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英飛凌針對汽車應用推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列 (2023.05.19)
英飛凌推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列，作為最新一代適合汽車應用的功率MOSFET，提供多種無引腳、強固的功率封裝。該系列產品採用了300毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比於其它採用微型封裝的元件，具有顯著的性能優勢 |
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英飛凌推出MOSFET OptiMOS 5功率 小尺寸封裝提高靈活性 (2022.03.15)
英飛凌科技股份有限公司，推出全新採用PQFN 2 x 2 mm2封裝的OptiMOS 5 25V和30V功率MOSFET產品系列，旨在為分立式功率MOSFET技術樹立全新的業界標準。這些新元件採用薄晶圓技術和創新的封裝，尺寸極小，卻具有顯著的性能優勢 |
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安森美全新650V碳化矽MOSFET系列 滿足車規與工規應用需求 (2021.02.18)
安森美半導體(ON Semiconductor)宣布推出一系列新的碳化矽(SiC)MOSFET裝置，適用於對功率密度、能效和可靠性要求極高的應用。設計人員用新的SiC裝置取代現有的矽開關技術，將在電動汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變器、伺服器電源(PSU)、電信和不斷電供應系統(UPS)等應用中實現顯著的更佳性能 |
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英飛凌攜手GT Advanced Technologies 擴大碳化矽供應 (2020.11.13)
英飛凌科技與GT Advanced Technologies簽署碳化矽（SiC）晶棒供貨協議，該合約的初始期限為五年。透過這份供貨合約，英飛凌進一步確保滿足其在該領域不斷增長的需求。
英飛凌工業電源控制事業部總裁Peter Wawer表示：「我們看到對碳化矽開關的需求在穩步增長，特別是在工業應用方面 |
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英飛凌推出全新OptiMOS 6 40 V 系列：具備優異的RDS(on)與切換效能 (2019.03.21)
英飛凌科技推出全新OptiMOS 6系列，為分立式功率MOSFET技術奠定新技術標準。新產品系列採用英飛凌薄晶圓技術，提供顯著的效能優勢，並涵蓋寬廣的電壓範圍。全新40 V MOSFET系列已針對SMPS的同步整流進行最佳化，適用於伺服器、桌上型電腦、無線充電器、快速充電器及ORing電路 |
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英飛凌收購Siltectra 碳化矽晶片產能將倍增 (2018.11.19)
英飛凌科技宣布收購位於德國德勒斯登的新創公司 Siltectra 。該新創公司開發一種創新的冷切割技術 ( Cold Split )，可有效處理晶體材料，並可大幅減少材料損耗。英飛凌將採用此 Cold Split 技術分割碳化矽 (SiC) 晶圓，使晶圓產出雙倍的晶片數量 |
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英飛凌推出車用CoolSiC肖特基二極體 結合效能與耐用性 (2018.06.19)
英飛凌科技股份有限公司首款車用碳化矽系列CoolSiC肖特基二極體系列於日前PCIM展會上亮相，該款肖特基二極體已準備就緒，可用於目前和未來油電混合車和電動車中的車載充電器 (OBC) 應用 |
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英飛凌推出表面黏著 D2PAK 封裝650V IGBT 提供最高功率密度 (2018.05.30)
英飛凌科技股份有限公司擴展TRENCHSTOP 5薄晶圓技術產品組合，推出IGBT與全額定電流 40 A 二極體共同封裝於表面黏著 TO-263-3 外型 (也就是 D2PAK) ，最高達40 A的 650V IGBT。
全新的 TRENCHSTOP 5 IGBT 採用 D2PAK 封裝，可滿足自動化表面黏著組裝的電源裝置對於更高功率密度日益增加的需求 |
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英飛凌推出智慧電源開關PROFET+2與High Current PROFET (2017.07.04)
具備更佳的能源效率與微型化尺寸
【德國慕尼黑訊】汽車製造商都希望車載電子系統能夠以最小的空間提供最多樣的節能功能，英飛凌科技因應此項趨勢，推出最新 SMART7功率IC製造技術，適用於車身控制模組或配電中心等汽車應用 |
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英飛凌高效率650V IGBT支援電動車與油電混合車的快速切換技術 (2015.04.08)
英飛凌科技（Infineon）推出 650V IGBT 系列，為快速切換的汽車應用提供最佳效率。榮獲汽車電子協會認證（AEC-Q）的 TRENCHSTOP 5 AUTO IGBT 可有效降低功率損耗，提升電動車（EV）與油電混合車（HEV）應用的可靠性，例如：車用充電、功率因子校正（PFC）、DC-DC 與 DC/AC 之轉換等 |
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英飛凌專為50Hz至20kHz的低切換頻率設計全新等級 IGBT (2015.01.30)
英飛凌科技（Infineon）推出全新等級的低飽和電壓 VCE(sat) IGBT，專為 50Hz 至 20 kHz 的低切換頻率所設計，適用於不斷電系統（UPS）以及太陽光電與焊接系統中的變頻器等應用 |
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IR擴充超高速溝道IGBT系列 (2014.10.22)
因應多樣化系統應用的需求，國際整流器公司（International Rectifier；IR）推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx元件，藉以擴充絕緣閘雙極電晶體（IGBT）系列。新產品旨在為多種快速開關應用作出優化，包括太陽能逆變器、焊接設備、工業用馬達、感應加熱及不斷電供應系統 |
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IR推出高效能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列 (2014.08.19)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出高效能600V超高速溝道場截止絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) IR66xx系列。全新堅固可靠的元件系列提供極低的導通損耗和開關損耗，旨在為焊接應用作出優化 |
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邁向 12吋薄晶圓功率技術之挑戰 (2014.04.22)
英飛凌在 2013 年 2 月推出於奧地利維拉赫 (Villach) 廠全新 12吋生產線製造 的首批CoolMOS 系列產品。英飛凌為此進行超過三年的密集研發活動，並與全歐洲各個領域的合作夥伴合作，其中包括製程技術、生產技術，以及進階功率技術 (以 12吋晶圓為基礎) 的處理和自動化 |
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英飛凌榮獲奧地利國家創新獎 (2013.04.09)
英飛凌科技榮獲 2013 奧地利國家創新獎 (National Innovation Prize)，該公司因其在奧地利菲拉赫(Villach) 廠所開發的 12吋薄晶圓技術而獲獎。英飛凌(奧地利)董事會成員，負責技術及創新的 Sabine Herlitschka 博士代表英飛凌從奧地利經濟部長 Reinhold Mitterlehner 手上接下這座獎項 |
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英飛凌 12吋薄晶圓製造通過品質認證開始出貨 (2013.02.26)
英飛凌科技股份有限公司在 12 吋薄晶圓功率半導體的製程上取得重大突破，公司的 CoolMOS系列產品在二月份取得首筆客戶訂單，由位於奧地利維拉赫 (Villach) 廠房的 12 吋生產線負責生產 |
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IR擴充600V溝道超高速IGBT陣容 (2013.02.21)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充600V絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 陣容，推出堅固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D及IRGP4660D，藉以優化不斷電供應系統 (UPS)、太陽能、感應加熱、工業用馬達和焊接應用 |
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IR Gen8 1200V IGBT技術平台提升效率及耐用性 (2012.11.21)
國際整流器公司(IR)日前推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平台利用IR新一代溝道閘極場截止技術。
Gen8設計讓Vce(on) 能夠減少功耗，增加功率密度，以及提供耐用性 |
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英飛凌再度榮膺功率半導體市場寶座 (2012.10.19)
英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 連續九年成為功率半導體市場的領導者。根據市調機構 IMS Research（屬IHS公司）最新報告指出，2011 年全球功率半導體市場總值達 176 億美元，而英飛凌的市占率達 11.9% |
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IR宣佈擴充其600 V溝道絕緣柵雙極電晶體陣營 (2011.11.18)
國際整流器公司（IR）日前宣佈擴充其600 V溝道絕緣柵雙極電晶體（IGBT）陣營，為不斷電系統（UPS）、太陽能、工業用馬達及焊接應用推出IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF元件。
IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF元件利用溝道纖薄晶圓技術，減低導通及開關損耗 |
