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盛美上海推出新型化合物半導體設備 加強濕法制程產品線 (2022.01.28)
盛美半導體設備（上海）宣布，推出支援化合物半導體製造的綜合設備系列。公司的150-200毫米相容系統將前道積體電路濕法系列產品、後道先進晶圓級封裝濕法系列產品進行拓展，可支援化合物半導體領域的應用，包括砷化鎵 (GaAs)、氮化鎵 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 等制程 |
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超越5G時代的射頻前端模組 (2021.01.05)
透過整合深寬比捕捉（ART）技術與奈米脊型工程，愛美科成功在300mm矽基板上成長出砷化鎵或磷化銦鎵的異質接面雙極電晶體，實現5G毫米波頻段的功率放大應用。 |
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用於射頻前端模組的異質三五族CMOS技術 (2020.02.10)
隨著首批商用5G無線網路陸續啟用，愛美科為5G及未來世代通訊應用準備了下世代的行動手持裝置。 |
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OSRAM LED照明輸出 採用磷化銦鎵鋁晶片技術 (2011.10.30)
歐司朗（OSRAM）日前推出Oslon SSL LED的照明輸出，較前一代型號提高多達20%，並改善熱穩定性，尤其是660 nm超紅光（Hyperred）至為特出。OSRAM表示，此次效能提升歸功於磷化銦鎵鋁晶片技術（InGaAlP）的新突破 |
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變質磷化銦鎵/砷化銦鎵鍺多結太陽能電池基板-變質磷化銦鎵/砷化銦鎵鍺多結太陽能電池基板 (2010.11.18)
變質磷化銦鎵/砷化銦鎵鍺多結太陽能電池基板 |
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ROHM最新研發PicoLED 讓電子裝置更省空間 (2007.01.28)
半導體製造商ROHM株式會社（總公司：日本京都市），針對行動電話按鍵，小型點矩陣顯示器，小型七段顯示器等小型薄型化需求的產品，推出體積‧面積超小型LED「SML-P12 Series」（PicoLED） |
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ST推出先進手機用功率放大器 (2002.01.24)
ST宣佈，該公司已經開發出一種替代傳統使用砷化鎵(GaAs)為材料的手機用射頻功率放大器的新產品。截至目前為止，行動電話製造商仍被迫使用昂貴的GaAs元件以生產所需的功率放大器，因為矽製程仍然滿足行動電話用900-1900MHz射頻頻率所需的效能要求 |
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磷化銦鎵InGaP HBTs 元件的可靠性討論 (2001.12.05)
隨著無線通信的發展，彷彿無窮盡地在探索 「體積小、性能好、價格便宜」的特性, 這股動力不斷地驅動著設備製造商及其供應商朝這共同的目標邁進。以砷化鎵 (GaAs) 為基礎的異質介面雙極電晶體 (HBT) 技術涵含蓋了上述的三個特性，並持續地對特定應用提供絕佳的解決方案 |
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採磷化銦鎵技術 EiC推出Class 12等級放大器 (2001.11.20)
由國人在美國矽谷成立的美國EiC無線通訊公司，昨(11/20)發表一系列的功率放大器模組(Power Amplifier Modules)產品，包括：ECM007及ECM009等。此系列產品內含的專屬射頻IC晶片，採先進的磷化銦鎵(InGaP GaAs HBT)製程技術，其特色是在超小體積及熱效能的技術突破，使客戶獲得GPRS Class-12的操作需求並同時顯著縮減線路空間 |
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手機零組件產業全方位剖析(上) (2001.03.05)
台灣為全球資訊設備第三大產出國，由於國內資訊產業逐漸成熟，上、下游廠商無不積極轉型。2000年的手機市場預估有4.1億支以上的市場，國內廠商眼見手機市場的龐大商機，競相設廠進入手機製造產業 |
