CTIMES - 搜尋：Schottky

英飛凌CoolSiC蕭特基二極體2000 V直流母線電壓最高可達1500 VDC (2024.10.28)
許多工業應用如今可以透過提高直流母線電壓以求功率損耗最低時，也朝向更高的功率水準。因應此需求，英飛凌科技（Infineon）推出CoolSiC蕭特基二極體2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立式SiC二極體，適用於直流母線電壓高達1500 VDC的應用，額定電流為10 A 至80 A，符合光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用

JEOL推出新款Schottky Field Emission Scanning Electron Microscope JSM-IT810 (2024.07.30)
從觀察到分析都可以輕鬆、準確、快速、高效使用的儀器，逐漸成為現代人的需求。JEOL公司近日發佈新款Schottky Field Emission Scanning Electron Microscope JSM-IT810。JSM-IT810利用自動化技術提高了從儀器調整到觀察和分析的操作效率

Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極體。Vishay器件採用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流，有助於提升開關電源設計能效和可靠性

Nexperia汽車級肖特基二極體採用R2P DPAK 封裝 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二極管現已通過汽車認證PSC1065H-Q，並採用真正的雙引腳（R2P） DPAK （TO -252-2）封裝，適合於電動車和其他汽車的各種應用。此外，為了擴展 SiC 二極體產品組合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 額定電流為 6A、16A 和 20A 的工業級裝置-2 包裝有利於更大的設計靈活性

Diodes推出首款極小DSN1406 2A 封裝的肖特基整流器 (2024.03.21)
Diodes 公司發佈特基整流器系列，包括SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) ，在同級產品中實現了極高的電流密度，以低順向壓降和熱阻的特性，為體積更小且更有效率的可攜式、行動和穿戴式設備克服了設計難題

新一代單片式整合氮化鎵晶片 (2022.05.05)
氮化鎵或氮化鋁鎵（AlGaN）的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場，結合HEMT的電晶體結構，就能打造新一代的元件與晶片。

Diodes推出超小型CSP蕭特基整流器可節省電路板空間 (2022.05.04)
Diodes公司（Diodes）宣布推出一系列以超小型晶片級封裝（CSP）的高電流蕭特基（Schottky）整流器，SDM5U45EP3（5A、45V）、SDM4A40EP3（4A、40V）及SDT4U40EP3（4A、40V）達到業界同級最高電流密度，滿足市場對於尺寸更小、更高功率的電子系統需求

Littelfuse新增1700 V碳化矽蕭特基阻障二極體提供更快和低損耗開關 (2021.08.17)
Littelfuse公司今（17）日宣佈擴充其碳化矽（SiC）二極體產品組合，新增1700 V級產品適用於資料中心、建築物自動化和其他高功率電子應用。LSIC2SD170Bxx系列碳化矽蕭特基二極體採用TO-247-2L封裝，可選擇額定電流10A、25A或50A

電源元件市場高成長激化品牌創新與縱橫合作 (2020.12.02)
再生能源、智慧運算與無線互聯的科技願景當前，尋獲最適的新興材料、元件架構與系統設計，成為全球電源元件供應大廠爭相追求的火種—迸發創新的束束火光，已然在全球前沿電力電子市場發散熱力

Microchip推出最新車用700和1200V碳化矽蕭特基二極體 (2020.10.29)
汽車電氣化浪潮正席捲全球，電動汽車搭載的馬達、車載充電器和DC/DC轉換器等高壓汽車系統都需要碳化矽（SiC）等創新電源技術。Microchip今日宣佈推出最新通過認證的700和1200V碳化矽（SiC）蕭特基二極體（SBD）功率元件，為電動汽車（EV）系統設計人員提供了符合嚴苛汽車品質標準的解決方案，同時支援豐富的電壓、電流和封裝選項

Toshiba Launches 1200V Silicon Carbide MOSFET That Contributes to High-efficiency Power Supply (2020.10.19)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation has launched “TW070J120B,” a 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET for industrial applications that include large capacity power supply. Shipments start today. The power MOSFET using the SiC, a new material, achieves high voltage resistance, high-speed switching, and low On-resistance compared to conventional silicon (Si) MOSFET, IGBT products

綠能重大突破！台灣研究團隊開發新型光電化學製氫技術 (2020.02.12)
在科技部「尖端晶體材料開發及製作計畫」長期的支持下，由臺灣大學陳俊維教授，臺灣科技大學黃炳照教授與東海大學王迪彥教授所組成之跨校際之「新世代能源研究團隊」，最近在再生潔淨能源相關之研究，「利用太陽能轉換氫能」相關議題，有重大之突破：研發出以原子層材料石墨烯與矽基材料結合之新型的光電化學製氫技術

新款200V耐壓蕭特基二極體有效降低功耗並實現小型化設計 (2019.08.27)
近年來，在48V輕度混合動力驅動系統中，將馬達和週邊零件集中在一個模組內的「機電一體化」已成為趨勢，而能夠在高溫環境下工作的高耐壓、高效率超低IR[1]蕭特基二極體[2]（簡稱SBD）之需求也日益增加

解決7奈米以上CMOS的接觸電阻挑戰 (2019.06.11)
隨著新型鈦矽化技術的發展，來自愛美科（imec）的博士生Hao Yu，介紹了改進源/汲極接觸方案，這將能解決先進CMOS技術接觸電阻帶來的挑戰。

安森美半導體將於歐洲PCIM 2019推出新款IGBT產品 (2019.04.30)
安森美半導體（ON Semiconductor）將於5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基於碳化矽（SiC）的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅動器。 AFGHL50T65SQDC採用最新的場截止IGBT和SiC蕭特基二極體（Schottky Diode）技術

Wolfspeed推出首個滿足汽車AEC-Q101標準的SiC器件系列 (2018.08.09)
科銳旗下Wolfspeed宣佈推出E-系列碳化矽（SiC）半導體器件，這一新型產品家族針對電動汽車EV和可再生能源市場，能夠為車載汽車功率轉換系統、非車載充電、太陽能逆變器和其它戶外應用提供目前最高的功率密度和長期可靠性

東芝推出最新低熱阻及低逆向電流之肖特基二極體 (2018.07.16)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出新型肖特基障壁二極體產品CUHS10F60，主要用於電源電路整流和回流預防等應用。 CUHS10F60在其新開發的US2H封裝中採用105°C/W低熱阻，封裝代碼為SOD-323HE，該封裝的熱阻較傳統USC封裝降低約50%，散熱效果更佳

Littelfuse SiC蕭特基二極體降低能源成本和空間要求 (2018.06.30)
Littelfuse新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247蕭特基二極體和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263蕭特基二極體，擴充其碳化矽電源半導體產品組合。相比矽二極體，GEN2碳化矽蕭特基二極體可顯著降低開關損耗，並大幅提高電力電子系統的效率和可靠性

[Datasheet] LT8672-[Datasheet] LT8672 (2018.06.29)
[Datasheet] LT8672

[英文新聞稿] Active Rectifier Controller with Reverse Protection-[英文新聞稿] Active Rectifier Controller with Reverse Protection (2018.06.29)
[英文新聞稿] Active Rectifier Controller with Reverse Protection