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STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET 質量因數提升40% (2023.06.15)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）之新款STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET擁有極低的閘極－漏極電荷（QGD）和導通電阻RDS（on），質量因數（Figure of Merit，FoM）相較上一代同類產品提升40%
東芝推出2款車用新封裝40V N-channel溝槽功率MOSFET IC (2018.04.18)
東芝電子元件及儲存裝置株式會推出2新款小型低電阻SOP Advance (WF)封裝的MOSFET產品。新IC- TPHR7904 & TPH1R104PB皆是車用40V N-channel溝槽功率MOSFET的最新Lineup。 此2款MOSFET IC採用最新第九代U-MOS IX-H溝槽製程及小型低電阻封裝，具備低導通電阻有助於降低導通損耗，與東芝上一代產品(U-MOS IV)相比，此ICs設計實現了更低的開關雜訊，幫助降低EMI
東芝推出小型封裝光繼電器IC 高容量、中電壓 (2017.11.23)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出新一款採用小型2.54SOP4封裝的新型光繼電器TLP3145，該光繼電器關閉狀態輸出端電壓達200V，導通電流為0.4A。 新IC採用最新的U-MOS VIII MOSFET溝槽製程製造，具備200V的關閉狀態輸出端電壓和最高達0.4A的可控導通電流
TDSC推出中壓、高容量、小型封裝的光繼電器 (2017.11.16)
[東京訊](BUSINESS WIRE)東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, TDSC)推出一款採用小型2.54SOP4封裝的新型光繼電器TLP3145，該光繼電器關閉狀態輸出端電壓達200V，導通電流為0.4A


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