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中國LCD零組件供應鏈趨完善 2017年一線廠商壓力驟增 (2016.12.20)
TrendForce旗下光電事業處WitsView最新研究顯示，隨著一座座大世代（8代線以上）的LCD（液晶）產線在中國量產，中國零組件廠商的佈局速度也跟著加快，如玻璃基板與偏光片等，2017年將試圖挑戰國際一線大廠 |
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Cadence與英特爾合作發表14nm元件庫特性分析參考流程 (2015.03.23)
Cadence Virtuoso Liberate特性分析解決方案與Spectre電路模擬器共同實現精準的14nm邏輯元件庫
益華電腦（Cadence）與英特爾（Intel）宣布，兩家公司聯手提供英特爾專業代工（Intel Custom Foundry）客戶專屬的14nm （奈米）元件庫特性分析參考流程，在實現英特爾14nm平台專屬數位與客製/類比流程方面繼續合作 |
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FPGA業者種樹 英特爾、Fabless乘涼 (2013.09.30)
從28奈米到現在的20奈米、16奈米FinFET，
再到英特爾14奈米三閘極電晶體製程，FPGA的技術競逐，
多少可以猜出英特爾與一線Fabless業者的後續動向。 |
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Mouser 現貨供應第 4 代 Intel Core 處理器 (2013.08.26)
Mouser Electronics 開始供貨第 4 代 Intel Core 處理器 (原名 Haswell)，此新一代產品採用 22 奈米架構及 Tri-Gate 技術，提供最大化的每瓦效能。 支援彈性化的設計，適合應用於桌上型電腦、行動裝置或嵌入式產品 |
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採用三閘極3D技術的新一代FPGA (2013.07.07)
2013年2月，Altera和英特爾(Intel)共同宣佈新一代Altera的高性能FPGA產品將獨家採用英特爾的14奈米3D三閘極電晶體技術。這代表著FPGA也已跨入3D電晶體世代了。
全球領先的半導體公司都不斷地針對3D電晶體結構進行最佳化和可製造性研究 |
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英特爾製程加持 Altera打造地表最強FPGA (2013.06.13)
FPGA市場瞬息萬變，晶片商無時無刻均在為產品的最佳化做出努力。當然，對於半導體晶片來說，透過先進製程技術的採用，以及電路架構設計的突破，仍是為晶片帶來更高效能與更低功耗的不二法門 |
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美高森美選擇英特爾代工服務開發數位積體電路 (2013.05.09)
致力於提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司宣佈利用英特爾公司(紐約納斯達克交易所代號：INTC)業界領先的onshore代工技術和使用英特爾革新性22 奈米 (nm) 3D、三閘(Tri-Gate)電晶體技術，開發先進的高性能數位積體電路(IC)和系統單晶片(SoC)解決方案 |
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Intel再推低功耗高效能Silvermont新軍 (2013.05.08)
為了對抗ARM勢力陣營，Intel可說是在微處理器領域卯足的全力，近日，針對行動裝置設備，發表了全新以22nm製程技術打造的Atom SoC處理器－「Silvermont」，最高可支援8核心，同時採用3D三閘電晶體（Tri-Gate）技術，強調更省電、效能加倍，並且能夠廣泛應用在智慧手機、平板電腦、微型伺服器、入門款電腦、車載影音系統 |
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16nm/14nm FinFET：開闢電子技術新疆界 (2013.03.27)
FinFET技術是電子業界的新一代先進技術，是一種新型的多重閘極3D電晶體，提供更顯著的功耗和效能優勢，遠勝過傳統平面型電晶體。Intel已經在22nm上使用了稱為「三閘極(tri-gate)」的FinFET技術，同時許多晶圓廠也正在準備16奈米或14奈米的FinFET製程 |
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Inte低功耗Atom S1200 向ARM宣戰 (2012.12.12)
隨著雲端運算持續成長，巨量資料應用隨之興起，使的資料中心業者必須面臨不斷增加的設備擴建成本及營運成本。因此，效能更高、耗電量更低的微型伺服器（Microserver）開始受到關注，並逐漸取代傳統資料中心 |
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Intel 22奈米Soc行動晶片 明年蓄勢待發 (2012.12.12)
面對行動裝置設備這塊大餅，Intel最近可說是動作頻頻，不僅對外宣布採用的新一代Tri-Gate 3D立體電晶體技術架構的22奈米製程技術，已經能夠生產智慧手機與平板電腦所使用的SoC，並預計將於2013年年中運用此製程技術開始量產Atom處理器 |
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NB處理器架構大戰一觸即發 (2012.12.07)
WOA風雨欲來，將正面挑戰Intel長期以來的霸業。
當然，Intel也不是省油的燈，其處理器的能耗表現愈做愈好，
Intel迎戰WOA的下一個功課，將是做好SOC的策略佈局。 |
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[Gartner評析] WOA山雨欲來 Intel能否招架？ (2012.09.10)
ARM架構系統單晶片已在智慧手機市場嚐到成功滋味，進而廣為平板所採用。由於ARM架構系統單晶片已在平板領域展現省電特色，再加上即將推出的ARM架構PC，ARM架構系統單晶片可望進軍次世代NB市場 |
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2012新趨勢：技術非重點、重點在於想像力！ (2011.12.26)
隨著2011年接近尾聲，Intel對外發表了2012年科技最新展望。外界最關心的當然是22奈米(nm)Tri-Gate電晶體將於明年正式應用於各種產品領域，製造業將邁入2.0十代，在美國矽谷，『融合式』與『綠色』科技新創公司數量增加超過一倍，儼然可看出未來的趨勢所在 |
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5年1500萬美元 工研院與Intel共推3D記憶體 (2011.12.06)
Intel今日（12/6）與工研院、經濟部技術處共同宣佈一項針對下世代記憶體技術的合作案，未來五年總投入金額共達一千五百萬美元。這是Intel在Ultrabook以及行動裝置的佈局，工研院將提供 IC 架構及軟體技術，目標是在五年內，將記憶體功耗節省至10倍、甚至百倍以上 |
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角的影響 SOI 三閘 FinFET 結構通過三維模擬過程及設備-角的影響 SOI 三閘 FinFET 結構通過三維模擬過程及設備 (2011.06.22)
角的影響 SOI 三閘 FinFET 結構通過三維模擬過程及設備 |
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全三維自相容量子傳輸模擬雙柵和三柵10 奈米 FinFET 元件-全三維自相容量子傳輸模擬雙柵和三柵10 奈米 FinFET 元件 (2011.06.22)
全三維自相容量子傳輸模擬雙柵和三柵10 奈米 FinFET 元件 |
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全波段粒子為基礎的分析設備結構之三維三柵極場效應管-全波段粒子為基礎的分析設備結構之三維三柵極場效應管 (2011.06.22)
全波段粒子為基礎的分析設備結構之三維三柵極場效應管 |
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採三閘極製程 Intel超級運算晶片明年現身 (2011.06.21)
英特爾在德國漢堡所舉行的國際超級運算大會（ISC）上宣佈，支援每秒百萬兆次（exascale）的超級運算架構MIC，將在2012年正式進入市場化階段，預計到2018年，支援平行運算的百萬兆次超級電腦將可進一步普及，屆時英特爾可望真正實現百萬兆次運算等級 |
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掌握平板SoC四大關鍵！ (2011.06.09)
平板裝置已成為今年全球電子產業眾所矚目的焦點，媒體平板和PC型平板之間的瑜亮情節也不斷發酵。行動系統單晶片架構正是平板裝置的重要核心。綜觀當前平板SoC發展，有四大關鍵必須密切注意，這四大關鍵將深刻影響著平板裝置的未來樣貌 |
