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美高森美選擇英特爾代工服務開發數位積體電路 (2013.05.09)
致力於提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司宣佈利用英特爾公司(紐約納斯達克交易所代號:INTC)業界領先的onshore代工技術和使用英特爾革新性22 奈米 (nm) 3D、三閘(Tri-Gate)電晶體技術,開發先進的高性能數位積體電路(IC)和系統單晶片(SoC)解決方案
2012新趨勢:技術非重點、重點在於想像力! (2011.12.26)
隨著2011年接近尾聲,Intel對外發表了2012年科技最新展望。外界最關心的當然是22奈米(nm)Tri-Gate電晶體將於明年正式應用於各種產品領域,製造業將邁入2.0十代,在美國矽谷,『融合式』與『綠色』科技新創公司數量增加超過一倍,儼然可看出未來的趨勢所在
5年1500萬美元 工研院與Intel共推3D記憶體 (2011.12.06)
Intel今日(12/6)與工研院、經濟部技術處共同宣佈一項針對下世代記憶體技術的合作案,未來五年總投入金額共達一千五百萬美元。這是Intel在Ultrabook以及行動裝置的佈局,工研院將提供 IC 架構及軟體技術,目標是在五年內,將記憶體功耗節省至10倍、甚至百倍以上
採三閘極製程 Intel超級運算晶片明年現身 (2011.06.21)
英特爾在德國漢堡所舉行的國際超級運算大會(ISC)上宣佈,支援每秒百萬兆次(exascale)的超級運算架構MIC,將在2012年正式進入市場化階段,預計到2018年,支援平行運算的百萬兆次超級電腦將可進一步普及,屆時英特爾可望真正實現百萬兆次運算等級
掌握平板SoC四大關鍵! (2011.06.09)
平板裝置已成為今年全球電子產業眾所矚目的焦點,媒體平板和PC型平板之間的瑜亮情節也不斷發酵。行動系統單晶片架構正是平板裝置的重要核心。綜觀當前平板SoC發展,有四大關鍵必須密切注意,這四大關鍵將深刻影響著平板裝置的未來樣貌
我挺摩爾定律! (2011.05.27)
台積電董事長張忠謀四月底一席「半導體摩爾定律將在6至8年到達極限」的言論,再次引發業界對於摩爾定律是否能夠延續的討論。身為全球最大半導體整合製造商,英特爾五月初正式對外公佈可量產的立體三閘電晶體技術(3-D Tri-Gate transistors),這項技術自2002年開始發展,將是半導體產業能否繼續按照摩爾定律往下走的重要依據
三閘極電晶體助威 英特爾直搗平板和智慧機 (2011.05.12)
英特爾推出最新三閘極電晶體(Tri-Gate transistor)技術量產化,大大有益於直取媒體平板裝置和智慧型手機的戰略高地。對於在這兩大領域「喊水會結凍」的安謀(ARM)來說,絕對不是一個好消息,而ARM想要迂迴滲透到英特爾老巢PC/NB的計畫,也可能會受到一定程度的阻礙
Intel欲以22奈米ATOM奪回ARM拿走的失土 (2011.05.07)
Intel上周四(5/5)發表立體三閘電晶體技術,隔日ARM股價應聲跌7.3%。從兩造近來短鋒相交的過程,不難看出Intel藉由此技術「放大絕」的企圖,要讓ATOM處理器在維持X86系統的效能優勢下,擺脫過往吃資源巨獸的罵名,打入強調低功耗的可攜式裝置市場
英特爾22奈米的3D三柵極晶體管簡報檔-英特爾22奈米的3D三柵極晶體管簡報檔 (2011.05.06)
英特爾22奈米的3D三柵極晶體管簡報檔
我挺摩爾!立體電晶體22奈米處理器問世 (2011.05.05)
半導體產業能否繼續按照摩爾定律往下走,Intel提出解答。Intel於今日(5/5)正式對外公佈可量產的立體三閘電晶體技術(3-D Tri-Gate transistors);並宣佈這項技術的第一項應用產品,就是開發代號為Ivy Bridge的22奈米新平台處理器,空前地結合低功耗與高效能的優點
海力士成功量產High-k MIM 三星積極研發High-k 50製程技術 (2006.11.23)
除海力士和三星外,全球最大半導體業者英特爾(Intel)亦在三閘極電晶體(Tri-Gate Transistor)上,採High-k技術;High-k為具有絕緣體電磁特性的高介電率物質(以常數k表現),簡單來說,High-k係指具有把電荷聚在一起能力的物質,k值越高,攔截半導體配線間漏損電流的能力越好


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