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Diodes新型高壓二極管陣列足以抵擋電話線路瞬變 (2010.03.03)
Diodes近日推出MMBD5004BRM四重開關二極管陣列，該元件的額定擊穿電壓為400V，能夠針對直接存取配置（DAA）調變解調器尖塞和振鈴電話線路介面，以及綜合離線整流應用環境的需要，抵擋最嚴峻的電話線路瞬變 |
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IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET (2009.05.06)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列新型邏輯電平閘極驅動溝道HEXFET功率MOSFET，它們具有基準通態電阻（RDS（on））及高封裝電流額定值，適用於高功率DC馬達和電動工具、工業用電池及電源應用 |
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IR全新基準MOSFET提升60%封裝電流額定值 (2008.12.22)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出具備高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用於工業用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。
新元件的封裝電流額定值達到195A，較典型封裝電流額定值高出60% |
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IR新200V DirectFET MOSFET提供高達95%效率 (2006.11.23)
功率半導體和管理方案廠商–國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出IRF6641TRPbF功率MOSFET，以IR的基準DirectFET封裝技術配合IR最新的200V HEXFET MOSFET矽技術，達致95%的效率 |
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Vishay新型電感器問世 (2005.10.04)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出一款新型電感器，從而擴展了其IHLP超薄高電流電感器系列。該器件採用面積為0.402英寸×0.402英寸(10.2毫米×10.2毫米)、高度為0.157英寸(4.0毫米)的超薄封裝，並且具有最低的DCR/µH |
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泰科電子推出全新電子晶片保險絲 (2004.11.18)
泰科電子Raychem電子部推出適用於筆記型電腦、多媒體設施、行動電話與其他可攜式電子設備的全新系列電子晶片保險絲。這款快斷式保險絲能夠提供高達125伏特交流電的直流電源系統完善的過電流保護，並有助於開發更可靠與高性能的消費性電子產品 |
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快捷1200V IGBT模組實現低功率損耗 (2004.09.29)
快捷半導體(Fairchild Semiconductor)推出兩種新型1200V IGBT模組 --FMG2G50US120 和FMG2G75US120，電流額定值分別為50A和75A，具有最佳化的導通損耗 (VCE(sat)) 對斷開關損耗 (Eoff) 比，提供非常低的總體功率損耗，適用範圍涵蓋焊接設備、不斷電系統 (UPS)，以及工作頻率在10kHz-30kHz的普通變頻器 |
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泰科發佈LVR系列PolySwitch可復式元件的新產品 (2004.05.25)
泰科電子Raychem電子部門發佈了其LVR系列PolySwitch可復式元件的新產品。此款新元件能將最大工作電流額定值從400毫安提高到了550毫安，以保護電子元件免受過電流和過熱故障所引起的損壞 |
