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Microchip的RTG4 FPGA採用無鉛覆晶凸塊技術達到最高等級太空認證 (2024.10.18)
根據美國國防後勤局（DLA）的規定，合格製造商名單（QML）Class V是太空元件的最高級別認證，並且是滿足載人、深空和國家安全計劃等最關鍵的太空任務保障要求的必要步驟 |
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英飛凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源功效 (2024.06.26)
隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，伺服器電源（PSU）必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，因為高階 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上 |
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邁入70週年愛德萬測試Facing the future together! (2024.01.15)
愛德萬測試Advantest Corporation日前發布年度預測時，以「次世代高速ATE卡」、「HA1200晶粒級分類機與M487x ATC 2kW解決方案」、「記憶體測試產品線」等最新自動化測試與量測設備產品，全面符合今年最熱門產業之各類半導體設計和生產流程，包括5G通訊、物聯網 (IoT)、自駕車，以及包括人工智慧 (AI) 和機器學習在內之高效能運算 (HPC) 等 |
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英飛凌全新 CoolMOS S7T系列整合溫度感測器性能 (2024.01.11)
英飛凌科技（Infineon）推出整合溫度感測器的全新 CoolMOS S7T 產品系列，具有出色的導通電阻和高精度嵌入式感測器，能夠提高功率電晶體接面溫度感測的精度，適用於提高固態繼電器（SSR）應用的性能和可靠性 |
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英飛凌擴展1200V 62mm IGBT7產品組合 推出全新電流額定值模組 (2023.09.18)
英飛凌科技推出搭載1200 V TRENCHSTOP IGBT7晶片的62mm半橋和共發射極模組產品組合。模組的最大電流規格高達 800A ，擴展了英飛凌採用成熟的62 mm 封裝設計的產品組合。電流輸出能力的提高為系統設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供最大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優秀的電氣性能 |
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英飛凌新一代1200V CoolSiC溝槽式MOSFET 推動電動出行的發展 (2023.07.05)
英飛凌推出採用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規級碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，並顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本 |
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艾邁斯歐司朗推出新一代OSLON Square超紅光植物照明LED (2023.06.20)
艾邁斯歐司朗今日宣布，推出了其人氣產品OSLON Square超紅光（Hyper Red）植物照明LED的新一代產品，專為提高植物生長速度而設計，並實現最優系統性價比。
艾邁斯歐司朗根據客戶需求，持續研發關鍵創新技術，提供比前代產品超紅光660 nm LED更高效的高光合光子通量（PPF）LED解決方案 |
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ROHM 1200V IGBT成功導入SEMIKRON-Danfoss功率模組 (2023.04.26)
SEMIKRON-Danfoss和半導體製造商ROHM在開發SiC（碳化矽）功率模組方面，已有十多年的良好合作關係。此次，SEMIKRON-Danfoss向低功率領域推出的功率模組中，採用了ROHM新產品—1200V IGBT「RGA系列」 |
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Diodes新款單通道高側電源切換器可設定電壓轉換速率 (2023.01.05)
Diodes公司推出新款多功能單通道高側電源切換器。AP22980 可選擇三種不同電壓轉換速率，因此能處理的電容負載更寬廣，同時維持低湧浪電流，確保系統穩定性。適用於可攜式電子設備、電腦硬體和邊緣資料中心部署的固態資料儲存系統 |
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安森美推出三款SiC功率模組 使xEV充電更快且續航里程更遠 (2022.09.29)
安森美（onsemi）今天宣佈推出三款基於碳化矽（SiC）的功率模組，採用轉注成型技術，用於所有類型電動汽車（以下簡稱「xEV」）的車載充電和高壓（以下簡稱「HV」）DCDC轉換 |
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瑞薩推出新一代用於電動汽車逆變器的矽IGBT (2022.08.30)
瑞薩電子（Renesas Electronics）宣布開發新一代矽絕緣柵雙極電晶體（Si-IGBT），以提供低功率損耗且小型的封裝。針對新一代電動汽車（EV）逆變器的AE5 IGBT將於2023年上半年開始在瑞薩位於日本那珂市工廠的200和300毫米產線上生產 |
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PCIe效能滿足功耗敏感性裝置與關鍵任務應用 (2022.07.24)
在各種裝置應用中，優越電源管理與錯誤處理能力有效提升了PCIe 功能，得以稱職勝任儲存裝置、網路、骨幹及 I/O 互連技術的可靠表現。 |
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英飛凌推出1700 V TRENCHSTOP IGBT7的EconoDUAL 3模組 (2022.05.31)
英飛凌科技股份有限公司近日發佈了採用EconoDUAL 3標準工業封裝的全新1700 V TRENCHSTOP IGBT7模組。憑藉這項全新的晶片技術，EconoDUAL 3模組可提供業界領先的900 A和750 A額定電流，進一步拓展逆變器的功率範圍 |
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汽車外部照明LED控制系統進展 (2022.04.29)
汽車照明市場繼續強勢成長，分析師Yole預測到2024年市場規模將達到388億美元。在過去幾年裡，LED在這個市場中的比重越來越大，LED車外燈已成為我們道路上熟悉的景象。 |
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英飛凌推出全新CoolSiC技術產品組合 大幅提高靈活性 (2022.04.22)
英飛凌科技股份有限公司推出全新CoolSiC技術：CoolSiC MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化矽（SiC）晶片將透過常見的Easy模組系列以及.XT互連技術的獨立封裝，建置於廣泛擴充的產品組合 |
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意法半導體車規閘極驅動器提升馬達控制的靈活性 (2022.04.21)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新推出之L9908高整合度車規三相閘極驅動單元（Gate Driver Unit，GDU）支援12V、24V或48V汽車電源系統，具有彈性的輸入輸出通道，可在傳統油車和油電混合車上實現多種應用 |
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英飛凌推出車規級EDT2 IGBT 優化分立式牽引逆變器 (2022.03.29)
英飛凌科技股份有限公司宣佈推出採用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該元件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行優化，進一步豐富英飛凌車規級分立式高壓元件的產品陣容。
得益於其出色的品質，EDT2 IGBT符合並超越車規級半導體分立元件應力測試標準AECQ101，因而能夠大幅提升逆變器系統的性能和可靠性 |
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ST第三代碳化矽技術問世 瞄準汽車與工業市場應用 (2022.03.14)
電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要，由於全球能源需求正在不斷成長，因此必須控制碳排放，並將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現這些要有科技的支援，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標 |
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Diodes新款非隔離式離線切換器可大幅降低BOM成本 (2022.03.03)
Diodes公司推出通用的 AC 高電壓輸入非隔離式離線切換器 IC，AP3928可解決使用偏壓電源供應器所面臨的相關挑戰。本產品可提供安全和可靠的電源，同時維持較高的性能數據，且可大幅節省成本 |
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Microchip擴大氮化鎵（GaN）射頻功率元件產品組合 (2021.12.02)
Microchip今日宣佈擴大其氮化鎵（GaN）射頻（RF）功率元件產品組合，推出頻率最高可達20 GHz的新款單晶微波積體電路（MMIC）和分離電晶體。這些元件同時具備高功率附加效率（PAE）和高線性度，為5G、電子作戰、衛星通訊、商業和國防雷達系統及測試設備等應用提供了新的效能水準 |
