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ROHM推出4款工業電源適用SOP封裝通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC，非常適用於工業設備的AC-DC電源。目前已有支援多種功率電晶體共4款新產品投入量產，包括低耐壓MOSFET驅動用「BD28C55FJ-LB」、中高耐壓MOSFET驅動用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驅動用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驅動用「BD28C57HFJ-LB」 |
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英飛凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源功效 (2024.06.26)
隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，伺服器電源（PSU）必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，因為高階 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上 |
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ROHM首創低功耗類比數位融合控制電源解決方案 (2024.05.09)
半導體製造商ROHM針對中小功率（30W～1kW級）的工業和消費性電子設備， 開始供應LogiCoA電源解決方案，將能以類比控制電源等級的低功耗和低成本，實現與全數位控制電源同等功能 |
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CGD的GaN單晶片 獲台積電歐洲創新區最佳展示獎 (2023.10.15)
Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系統單晶片 (SoC) 在台積電( TSMC) 2023 年歐洲技術研討會創新區榮獲「最佳展示」獎。
CGD是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，專門開發多種節能GaN型功率裝置，旨在實現更環保的電子元件 |
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ROHM推出EcoGaN Power Stage IC 可助減少應用損耗及實現小型化 (2023.09.04)
近年來消費性電子和工控設備的電源在節能方面的要求升高，以期實現永續發展，因而能夠幫助提高功率轉換效率和實現元件小型化的GaN HEMT受到關注。但與Si MOSFET比較之下，GaN HEMT的閘極處理較為困難，必須與驅動閘極用的驅動器結合使用 |
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高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET應用效能 (2023.08.01)
本文重點介紹Littelfuse提供2 kV以上的高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET。 |
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Qorvo推出750V SiC FET 封裝D2PAK-7L提供更大靈活性 (2022.07.27)
Qorvo今日宣佈推出採用表面貼裝D2PAK-7L封裝的七款750V碳化矽（SiC）FET，借助此封裝選項，Qorvo SiC FET可為車載充電器、軟切換DC/DC轉換器、電池充電（快速DC和工業）以及IT/伺服器電源等快速增長應用量身客制，能夠為在熱增強型封裝中實現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益高功率應用提供更佳解決方案 |
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功率半導體元件的主流爭霸戰 (2022.07.26)
多年來，功率半導體以矽為基礎，但碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現，讓功率半導體元件的應用更為多元。 |
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下半年8吋基板將量產 第三類功率半導體2025年CAGR達48% (2022.03.10)
據TrendForce研究推估，第三類功率半導體產值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長至47.1億美元，年複合成長率達48%。
SiC適合高功率應用，如儲能、風電、太陽能、電動車、新能源車等對電池系統具高度要求的產業 |
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【東西講座】活動報導：功率模組就是電子驅動系統的心臟 (2021.11.14)
由CTIMES主辦的【東西講座】，上週五（11/12）舉行了「讓電動機車跑得更快、更遠」講題，由工研院電光系統所組長張道智博士擔任講師。他以電動載具應用的電子電力技術作為主軸，剖析功率元件對於電動載具的驅動和電控性統的重要性 |
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從原理到實例：詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET為例，分析其效率和散熱能力方面的優勢，並說明如何使用此類元件進行設計。 |
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ROHM推出內建1700V SiC MOSFET小型表面封裝AC/DC轉換IC (2021.06.17)
隨著節能意識的提高，在交流400V工控裝置領域，與現有的Si功率半導體相比，SiC功率半導體支援更高電壓，且更節能、更小型，因此相關應用也越來越廣泛。另一方面，工控裝置中 |
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馬達變頻器內的關鍵元件: 功率半導體 (2021.04.20)
全球工業產業消耗的能源量預期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來提升驅動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。 |
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英飛凌全新閘極驅動IC 簡化工業環境的MOSFET設計 (2020.12.17)
英飛凌科技推出EiceDRIVER X3 Enhanced類比(1ED34xx)和數位(1ED38xx)閘極驅動IC，提供3、6和9A的典型輸出電流，具有精密的短路偵測以及米勒鉗制和軟關斷等功能。
1ED34xx還可透過加裝外部電阻，提供可調整的去飽和濾波器時間和軟關斷電流 |
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Toshiba Launches 1200V Silicon Carbide MOSFET That Contributes to High-efficiency Power Supply (2020.10.19)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation has launched “TW070J120B,” a 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET for industrial applications that include large capacity power supply. Shipments start today.
The power MOSFET using the SiC, a new material, achieves high voltage resistance, high-speed switching, and low On-resistance compared to conventional silicon (Si) MOSFET, IGBT products |
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安森美半導體推出900V和1200V SiC MOSFET 用於高要求高增長應用 (2020.03.11)
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)推出另兩個碳化矽(SiC)MOSFET系列，擴展了其寬能隙(WBG)元件系列。這些新元件適用於各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不斷電電源設備(UPS)、伺服器電源和EV充電站，提供的性能水準是矽(Si)MOSFET根本無法實現的 |
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內建SiC MOSFET AC/DC轉換IC 大幅縮小交流400V工控裝置 (2019.05.22)
ROHM研發出全球首款內建SiC MOSFET的AC/DC轉換IC，將加速SiC MOSFET AC/DC轉換器在工業領域的普及。 |
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ROHM推出全球首創內建1700V SiC MOSFET AC/DC轉換IC (2019.04.18)
ROHM今日宣布針對大功率通用變流器、AC伺服器、工業用空調、街燈等工控裝置，研發出內建1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC IC「BM2SCQ12xT-LBZ」。
「BM2SCQ12xT-LBZ」是世界首款內建高度節能性的SiC MOSFET AC/DC轉換IC，克服了離散式結構所帶來的設計課題，因此可輕易地研發出節能型AC/DC轉換器 |
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UnitedSiC發布全新UF3C FAST碳化矽FET系列產品 (2018.11.06)
碳化矽（SiC）功率半導體製造商UnitedSiC宣布推出採用標準TO-247-3L封裝之UF3C FAST系列650V和120V高性能碳化矽FET。相較現有UJC3系列，FAST系列具有更快的切換速度和更高的效率水準 |
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ROHM創新SiC驅動用AC/DC轉換控制IC (2015.05.12)
ROHM全新研發能將尖端SiC功率半導體性能發揮至極致的AC/DC轉換器控制IC。研發出在處理大功率（高電壓×大電流）之變頻器與伺服馬達等工具機上被採用之SiC-MOSFET驅動用AC/DC轉換器控制IC─BD7682FJ-LB |
