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工業儲存技術再進化！ (2022.08.26)
近年來，半導體先進製程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智慧、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智慧城市到國防航太等領域都可以應用大量晶片記錄海量數據 |
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低價刺激消費需求 SSD強勢躍居主流 (2019.06.10)
2019年似乎是購買SSD的絕佳時機，市場開始轉向QLC NAND，而採用96層的3D NAND架構也可有效提高密度，並降低成本。接下來容量更高的消費型SSD將變得更為普遍。 |
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TrendForce：次世代記憶體有望於2020年打入市場 (2019.05.20)
不論是DRAM或NAND Flash，現有的記憶體解決方案面臨製程持續微縮的物理極限，意即要持續提升性能與降低成本都更加困難。因此，Intel Optane等次世代記憶體近年來廣受討論，希望在有限度或甚至不改變現有平台架構的前提下，找到新的解決方案 |
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[Tech Spot]四大快閃記憶體替代技術 (2012.12.06)
快閃記憶體仍如日中天，智慧手機消費型設備，例如平板電腦和智慧手機，強勁地推動了快閃記憶體及整個半導體市場。未來幾年，平板電腦的市佔率將不斷增加，目前最常見的快閃記憶體類型是 NAND，一位市場分析師預測：2011 至 2015 年之間， NAND的市場複合年增長率將達到 7% |
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PRAM的技術：從非高性能波動-PRAM的技術：從非高性能波動 (2011.06.03)
PRAM的技術：從非高性能波動 |
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-XMTC: PRAM-like Programming (2010.10.09)
A modest extension to C, XMTC allows representing parallel (PRAM) algorithms as parallel programs, and run XMTC code using a compiler and cycle accurate simulator of the University of Maryland explicit multi-threaded (XMT) many-core architecture |
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三星推出多晶片封裝PRAM晶片 行動電話設計專用 (2010.05.03)
三星電子（Samsung）日前發表一款多晶片封裝 （multi-chip package; MCP）的PRAM，將在本季度稍晚專門提供給行動電話設計使用。
此款三星的512Mb MCP PRAM與40奈米級NOR Flash的軟硬體功能皆相容，此MCP亦可完全相容於以往獨立式 （stand-alone）PRAM晶片技術，可帶給行動電話設計人員相當的便利性 |
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爾必達與奇夢達將合作開發新一代DRAM (2008.04.29)
DRAM產業將有一番重組了。據了解，全球第三大廠德國奇夢達與第四大廠商爾必達記憶體將就合作開發DRAM技術簽署備忘錄，並將在近期正式簽訂協議。備忘錄內容將包括：合作開發40nm製程以下的DRAM產品、並包括設計和製程技術在內的IP交叉授權，未來並將成立合資工廠，共同生產產品並統合經營策略等 |
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海力士獲Grandis授權 將共同開發STT-RAM技術 (2008.04.10)
南韓海力士半導體（Hynix Semiconductor）宣佈，該公司已經與新一代記憶體STT-RAM（Spin-Transfer Torque RAM）的技術開發商Grandis，簽訂了STT-RAM的技術授權及共同開發協議。根據協議內容，海力士將從Grandis獲得STT-RAM技術授權，未來兩公司的研究人員也將在產品開發領域進行合作 |
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聯電技術授權爾必達 廣島廠產能將用於代工 (2008.03.20)
爾必達與聯電（UMC）就合作發展日本的晶片代工業務達成協議。據了解，爾必達將獲得聯電的IP內核與先進邏輯技術，在廣島爾必達記憶體的12吋晶圓廠（E300 Fab）進行晶圓生產 |
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聯電跨足記憶體 與爾必達交互授權技術 (2007.10.25)
聯電積極佈局記憶體市場，將與日本爾必達（Elpida）合作進行交互授權，由爾必達提供聯電SOC內嵌DRAM所需的技術，聯電則提供爾必達發展先進製程所需的低介電質銅導線（low-k/Cu）專利 |
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非揮發性記憶體的競合市場 (2007.10.24)
記憶體本身就具有通用與中介的性質，所以發展出來的各類記憶體元件，多能通用於不同系統之間。新一代的記憶體為了更通用之故，所發展的都是非揮發性的記憶體，這樣才能既做為系統隨機存取之用，又能組成各類的儲存裝置，例如嵌入在可攜式裝置中的儲存容量、彈性應用的記憶卡或固態硬碟等 |
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檢視STT-RAM記憶體應用優勢 (2007.10.19)
旋轉力矩轉移隨機存取記憶體（STT-RAM）是一種透過自旋電流移轉效應所開發而出的新記憶體技術，屬於非揮發性記憶體的一種，其應用優勢包括無限次數的讀寫週期、低耗電，以及運算速度更快等，更適合嵌入式設計應用 |
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記憶體技術競賽 Intel看好PRAM (2007.04.17)
英特爾（Intel）在英特爾開發商論壇（IDF）上首次公開演示其PRAM技術。PRAM是由英特爾和數家其他公司聯合開發的一種相變隨機記憶體，被認為可能取代Flash，甚至是DRAM。與DRAM不同的是，Flash等非揮發性記憶體不會因沒電而丟失存儲的資訊 |
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日本爾必達將在明年初決定新廠落腳何處 (2006.08.01)
根據路透社消息指出，全球第五大動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片製造商－日本爾必達記憶體（Elpida Memory）於2006年8月1號表示，將在明年初以前決定新晶片廠，在海外選擇方面，考量過稅率和補貼事宜後，目標縮小到三個地方，考量的建廠地點包括台灣、中國和新加坡 |
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爾必達考慮於台灣設立DRAM新廠 (2006.07.20)
根據報導，日本DRAM製造廠爾必達（Elpida）考慮將計畫中的先進工廠設在台灣。該公司將和在日本國內設廠的優劣進行比較之後，再作出最後決定。
據了解，爾必達計畫的新廠設備可製造加工寬度只有70奈米的DRAM半導體回路線，預定月產10萬片，同時也計畫生產下一代的半導體PRAM |
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日商開發穩定省電之PRAM記憶體 (2005.10.07)
根據日經產業新聞報導指出，日立製作所與日本瑞薩（Renesas）就新一代的半導體記憶體PRAM（Phase Change Random Access Memory；階段變化隨機存取記憶體）的實用化已取得重大進展 |
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快閃IC「RRAM」發展動向 (2005.09.05)
隨著各種可攜式電子產品的記憶容量不斷擴張，傳統的Flash Memory已很難滿足市場需求。雖然FeRAM曾經是各半導體廠商囑目的焦點，不過隨著RRAM的出現，也代表著非揮發性記憶體即將進入嶄新的紀元 |
