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國研院半導體研究中心主任交接 持續扮演產業堅強後盾 (2022.10.03)
關於半導體產業的科技戰略地位重要性,從台灣半導體製造與封測產值全球第一,晶片設計全球第二可見其重要程度。面對歐美日韓中等國的強勢挑戰的關鍵時刻,國家實驗研究院今(3)日舉行台灣半導體研究中心主任交接典禮,由陽明交通大學電子研究所講座教授侯拓宏接任
力旺攜手聯電推出新興非揮發記憶體ReRAM矽智財 (2021.11.04)
力旺電子與聯電(UMC)今日宣布,力旺電子的可變電阻式記憶體(ReRAM)矽智財已成功通過聯電40奈米認證,支援消費性與工業規格之應用。 力旺電子的ReRAM矽智財於聯電40奈米製程驗證成功,充分顯示力旺不但在傳統非揮發記憶體矽智財產品線穩居領先地位,也在新興非揮發記憶體技術研發佈局有成
NOR記憶體朝向高容量、低功耗、小尺寸發展 (2020.06.09)
因為先天的架構設計差異,NOR的重要性在近期備受注目,尤其是在5G基地台、汽車電子,以及高性能的工業應用上。
展望2020年 台灣半導體產業有望演出一場好戲 (2019.12.30)
2019年最後倒數。回顧這一整年,半導體產業可說是起伏震盪,從年初的保守觀望,到最後的樂觀展望,這一路的峰迴,實在頗為戲劇。尤其這最後的收尾,給了2020年一個無比正面的訊息,預告2020年的半導體產業將會很有看頭
TrendForce:第三季NAND Flash品牌商營收季增幅僅4.4% (2018.11.19)
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新報告指出,隨著64/72層3D NAND生產良率漸趨成熟及供給持續增加,第三季NAND Flash供給穩定成長,但需求面受中美貿易戰影響,加上英特爾CPU缺貨、蘋果新機銷售不如預期等因素,導致旺季不旺,自年初以來的供給過剩仍難以消弭,NAND Flash各類產品合約價仍走跌,第三季平均價格跌幅達10-15%
Brocade針對全快閃資料中心設計推出新款第六代光纖通道控制器 (2016.07.26)
Brocade公司推出第一款針對全快閃(all-flash)資料中心設計的第六代光纖通道控制器(Gen 6 Fibre Channel director),支援任務關鍵儲存與商業耐障礙性。Brocade甫於今年三月推出第一款第六代光纖通道交換器
運用nvSRAM維持企業級SSD的可靠性 (2014.04.08)
隨著記憶體容量的增加且價格越來越便宜, 固態硬碟逐件取代傳統硬碟的使用。 以每Gigabyte(GB)成本來看,固態硬碟將更具成本效益。 分析師預測固態硬碟價位可望持續下滑,使用率亦將陸續增加
運用nvSRAM 維持企業級SSD於電源故障時的可靠性 (2013.10.04)
固態硬碟技術簡介 固態硬碟(Solid State Drives,簡稱SSD)是一種能永久儲存資料的裝置,採用固態半導體的記憶體,如快閃記憶體(NAND Flash),有別於傳統硬碟機(HDD)所使用的磁性材料
Cypress的平行式nvSRAM非揮發記憶體獲LSI青睞 打造業界首款12Gb/s SAS介面卡 (2013.09.25)
觸控感測市場領導廠商Cypress Semiconductor宣布LSI已為其新款12 Gb/s SAS介面卡(HBA)選用Cypress的平行式非揮發靜態隨機存取記憶體(nvSRAMs),這些介面卡將用在高效能伺服器、工作站、及外接式儲存系統
Cypress推出PSoC Creator 2.2 IDE新零組件 (2013.07.09)
觸控感測市場領導廠商Cypress Semiconductor針對Cypress的PSoC Creator 2.2整合設計環境(IDE)推出新零組件,可支援Cypress旗下的PSoC 3、PSoC 4以及PSoC 5LP可編程系統單晶片架構。Component Pack 6更新套件包含四個新的PSoC Components,這些預先驗證的「虛擬晶片」以圖示表示,使用者僅須將圖示拖曳到設計中並完成設定後,即可因應各種應用的需求
Cypress推出新零組件為現有PSoC元件擴增新功能 (2013.07.08)
觸控感測市場領導廠商Cypress Semiconductor針對Cypress的PSoC Creator 2.2整合設計環境(IDE)推出新零組件,可支援Cypress旗下的PSoC 3、PSoC 4以及PSoC 5LP可編程系統單晶片架構。Component Pack 6更新套件包含四個新的PSoC Components,這些預先驗證的「虛擬晶片」以圖示表示,使用者僅須將圖示拖曳到設計中並完成設定後,即可因應各種應用的需求
Ramtron採用低功耗非揮發記憶體來控制時間 (2012.04.22)
Ramtron在日前舉行的矽谷Design West/嵌入式系統會議 (Silicon Valley Design West/Embedded Systems Conference) 中發佈了新型的低功耗F-RAM記憶體產品,進一步加強公司協助客戶改善產品能效、存取速度和安全性的能力
Cypress推出新款序列非揮發靜態隨機存取記憶體 (2011.03.28)
Cypress近日宣布推出新款序列非揮發靜態隨機存取記憶體(nvSRAM),支援儀表、工業以及汽車等應用所常用的I2C與SPI介面。新款元件提供高達104MHz的運作時脈,支援各種SPI元件(I2C產品則支援至3.4MHz),並提供一款可選購的整合式即時時脈(RTC),針對備份的關鍵資料提供時戳功能
奈米鐵電技術有新法 (2010.12.21)
鐵電材料(Ferroelectric)是次世代非揮發記憶體FeRAM的關鍵成分,它是一種介電質,擁有自發性和可反轉的雙電極,能給記憶體在耐用度和讀寫功能有大幅提升。日前日本國家材料科學研究所研發出一種新的鐵電生產技術,他們利用鈣鐵奈米薄片建造出超晶格,並藉此生產極小的奈米鐵電材質,如圖
搶佔MRAM先機 韓政府攜手三星與海力士 (2009.12.01)
外電消息報導,韓國政府日前宣佈,將與三星電子及海力士合作,進行磁性隨機記憶體(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM))的研發,以維持韓國在全球記憶體產業的領先地位
力旺及韓商合作邏輯製程嵌入式非揮發記憶體 (2008.09.12)
繼本年度第一季,力旺電子與半導體製造廠商美格納(MagnaChip)共同宣佈,力旺電子開發之Neobit嵌入式非揮發性記憶體矽智財於MagnaChip邏輯及高壓製程上進行驗證,力旺電子與MagnaChip積極回應客戶之需求,佈局相關製程平台之開發,已展現具體成效
恆憶推低價、低功耗 DDR介面非揮發性RAM (2008.08.04)
記憶體廠商恆憶(Numonyx)宣佈推出 Velocity LP NV-RAM產品系列,此系列低功耗雙倍資料傳輸速率 (LPDDR) 非揮發性記憶體,不但可以提供行動電話和消費性電子產品製造商更高的記憶體效能,而且低價格
Cypress新增2-Mbit與8-Mbit nvSRAM產品 (2008.07.14)
Cypress公司發表2-Mbit與8-Mbit非揮發性靜態隨機存取記憶體(non-volatile static random access memory;nvSRAM),將Cypress的nvSRAM系列產品線從16-Kbit擴展至8-Mbit。此全新元件具備20奈秒(ns)的存取時間、無限次數的讀寫及記憶週期、還有長達20年的資料維持等產品特色
檢視STT-RAM記憶體應用優勢 (2007.10.19)
旋轉力矩轉移隨機存取記憶體(STT-RAM)是一種透過自旋電流移轉效應所開發而出的新記憶體技術,屬於非揮發性記憶體的一種,其應用優勢包括無限次數的讀寫週期、低耗電,以及運算速度更快等,更適合嵌入式設計應用
發揮FRAM的獨特優勢 (2007.04.30)
Ramtron是一家無晶圓半導體公司,該公司瞄準垂直市場之廣泛應用領域,提供設計、開發與行銷特定半導體記憶體,以及整合式半導體解決方案。Ramtron也將鐵電材質整合進入半導體產品,而開發出新層次的非揮發記憶體產品,也就是鐵電隨機存取記憶體(FRAM)


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