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M31驗證完成7奈米ONFI 5.1 I/O IP 佈局全球AI大數據儲存 (2023.11.29)
M31科技今日宣布，其7奈米製程快閃記憶體接口ONFI-v5.1 I/O IP已完成矽驗證，支援最高速達3.2GB/s，同時內部已著手開發5奈米ONFI 5.1 IP與3奈米ONFI 6.0 IP，並且已獲美國一線大廠採用，積極佈局人工智慧與邊緣運算應用的大數據存儲市場 |
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美光176層3D NAND正式出貨 瞄準5G手機及智慧邊緣運算商機 (2020.11.10)
美光科技今日宣布首款176層3D NAND快閃記憶體已正式出貨，實現前所未有的儲存容量和效能。美光最新的176層技術及先進架構為一重大突破，可大幅提高資料中心、智慧邊緣運算以及手機裝置等儲存使用案例的應用效能 |
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M31的PCIe4.0/3.0 IP和ONFi 4.1 I/O IP 獲InnoGrit採用 (2019.09.04)
全球精品矽智財開發商M31 Technology與存儲晶片新創公司－英韌科技(InnoGrit)今日宣佈，雙方將建立長期的合作夥伴關係。英韌科技開發的存儲晶片已採用M31的PCIe 4.0/3.0 IP與ONFi 4.1 I/OIP，積極佈局全球針對AI應用的大數據存儲市場 |
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美高森美以量產版本Flashtec PCIe控制器推動企業級SSD實現 (2017.08.14)
美高森美(Microsemi) 宣佈 Flashtec NVM Express (NVMe) 2108八通道控制器的量產版本，推動世界各地主要的企業和資料中心實現高成本效益和高功效的大容量固態硬碟(SSD)。這個器件具有主流的性能，並且支援16GB和更大容量 |
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開放式 NAND 快閃儲存接口介面規範 R2-開放式 NAND 快閃儲存接口介面規範 R2 (2011.12.12)
開放式 NAND 快閃儲存接口介面規範 R2 |
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ONFI 2.1標準問世 NAND傳輸提升至200MB/s (2009.02.11)
開放式NAND快閃記憶體介面（ONFI）工作小組今日（2/11）發佈了ONFI 2.1版技術規範。ONFI 2.1版本除具備更簡化的快閃記憶體控制器設計，並將傳輸性能提升至每秒166MB/s到200MB/s間 |
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美光NAND快閃記憶體產品前進3G市場 (2007.03.26)
美光科技（Micron Technology）將把NAND快閃記憶體業務推向手機市場。該公司將把控制器電路設計於NAND快閃記憶體晶片珠，以及制定與設備端LSI間的介面標準。美光此舉是希望能使產品廠商省去在設備端LSI中配備控制器電路的麻煩，以提供終端產品廠商更高便利性 |
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台控制晶片業者參與ONFI聯盟 ONFI 1.0規格豋場 (2006.08.30)
英特爾（Intel）登高一呼所成立的ONFI（Open NAND Flash Interface）聯盟，於8月29日在美國舉行規格討論大會，台灣多家記憶卡控制晶片設計公司與會，針對第一版的規格ONFI 1.0進行討論 |
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LSI (2003.06.13)
LSI Corporation is a leading provider of innovative silicon, systems and software technologies that enable products which seamlessly bring people, information and digital content together. We offer a broad portfolio of capabilities and services including custom and standard product ICs, adapters, systems and software that are trusted by the world’s best known brands to power solutions for the Storage and Networking markets |
