母線電壓以求功率損耗最低時，也朝向更高的功率水準。因應此需求，英飛凌科技（Infineon）推出CoolSiC蕭特基二極體2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立式SiC二極體，適用於直流母線電壓高達1500 VDC的應用，額定電流為10 A 至80 A，符合光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用 |
|
意法半導體新款750W馬達驅動參考板適用於家用和工業設備 (2024.10.27)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新款EVLDRIVE101-HPD（高功率密度）馬達驅動參考設計在直徑僅5公分的圓形PCB電路板上整合三相閘極驅動器、STM32G0微控制器和750W功率級。該電路板的休眠模式下功耗極低 |
|
瑞薩與英特爾合作為新款Intel Core Ultra 200V系列處理器提供最佳化電源管理 (2024.10.24)
瑞薩電子（Renesas Electronics）宣布與英特爾合作推出新的電源管理解決方案，為採用Intel Core Ultra 200V系列處理器的筆記型電腦提供最佳化電池效率。
新款客製化電源管理IC（PMIC）可滿足最新一代英特爾處理器的所有電源管理需求 |
|
Vishay IGBT和MOSFET驅動器拉伸封裝可實現緊湊設計、快速開關 (2024.10.24)
Vishay Intertechnology推出兩款採用緊湊、高隔離延伸型SO-6封裝的新型IGBT和MOSFET驅動器。 Vishay Semiconductors VOFD341A和VOFD343A分別提供3 A和4 A的高峰值輸出電流，提供高達 +125 °C的高工作溫度和最大200 ns的低傳播延遲 |
|
Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極體系列 (2024.10.22)
工業技術製造公司Littelfuse推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態抑制二極體，為市場上首款非對稱瞬態抑制解決方案，專為保護碳化矽（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設計 |
|
Nexperia交流/直流反激式控制器IC可提高電源效率並降低待機功耗 (2024.10.17)
Nexperia推出一系列新的交流/直流反激式控制器，為擴展電源IC產品組合的最新成員。 NEX806/8xx和NEX8180x專為諸如供電（PD）充電器、適配器、牆壁插座、條形插座、工業電源和輔助電源以及其他需要高功率的AC/DC轉換應用等設備中的以GaN為基礎的反激式轉換器而設計 |
|
英飛凌HybridPACK Drive G2 Fusion結合矽和碳化矽至電動汽車先進電源模組 (2024.10.16)
英飛凌科技推出HybridPACK Drive G2 Fusion，為電動汽車領域的牽引逆變器確立新的電源模組標準。HybridPACK Drive G2 Fusion是首款結合英飛凌矽（Si）和碳化矽（SiC）技術，可隨插即用的電源模組 |
