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西門子Veloce CS新品協助硬體加速模擬和原型驗證 (2024.04.23)
西門子數位化工業軟體發佈 Veloce CS 硬體輔助驗證及確認系統。此系統為電子設計自動化（EDA）產業首創，整合硬體模擬、企業原型驗證和軟體原型驗證，並採用兩個先進的積體電路（IC）：用於硬體模擬的西門子專用型 Crystal 加速器晶片；以及用於企業和軟體原型驗證的 AMD Versal Premium VP1902 FPGA 自適應 SoC |
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英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能 (2024.04.19)
近年來全球光儲系統（PV-ES）市場快速增長。光儲市場競爭加速，提高功率密度成為廠商得勝關鍵；英飛凌科技（Infineon）為逆變器及儲能系統製造商麥田能源提供功率半導體元件，共同推動綠色能源發展 |
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英飛淩全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產品系列促進汽車和工業發展 (2024.03.29)
英飛凌科技（Infineon）推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET，以滿足工業和汽車電源應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級 SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙主動式橋式（DAB）、HERIC、降壓/升壓和相移全橋（PSFB）拓撲結構進行了優化 |
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高階晶片異常點無所遁形 C-AFM一針見內鬼 (2024.03.21)
從電性量測中發現晶片故障亮點，逐層觀察到底層仍抓不到異常？即使在電子顯微鏡（SEM）影像中偵測到異常電壓對比（VC）時，也無法得知異常點是發生在P接面還是N接面？本文為電性異常四大模式（開路、短路、漏電和高阻值）快速判讀大解析 |
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英飛凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 產品提供高功率密度 (2024.03.14)
英飛凌科技（Infineon）推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V裝置，除了能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也能夠維持系統的可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率 |
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英飛凌攜手Worksport 以氮化鎵降低可攜式發電站重量和成本 (2024.03.13)
英飛凌科技宣佈與 Worksport合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport 將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的 GaN 功率半導體 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度 |
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TI新型功率轉換器突破電源設計極限 助工程師實現更高功率密度 (2024.03.06)
德州儀器（TI）推出兩款新型功率轉換器產品組合，協助工程師在更小的空間內實現更大的功率，以更低的成本提供最高的功率密度。TI的新型100V整合式氮化鎵（GaN）功率級採用耐熱增強型雙面冷卻封裝技術，可簡化散熱設計並在中電壓應用裡實現超過1.5kW/in3的最高功率密度 |
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獨創低功耗UWB接收器 具10倍抗擾力排除Wi-Fi與後5G訊號 (2024.02.21)
於本周舉行的國際固態電路會議（ISSCC）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了一款獨特的低功耗超寬頻（UWB）接收器；與現有的先進UWB裝置相較，該晶片的抗擾性能提升10倍，有效抵擋來自Wi-Fi和5G（以後的）訊號 |
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意法半導體智慧致動器STSPIN參考設計 整合馬達控制、感測器和邊緣AI (2024.02.21)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出搭載STSPIN32G4智慧三相馬達驅動器的EVLSPIN32G4-ACT邊緣AI馬達驅動參考設計，使智慧致動器的開發變得更加簡單。該電路板與意法半導體的無線工業感測器節點STWIN.box（STEVAL-STWINBX1）連接，加速結合馬達控制、環境資料即時分析，以及物聯網連接系統的開發 |
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英飛凌新款160 V雙通道閘極驅動IC適用於電池供電應用 (2024.01.04)
英飛凌科技（Infineon）宣佈其汽車和工業電機控制應用的MOTIX雙通道閘極驅動IC系列添新品，包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。這些160 V的絕緣層上覆矽（SOI）閘極驅動器均為小型閘極驅動器解決方案，具有出色的抗閂鎖能力，適合於電池供電應用，如無線電動工具、多軸飛行器、無人機，以及電池電壓高達120 V的輕型電動車等 |
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鎖定5G先進基地台及行動裝置應用 imec展示高效能矽基氮化鎵 (2023.12.14)
於本周舉行的2023年IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了在8吋矽晶圓上製造的氮化鋁（AlN）／氮化鎵（GaN）金屬—絕緣體—半導體（MIS）高電子遷移率電晶體（HEMT），該元件能在28GHz的操作頻率下展現高輸出功率及能源效率 |
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TI：擴大低功率GaN產品組合 實現AC/DC電源供應器體積縮小50% (2023.12.04)
德州儀器（TI）擴大其低功率氮化鎵 (GaN) 產品組合，旨在協助提升功率密度、最大化系統效率，以及縮小 AC/DC 電源供應消費電子和工業系統的尺寸。TI 具備整合式閘極驅動器的 GaN 場效應電晶體 (FET) 整體產品組合，可解決常見的散熱設計挑戰，讓供應器維持低溫，同時以更小的體積推動更大功率 |
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自走式電器上的電池放電保護 (2023.11.26)
使用MOSFET作為理想二極體，能夠為新一代自動化電器提供穩健可靠的安全防護。 |
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英飛凌首款Qi2 MPP無線充電發射器解決方案具備WLC1可編程設計 (2023.11.23)
為協助提供給消費者更完善的無線充電用戶體驗，英飛凌科技（Infineon）推出首款Qi2磁功率分佈圖（MPP）充電發射器解決方案—REF_WLC_TX15W_M1參考設計套件。Qi2是無線充電聯盟（Wireless Power Consortium）發佈的重新定義感應式無線電力傳輸的新標準 |
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NXP推出SDV邊緣節點專用馬達控制方案 進一步擴展S32平台 (2023.11.22)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）推出S32M2，進一步擴展S32汽車運算平台，這個最佳化的專用馬達控制解決方案，可有效提高幫浦、風扇、天窗和座椅位置、預緊式安全帶（seat belt pretensioner）、電動後車箱等汽車應用的效率 |
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推動數位轉型 聯電於改善活動競賽奪6金 (2023.11.20)
聯華電子近年積極推動數位轉型，今（20）日宣佈於財團法人中衛發展中心主辦的台灣持續改善活動競賽（TCIA）中，一舉拿下6金，連續20年再創佳績。聯電今年參賽的6組團隊，分別於至善專案、品質、效率、間接及特別各組，自107家企業的188組團隊競爭中脫穎而出，為聯電開創6金全勝的新里程碑 |
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意法半導體GaN驅動器整合電流隔離功能 兼具安全性和可靠性 (2023.11.13)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵（GaN）電晶體閘極驅動器，新款STGAP2GS縮小了晶片尺寸，同時降低物料清單成本，能夠滿足應用對寬能隙晶片的效能以及安全性和電氣保護的更高需求 |
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貿澤與NXP合作新版電子書 為汽車電動化設計挑戰提供解方 (2023.11.08)
貿澤電子（Mouser Electronics）與NXP Semiconductors合作出版最新的電子書《7 Experts on Designing Vehicle Electrification Solutions》（7位專家聯手獻策：設計汽車電動化解決方案）。NXP不斷突破汽車、工業和IoT、行動和通訊基礎架構市場的極限，同時提供解決方案，推動更有永續發展性的未來 |
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CGD、群光電能與劍橋大學共組GaN生態系統 開發先進高功率方案 (2023.11.06)
英商劍橋氮化鎵元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家專注於研發高效能氮化鎵（GaN）功率元件的半導體公司，致力於打造更環保的電子元件。近日與台灣的電力電子系統整合方案供應商群光電能（Chicony Power Technology）、英國劍橋大學技術服務部（CUTS）簽署一項三方協議 |
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ROHM推出LiDAR用120W高輸出功率雷射二極體 (2023.10.31)
半導體製造商ROHM推出一款高輸出功率半導體雷射二極體「RLD90QZW8」， 非常適用於搭載測距和空間識別用LiDAR的工控設備領域的AGV（Automated Guided Vehicle/無人搬運車） 和服務機器人、消費性電子領域的掃地機器人等應用 |
