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ROHM推出4款工业电源适用SOP封装通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC，非常适用於工业设备的AC-DC电源。目前已有支援多种功率电晶体共4款新产品投入量产，包括低耐压MOSFET驱动用「BD28C55FJ-LB」、中高耐压MOSFET驱动用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驱动用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驱动用「BD28C57HFJ-LB」 |
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英飞凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源功效 (2024.06.26)
随着人工智慧（AI）处理器对功率的要求日益提高，伺服器电源（PSU）必须在不超出伺服器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，因为高阶 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每颗高阶 GPU 晶片的能耗可能达到 2千瓦或以上 |
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ROHM首创低功耗类比数位融合控制电源解决方案 (2024.05.09)
半导体制造商ROHM针对中小功率（30W～1kW级）的工业和消费性电子设备， 开始供应LogiCoA电源解决方案，将能以类比控制电源等级的低功耗和低成本，实现与全数位控制电源同等功能 |
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CGD的GaN单晶片 获台积电欧洲创新区最隹展示奖 (2023.10.15)
Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系统单晶片 (SoC) 在台积电( TSMC) 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获「最隹展示」奖。
CGD是一家无晶圆厂洁净技术半导体公司，专门开发多种节能GaN型功率装置，旨在实现更环保的电子元件 |
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ROHM推出EcoGaN Power Stage IC 可助减少应用损耗及实现小型化 (2023.09.04)
近年来消费性电子和工控设备的电源在节能方面的要求升高，以期实现永续发展，因而能够帮助提高功率转换效率和实现元件小型化的GaN HEMT受到关注。但与Si MOSFET比较之下，GaN HEMT的闸极处理较为困难，必须与驱动闸极用的驱动器结合使用 |
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高压分离式功率元件HV Si-MOSFET应用效能 (2023.08.01)
本文重点介绍Littelfuse提供2 kV以上的高压分离式功率元件HV Si-MOSFET。 |
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Qorvo推出750V SiC FET 封装D2PAK-7L提供更大灵活性 (2022.07.27)
Qorvo今日宣布推出采用表面贴装D2PAK-7L封装的七款750V碳化矽（SiC）FET，借助此封装选项，Qorvo SiC FET可为车载充电器、软切换DC/DC转换器、电池充电（快速DC和工业）以及IT/伺服器电源等快速增长应用量身客制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益高功率应用提供更隹解决方案 |
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功率半导体元件的主流争霸战 (2022.07.26)
多年来，功率半导体以矽为基础，但碳化矽（SiC）、氮化??（GaN）等第三类半导体材料出现，让功率半导体元件的应用更为多元。 |
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下半年8寸基板将量产 第三类功率半导体2025年CAGR达48% (2022.03.10)
据TrendForce研究推估，第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，至2025年将成长至47.1亿美元，年复合成长率达48%。
SiC适合高功率应用，如储能、风电、太阳能、电动车、新能源车等对电池系统具高度要求的产业 |
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【东西讲座】活动报导：功率模组就是电子驱动系统的心脏 (2021.11.14)
由CTIMES主办的【东西讲座】，上周五（11/12）举行了「让电动机车跑得更快、更远」讲题，由工研院电光系统所组长张道智博士担任讲师。他以电动载具应用的电子电力技术作为主轴，剖析功率元件对于电动载具的驱动和电控性统的重要性 |
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从原理到实例：详解SiC MOSFET如何提高电源转换效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET为例，分析其效率和散热能力方面的优势，并说明如何使用此类元件进行设计。 |
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ROHM推出内建1700V SiC MOSFET小型表面封装AC/DC转换IC (2021.06.17)
随着节能意识的提高，在交流400V工控装置领域，与现有的Si功率半导体相比，SiC功率半导体支援更高电压，且更节能、更小型，因此相关应用也越来越广泛。另一方面，工控装置中 |
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马达变频器内的关键元件: 功率半导体 (2021.04.20)
全球工业产业消耗的能源量预期到 2040 年将成长一倍。随着对能源成本和资源有限的意识不断提高，未来提升驱动马达用电效率的需求将会越来越显著。 |
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英飞凌推出EiceDRIVER X3 Enhanced系列 提高设计弹性并降低硬体复杂度 (2020.12.17)
英飞凌科技推出EiceDRIVER X3 Enhanced类比(1ED34xx)和数位(1ED38xx)闸极驱动IC，提供3、6和9A的典型输出电流，具有精密的短路侦测以及米勒钳制和软关断等功能。
1ED34xx还可透过加装外部电阻，提供可调整的去饱和滤波器时间和软关断电流 |
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Toshiba Launches 1200V Silicon Carbide MOSFET That Contributes to High-efficiency Power Supply (2020.10.19)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation has launched “TW070J120B,” a 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET for industrial applications that include large capacity power supply. Shipments start today.
The power MOSFET using the SiC, a new material, achieves high voltage resistance, high-speed switching, and low On-resistance compared to conventional silicon (Si) MOSFET, IGBT products |
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安森美半导体推出900V和1200V SiC MOSFET 用於高要求高增长应用 (2020.03.11)
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)推出另两个碳化矽(SiC)MOSFET系列，扩展了其宽能隙(WBG)元件系列。这些新元件适用於各种高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不断电电源设备(UPS)、伺服器电源和EV充电站，提供的性能水准是矽(Si)MOSFET根本无法实现的 |
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内建SiC MOSFET AC/DC转换IC 大幅缩小交流400V工控装置 (2019.05.22)
ROHM研发出全球首款内建SiC MOSFET的AC/DC转换IC，将加速SiC MOSFET AC/DC转换器在工业领域的普及。 |
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ROHM推出全球首创内建1700V SiC MOSFET AC/DC转换IC (2019.04.18)
ROHM今日宣布针对大功率通用变流器、AC伺服器、工业用空调、街灯等工控装置，研发出内建1700V耐压SiC MOSFET的AC/DC IC「BM2SCQ12xT-LBZ」。
「BM2SCQ12xT-LBZ」是世界首款内建高度节能性的SiC MOSFET AC/DC转换IC，克服了离散式结构所带来的设计课题，因此可轻易地研发出节能型AC/DC转换器 |
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UnitedSiC发布全新UF3C FAST碳化矽FET系列产品 (2018.11.06)
碳化矽（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出采用标准TO-247-3L封装之UF3C FAST系列650V和120V高性能碳化矽FET。相较现有UJC3系列，FAST系列具有更快的切换速度和更高的效率水准 |
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ROHM创新SiC驱动用AC/DC转换控制IC (2015.05.12)
ROHM全新研发能将尖端SiC功率半导体性能发挥至极致的AC/DC转换器控制IC。研发出在处理大功率（高电压×大电流）之变频器与伺服马达等工具机上被采用之SiC-MOSFET驱动用AC/DC转换器控制IC─BD7682FJ-LB |
