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電動壓縮機設計—ASPM模組 (2024.04.25)
電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件，對電驅動系統的溫度控制發揮著重要作用，本文重點探討逆變電路ASPM模組方案。 |
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意法半導體GaN驅動器整合電流隔離功能 兼具安全性和可靠性 (2023.11.13)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵（GaN）電晶體閘極驅動器，新款STGAP2GS縮小了晶片尺寸，同時降低物料清單成本，能夠滿足應用對寬能隙晶片的效能以及安全性和電氣保護的更高需求 |
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CGD、群光電能與劍橋大學共組GaN生態系統 開發先進高功率方案 (2023.11.06)
英商劍橋氮化鎵元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家專注於研發高效能氮化鎵（GaN）功率元件的半導體公司，致力於打造更環保的電子元件。近日與台灣的電力電子系統整合方案供應商群光電能（Chicony Power Technology）、英國劍橋大學技術服務部（CUTS）簽署一項三方協議 |
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SiC Traction模組的可靠性基石AQG324 (2023.10.13)
在汽車功率模組的開發過程中，由歐洲電力電子中心主導的測試標準—AQG324非常重要，只有完成根據它的測試規範設計的測試計畫，才能得到廣大的車廠認可，而汽車級SiC功率模組也必須通過AQG324的測試規範 |
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CGD推出ICeGaN 650 V氮化鎵HEMT系列產品 (2023.05.12)
Cambridge GaN Devices（CGD）今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化鎵 HEMT 系列產品，提供領先業界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 採用 CGD 的智慧閘極介面，幾乎消除一般 E 模式 GaN 的各種弱點，大幅加強過電壓耐用性、提供更高的抗雜訊閾值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保護效果 |
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CGD開發GaN高能效功率裝置 協助打造環保電子產品 (2023.04.10)
無晶圓廠無塵技術半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化鎵 （GaN）開發出多款高能效功率裝置，協助打造出更為環保的電子產品；CGD 宣布由學術研究機構維吉尼亞理工大學進行的獨立第三方研究表現，CGD 的 ICeGaN氮化鎵技術較其他氮化鎵平台更具可靠性及堅固性 |
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貿澤和TE Connectivity出版最新電子書 分析智慧車載系統設計 (2023.03.22)
貿澤電子（Mouser Electronics）宣佈與TE Connectivity合作出版最新的電子書，書中將重點介紹智慧車載系統設設計中必然會遇到的挑戰。
在7 Experts on Design Considerations for Fleet Telematics（7位專家聯手獻策：智慧車載系統設計考量）這本書中 |
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ST推出ACEPACK SMIT功率元件封裝 提升散熱效率 (2023.01.17)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出多種常用橋式拓撲的ACEPACK SMIT封裝功率半導體元件。相較於傳統穿孔型封裝，意法半導體先進之ACEPACK SMIT封裝能夠簡化組裝製程，提升模組的功率密度 |
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達梭與三星重工合建數位造船廠 回應國際能源迫切需求 (2022.12.27)
面對國際因俄烏戰火帶來新一波能源危機，帶動國際造船需求。達梭系統（Dassault Systemes）今（27）日宣佈與高科技造船領域全球領導者三星重工（Samsung Heavy Industries）簽署合作備忘錄（Memorandum of Understanding；MOU），雙方將以數位轉型所實現的新技術為基礎，合作建設「智慧造船廠」，並將其打造成具備競爭優勢的全數位化造船廠 |
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台灣團隊創新研發佳績 2023 ISSCC入選23篇論文搶先發表 (2022.11.15)
國際固態電路研討會（International Solid-State Circuits Conference；ISSCC）向來有IC設計領域奧林匹克大會之稱，將於2023年2月19日至23日在美國舊金山舉行。台灣共有23篇論文入選，不僅較2022年多8篇獲選，同時創下近五年來獲選論文數量最多的佳績！展現台灣先進半導體與固態電路領域技術研發的實力斐然 |
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以碳化矽技術牽引逆變器 延展電動車行駛里程 (2022.11.14)
半導體技術革命催生了新的寬能隙元件，例如碳化矽（SiC）MOSFET功率開關，使得消費者對電動車行駛里程的期望，與OEM在成本架構下實現縮小里程之間的差距。 |
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以碳化矽MOSFET實現閘極驅動器及運作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驅動方式與傳統的矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體（IGBT）不同，本文敘述在碳化矽應用進行閘極驅動時，設計人員如何確保驅動器具備足夠的驅動能力。 |
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英飛凌助力台達雙向逆變器 化EV為家庭緊急備用電源 (2022.08.03)
英飛凌宣布旗下CoolSiC產品獲得台達電子（Delta Electronics）選用，助力台達朝向利用綠色電力實現能源轉型與碳中和的目標邁出了一大步。
台達成功開發出的雙向逆變器，透過結合太陽能發電、儲能與電動車（EV）充電的三合一系統，讓電動車搖身一變成為家用緊急備用電源 |
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ST發表全新MDmesh MOSFET 提升功率密度與效能 (2022.06.08)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲極功率MOSFET電晶體適用於設計資料中心服務器、5G基礎建設、平面電視的交換式電源供應器（Switched-Mode Power Supply，SMPS） |
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英飛凌推出1700 V TRENCHSTOP IGBT7的EconoDUAL 3模組 (2022.05.31)
英飛凌科技股份有限公司近日發佈了採用EconoDUAL 3標準工業封裝的全新1700 V TRENCHSTOP IGBT7模組。憑藉這項全新的晶片技術，EconoDUAL 3模組可提供業界領先的900 A和750 A額定電流，進一步拓展逆變器的功率範圍 |
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英飛凌推出650 V CoolSiC MOSFET 展現極高系統可靠性 (2022.04.01)
英飛凌科技股份有限公司推出650 V CoolSiC MOSFET系列新產品。該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。
這些SiC元件採用英飛凌先進的SiC溝槽式工藝、精簡的D2PAK表面貼裝 7 引腳封裝和 |
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意法半導體全新兩款雙通道閘極驅動器簡化電路設計 (2022.02.21)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新推出兩款雙通道電氣隔離IGBT和碳化矽（SiC）MOSFET閘極驅動器，能在高壓電力轉換和工業應用中節省空間，簡化SiC和IGBT開關電路設計。
IGBT驅動器STGAP2HD和SiC MOSFET驅動器STGAP2SICD利用意法半導體最新的電氣隔離技術，並採用SO-36W寬體封裝，可承受6kV瞬態電壓 |
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東捷MES串連OT到DT解決方案 助金屬加工業轉型工業4.0 (2022.02.17)
受到當今全球疫情對於產業供應鏈的衝擊，不僅改變製造業的營運模式，也加速傳產金屬加工業發展智慧製造、AI與大數據分析等應用，力求朝向工業4.0數位化轉型。但長期深耕企業數位轉型服務的東捷資訊特別呼籲金屬加工業 |
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泵浦利用智慧傳感延伸價值 (2021.12.28)
因應當前國際淨零碳排趨勢，除了在工業上帶來龐大節能省水壓力，未來還有商業上智慧城市及建築等應用領域，亟待流體機械設備廠商支援。 |
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英飛凌全新 EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200 V單通道閘極驅動器系列 (2021.12.22)
英飛凌科技，推出了EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V 單通道閘極驅動器IC系列。新產品系列旨在提高CoolGaN肖特基閘極（SG）HEMT的性能，但也相容於其他GaN HEMT和矽MOSFET。閘極驅動器的目標鎖定廣泛應用，包括DC-DC轉換器、馬達驅動器、電信、伺服器、機器人、無人機、電動工具以及 D 類音訊放大器等 |
