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回顧英特爾半世紀的經典創新 (2018.06.26)
儘管目前的聲勢不若以往，英特爾在半導體技術上的創新可說是至今無人項背，包含創新了微處理器的設計，定義了行動處理器的架構，3D記憶體的研發。 |
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三星14nm製程技術 Tape Out完成 (2012.12.23)
即使三星電子最近被採用Exynos系列處理器之行動裝置產品疑似存在著安全漏洞問題搞的烏煙瘴氣，但在邁向14奈米製程技術之路一樣沒有任何懈怠。繼格羅方德半導體以及英特爾後，三星也向外界宣布採用14奈米製程技術之行動晶片測試成功，該行動晶片不管是針對動態功耗以及漏電率方面皆有明顯改善 |
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後摩爾定律時代 (2009.09.27)
知名物理學大師費曼早在多年前就預測：「其實下面還有許多空間」，英特爾科學家摩爾也據此提出晶圓效能與密度每18個月就會擴增一倍的「摩爾定律」。雖然多年來半導體工業隨著摩爾定律而蓬勃發展 |
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內容處理器─徹查每個網路封包的矽技術 (2008.07.31)
惡意入侵與破壞，現在已成為所有企業所面臨的重大資安威脅。麻省理工學院媒體實驗室主任的尼葛洛龐帝數年前就在《數位化時代》一書中預言，未來財富將逐源自運送資料，而非運送貨品 |
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英特爾45奈米SRAM晶片採用high-k和金屬柵極 (2007.12.26)
英特爾（Intel）將在ISSCC 2008上發表採用high-k絕緣膜和金屬柵極，以45奈米CMOS製程製作的SRAM晶片。電源電壓為1.1V時，工作頻率為3.5GHz。主要用於新一代Core 2微處理器的二次緩存 |
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Digi-Key與ISSI簽署全球經銷協定 (2007.06.06)
電子零件經銷商Digi-Key Corporation與記憶體解決方案廠商Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)宣布簽署一項全球經銷協定。
ISSI為一針對數位消費性電子、網路、行動通訊和汽車電子市場設計、開發及行銷高效能積體電路廠商，該公司主要產品包括高速和低功率SRAM、及低與中密度DRAM |
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聯電採用浸潤式微影技術產出45奈米測試晶片 (2006.11.26)
聯華電子（UMC）宣佈成功產出位元較0.25平方微米更小的45奈米SRAM晶片，該晶片採用聯電獨立發展的邏輯製程，在12層重要層中使用複雜的浸潤式微影術，並且結合最新的尖端技術如超淺接點技術、遷移率提升技術以及超低介電值技術（k=2.5） |
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TI、MIT與DARPA合作開發奈米SRAM晶片 (2006.02.09)
德州儀器宣佈，美國麻省理工學院的研究人員將在國際固態電路會議上展出利用TI先進65奈米CMOS製程生產的超低耗電256kb SRAM測試晶片。這顆SRAM晶片是專為需要高效能和低耗電的電池操作型產品所設計，不但操作電壓低於業界所有其它產品，TI還考慮將它應用在SmartReflex電源管理技術以延長行動產品的電池壽命 |
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英特爾發表45奈米製程晶片 (2006.01.26)
英特爾宣佈該公司45奈米(nm)邏輯製程技術出現重大突破。該公司已經運用最新45奈米製程技術生產出一顆全功能的SRAM(靜態隨機存取記憶體)晶片。45奈米製程是英特爾下一代可量產之半導體製程技術 |
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英特爾65奈米製程SRAM現身 (2004.08.30)
英特爾運用65奈米(nm)製程技術生產70Mb靜態隨機存取記憶體(SRAM)晶片，內含超過5億個電晶體。該產品延續英特爾每兩年開發新製程技術的慣例，並符合摩爾定律的預測。新型65奈米製程技術所生產的電晶體內含的閘極(gates)僅有35奈米，較先前90奈米製程技術的閘極長度縮小達30% |
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中芯0.18微米1T-SRAM技術已獲認證 (2003.05.21)
大陸晶圓代工業者上海中芯國際日前宣布，該公司以0.18微米製程試產的靜態隨機存取記憶體（1T-SRAM）已獲供應商MoSys的認證；中芯下半年就可在大陸直接提供客戶1T-SRAM製程與代工產能，並可望在嵌入式記憶體代工市場，與台積電、聯電以及力晶等記憶體廠商競爭 |
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Intel開發出一平方微米的SRAM電路元 (2002.03.13)
英特爾公司研發人員已成功製造出全球最小、面積僅1平方微米的SRAM(靜態隨機存取記憶體)記憶體電路元。這些電路元是記憶體晶片的建構基礎，被用於運用英特爾新一代90奈米(nm)製程技術所生產出功能完整的SRAM裝置 |
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聯電率光推出0.13微米2M SRAM (2000.05.21)
就當台積電5月16日即將於美國矽谷舉辦年度技術論壇研討會，並陸續發佈0.15微米的多項產品成功於近日量產之際，台積電頭號競爭對手聯華電子5月15日宣佈，已成功採用0.13微米邏輯製程產出2M SRAM晶片，並於五月初產出，良率達到一定水準，成為業界宣佈最早量產0.13微米的產品 |
