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宜揚採用思源Laker客製化數位繞線器系統 (2011.04.18)
思源科技於日前宣佈，其Laker 客製化佈局自動化系統與Laker客製化數位繞線器，已更深入普及於記憶體晶片市場。該公司同時表示，宜揚科技 （Eon Silicon Solution Inc.，簡稱Eon）運用Laker解決方案，佈局速度提升了3倍之多，大幅提高其生產力，因而晉身頂尖記憶體晶片公司之列 |
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海力士高品質記憶體已採用思源科技軟體 (2010.11.07)
思源科技（SpringSoft）於日前宣布，海力士半導體（Hynix）已經在Verdi自動化偵錯系統與Laker客製化佈局自動化系統上完成標準化。海力士是思源科技的長期客戶，部署Verdi軟體作為數位設計的偵錯平台，也部署Laker軟體作為快閃記憶體應用的客製化晶片設計平台 |
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金融風暴後 台灣韓國半導體市場復甦最快速 (2010.04.15)
三星（Samsung）與海力士（Hynix）等兩家韓國廠商的半導體設備投資正明顯增加。根據一份由SEAJ、SEMI及SEMI等單位共同調查的Worldwide SEMS Report報告顯示，2010年2月份全球半導體生產設備市場規模由1月份的負成長轉變成為正成長，比去年同月（YoY）大幅成長217.1％，比上個（MoM）成長6.6％ |
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跌跌不休 Q1記憶體銷售較上季減少18% (2009.05.19)
市場研究公司Gartner於週一（5/18）發表了今年第一季的記憶體銷售報告。報告中顯示，第一季全球DRAM的銷售收入為35.7億美元，較去年同期減少41%，是自2001年第四季以來，銷售收入最低的一季 |
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Gartner公佈08年全球半導體銷售 高通成長最快 (2009.04.12)
市場研究公司Gartner日前公佈了2008年全球半導體銷售報告。報告中顯示，2008年全球半導體銷售收入為2550億美元，較2007年減少了5.4%，而英特爾繼續依然位居龍頭的地位，高通則是成長速度最快的公司 |
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安捷倫與Hynix合推記憶體驗證的長線ZIF探針頭 (2009.02.10)
安捷倫科技（Agilent）宣佈與Hynix半導體合作生產一款為DDR和GDDR SDRAM驗證而最佳化的高頻寬、高效能長線ZIF（zero insertion force；零插力）探針頭。該長線ZIF探針頭可讓工程師在探量距離較遠的信號時，能準確地量測高速信號 |
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爾必達DRAM全球佔有率可望達到20％ (2008.11.03)
爾必達的DRAM全球佔有率在2008年第二季（4～6月）約15％，第三季（2008年10～12月）將達20％。根據iSuppli調查顯示，2008年第二季DRAM全球佔有率，以營收估算，第一名的三星電子佔30.3％，第二名的海力士半導體佔19.5％，第三位是爾必達記憶體佔15.4％ |
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提高競爭力 海力士將再關閉一座8吋廠 (2008.10.06)
海力士（Hynix）半導體宣佈，將提前關閉生產效率低於12吋晶圓的8吋晶圓廠。而在工廠關閉後，DRAM和NAND快閃記憶體的主要生產工作將由12吋晶圓廠負責，此舉將有效穩定財務狀況並提高收益 |
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海力士打造清州廠為全球第一大NAND記憶體工廠 (2008.09.04)
海力士半導體位於韓國清州市、支援300mm（12吋）晶圓的新製造生產線M11落成，海力士並邀請當地政府官員等舉行完工典禮。
據了解，M11將採用40nm製程，用於生產16Gbit及32Gbit等高密度NAND快閃記憶體 |
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海力士選用Blue Coat作網際安全閘道的策略控管 (2008.09.03)
廣域網路應用傳輸及閘道安全維護廠商Blue Coat，日前宣布海力士半導體（Hynix Semiconductor）選擇部署Blue Coat ProxySG設備，來維護Web安全、策略控制、並防範有心人士藉由SSL加密通道外洩資訊 |
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恆憶與海力士將延長5年NAND Flash合作計畫 (2008.08.19)
恆憶（Numonyx B.V.）和海力士半導體（Hynix Semiconductor）日前宣佈，將延長兩公司在NAND快閃記憶體升級產品和技術開發的合作計劃。據了解，兩公司未來將擴大NAND快閃記憶體產品和技術的合作開發範圍，並將為加快開發速度而進行經營資源的一體化 |
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2008上半年半導體廠商排名 台積電第五 (2008.08.06)
根據美國市調公司IC Insights調查了2008年上半年半導體廠商的營收排名顯示，1～4名分別為Intel、三星、德州儀器和東芝，第5名則是台積電（TSMC）。台積電在前20家廠商中達到最高的35％成長率，排名從去年同期的第6升至第5 |
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SPMT工作小組 推動新一代記憶體介面標準 (2008.05.02)
美商晶像、英商安謀、韓國海力士半導體、索尼愛立信行動通訊及法商意法半導體在4月30日宣佈組織工作小組，為新世代記憶體介面技術，建立開放式標準。這項首創的記憶體標準乃針對動態隨機存取記憶體（dynamic random access memory；DRAM） |
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海力士獲Grandis授權 將共同開發STT-RAM技術 (2008.04.10)
南韓海力士半導體（Hynix Semiconductor）宣佈，該公司已經與新一代記憶體STT-RAM（Spin-Transfer Torque RAM）的技術開發商Grandis，簽訂了STT-RAM的技術授權及共同開發協議。根據協議內容，海力士將從Grandis獲得STT-RAM技術授權，未來兩公司的研究人員也將在產品開發領域進行合作 |
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海力士開發新型高速記憶體晶片 速度達1000兆 (2008.04.07)
外電消息報導，韓國海力士(Hynix)半導體日前表示，該公司已為手機及其他可攜式裝置開發出一種高速的記憶體技術。該晶片的資料處理速度最高可達1000兆。
為了積極搶攻記憶體市場，海力士不斷的在其製程技術上創新，自去年第四季開始，海力士已採用66奈米製程生產記憶體晶片 |
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海力士將開始生產54奈米製程記憶體晶片 (2008.03.31)
外電消息報導，海力士（Hynix）半導體執行長Kim Jong-kap日前表示，該公司預計將從今年開始生產使用54奈米製程的DRAM記憶體晶片，並可能交由茂德進行生產。
Kim Jong-kap表示，他對2008年下半年的記憶體晶片市場表示樂觀 |
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海力士成功開發24層NAND Flash堆疊封裝技術 (2007.09.13)
海力士半導體（Hynix Semiconductor）成功開發出24層堆疊、每層厚度為25μm的NAND型快閃記憶體，總厚度為1.4mm的MCP多晶片封裝。這是在目前的MCP產品之中，堆疊層數最多的一次 |
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韓國海力士開發出全球最小最快1GB記憶體 (2007.08.13)
外電消息報導，韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)於上週六（8/11）表示，海力士已經開發出目前世界上體積最小、處理速度最快的1GB記憶體，據了解該產品將會被應用在手機平臺上 |
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2010年兩岸DRAM產量將超越南韓 (2007.05.31)
台灣和中國的DRAM總產量，將在2010年之前超過南韓。根據iSuppli預測，台灣和中國的DRAM廠陸續擴產，相較之下南韓僅有三星電子（Samsung Electronics）和海力士半導體（Hynix Semiconductor）為主要DRAM生產商，且該兩廠商未來也會將生產的重心移向NAND快閃記憶體 |
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海力士獲得英特爾DDR3 SDRAM產品認證 (2007.05.09)
南韓海力士半導體（Hynix Semiconductor）對外表示，該公司已經從美國英特爾（Intel）獲得了DDR3同步動態隨機記憶體（SDRAM）的產品認證。
海力士表示，此次獲得的是80nm製程技術的1Gbit DDR3 SDRAM，以及該晶片應用於個人電腦（PC）大容量儲存模組的認證 |
