 |
ASML與imec成立High-NA EUV微影實驗室 (2024.06.05)
比利時微電子研究中心（imec）與艾司摩爾（ASML）共同宣布，雙方於荷蘭費爾德霍溫合作開設的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室正式啟用，為尖端的邏輯、記憶體晶片商以及先進的材料、設備商提供第一部高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）曝光機原型TWINSCAN EXE:5000以及相關的製程和量測工具 |
|
英特爾晶圓代工完成商用高數值孔徑極紫外光微影設備組裝 (2024.04.22)
英特爾位於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾研發基地中，研發人員已完成商用高數值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV）組裝。此台由微影技術領導者艾司摩爾（ASML）供應的TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV微影設備，將開始進行多項校準步驟，預計於2027年啟用、率先用於Intel 14A製程，協助英特爾推展未來製程藍圖 |
 |
低 IQ技術無需犧牲系統性能即可延長電池續航力 (2024.04.17)
由於電池製造的功率需求帶來全新且複雜的限制，使得現今電池續航力必須具備最長的運作時間與更長的保存壽命，且無需犧牲系統性能。 |
|
應材Sculpta圖案化解決方案 拓展埃米時代晶片製造能力 (2024.02.29)
隨著台灣晶圓代工大廠持續向外擴充版圖，並將製程推進至2nm以下，正加速驅動晶片製造廠商進入埃米時代，也越來越受惠於新材料工程和量測技術。美商應用材料公司則透過開發出越來越多採用Sculpta圖案成形應用技術，與創新的CVD圖案化薄膜、蝕刻系統和量測解決方案 |
|
Imec展示高數值孔徑EUV生態系統進展 率先導入ASML曝光機 (2024.02.26)
於本周舉行的2024年國際光學工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）將呈現在極紫外光（EUV）製程、光罩和量測技術方面取得的進展，這些技術都在為實現高數值孔徑（high-NA）EUV微影應用而籌備 |
|
Toppan Photomask與IBM簽署EUV光罩研發協議 推進2奈米技術 (2024.02.14)
半導體光罩供應商Toppan Photomask宣布，已與IBM就使用極紫外(EUV)光刻技術的2奈米(nm)節點邏輯半導體光罩的聯合研發達成協議。該協議尚包含開發用於下一世代半導體的高NA EUV光罩 |
|
新唐Cortex-M4微控制器系列推升工作極寬溫範圍 (2023.12.26)
新唐科技全新一代高性能M463微控制器系列搭載200 MHz Arm Cortex-M4處理器，同時推升工作溫度範圍從-40℃至125℃，應對嚴苛的高溫環境要求，並確保在極端條件下穩定運行。除了極寬溫工作溫度範圍外 |
|
新唐科技針對來汽車電子和工業市場 推出Cortex-M4微控制器系列 (2023.12.26)
新唐科技推出高性能M463微控制器系列，此系列搭載了200 MHz Arm Cortex-M4處理器，同時一舉推升工作溫度範圍從-40℃至125℃，以應對嚴苛的高溫環境要求，並確保在極端條件下穩定運行 |
|
康佳特COM Express模組通過IEC-60068認證 可應用於鐵路運輸領域 (2023.09.11)
全球嵌入式和邊緣運算技術供應商德國康佳特宣佈，搭載第11代Intel Core（代號Tiger Lake）處理器的conga-TC570r COM Express Type 6 Compact模組獲得IEC-60068認證。獲得此認證顯示該系列模組可應用於鐵路運輸領域，也是肯定該系列在應對溫差過大，溫度變化迅速，衝擊大，振動強等極端條件時的性能 |
|
筑波與泰瑞達攜手ETS 打造化合物半導體動態測試方案 (2023.09.01)
筑波科技(ACE Solution)與美商泰瑞達(Teradyne)攜手合作推出ETS GaN Mos、Power Module、IGBT測試整合方案。半導體功能測試（FT）向來需要克服各種挑戰，包括複雜的案例設計、執行和系統維護、數據分析管理，以及對測試環境穩定性的高度要求 |
|
imec與ASML簽署備忘錄 推動歐洲半導體的研究與永續創新 (2023.06.30)
比利時微電子研究中心（imec）及艾司摩爾（ASML）宣布，雙方計畫在開發最先進高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）微影試驗製程的下一階段強化彼此之間的合作。
該試驗製程的目標是協助採用半導體技術的所有產業了解先進半導體技術所能帶來的契機，並提供一套能在未來支援其創新的原型設計平台 |
|
STLINK-V3PWR線上除錯燒錄器 支援下一代超低功耗應用 (2023.05.26)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）新推出之STLINK-V3PWR是一款線上除錯燒錄器，能夠準確地測量在任何一款STM32微控制器（MCU）上運行的應用功耗。
該產品的寬動態測量能夠處理物聯網和無線應用等功耗敏感的開發專案，範圍從奈安培（Nanoamp，nA）到500mA的電流值，而且準確度維持在±0.5% |
|
imec觀點：微影圖形化技術的創新與挑戰 (2023.05.15)
此篇訪談中，比利時微電子研究中心（imec）先進圖形化製程與材料研究計畫的高級研發SVP Steven Scheer以近期及長期發展的觀點，聚焦圖形化技術所面臨的研發挑戰與創新。 |
|
Silicon Labs推出整合電路xG27 SoC和BB50 MCU系列 (2023.03.15)
Silicon Labs（芯科科技）今日推出兩款專為極小型IoT裝置設計的新式整合電路系列：xG27系列藍牙晶片系統（SoC）和BB50微控制器（MCU）。xG27和BB50系列專為極小尺寸之物聯網設備而設計，尺寸範圍從2平方公釐（約為標準#2鉛筆芯的寬度）到5平方公釐（小於標準#2鉛筆的寬度） |
|
看好晶片微縮進展 imec提出五大挑戰 (2023.03.13)
面對當代的重大挑戰時，人工智慧應用越來越廣泛，未來的運算需求預計會每半年翻漲一倍。為了在處理暴增的巨量資料的同時維持永續性，需要經過改良的高性能半導體技術 |
|
應材推出電子束量測系統 提升High-NA EUV製程的控制與良率 (2023.03.08)
由於包含極紫外光（EUV）和新興高數值孔徑（High-NA）的光阻越來越薄，量測半導體元件特徵的關鍵尺寸變得愈來愈具挑戰性。應用材料公司最新推出新的電子束（eBeam）量測系統，則強調專門用來精確量測由EUV和High-NA EUV微影技術所定義半導體元件的關鍵尺寸（critical dimension） |
|
探索IC電源管理新領域的物聯網應用 (2023.02.17)
本文深入探討物聯網電池技術，並提出設計人員可能面臨的一些電源問題，以及ADI提供的解決方案。這些高效的解決方案可以協助克服物聯網裝置中的其他問題，包括尺寸、重量和溫度 |
|
如何達到3D位置感測的即時控制 (2022.11.28)
本文回顧3D霍爾效應位置感測器的基礎知識，並描述在機器人、篡改偵測、人機介面控制和萬向節馬達系統中的用途；以及介紹高精密度線性3D霍爾效應位置感測器的範例 |
|
ASML：將提升EUV機台年產能 並回購120億歐元股票 (2022.11.11)
微影技術商艾司摩爾(ASML)，於投資人會議中表示，預計將年產能增加到90 台EUV，和600台DUV系統（2025-2026 年），以及20台High-NA EUV系統（2027-2028 年）。同時，計畫回購高達120億歐元的股票，並計畫執行200 萬股的員工分紅計劃，同時將註銷剩餘的回購股份 |
|
國際太空站KIBO機器人程式設計挑戰賽 臺大獲第一 (2022.10.30)
由日本宇宙航空研究開發機構（JAXA）與美國航太總署（NASA）主辦的「國際太空站KIBO機器人程式設計挑戰賽」（KIBO-RPC）決賽，在國研院太空中心的臺灣預賽中脫穎而出的臺灣大學KIBO la na tsu bu KIBO / Robology Awesome Aliensu隊，奪下第一名佳績 |
