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貳陸公司(II-VI)以購併、協議串接垂直供應鏈 (2021.11.22)
美國雷射光學元件設計製造商貳陸公司(II-VI)是全球第一家試製並發表8吋SiC基板的公司,甚至還自行開發SiC長晶等設備。台灣在化合物半導體的應用仍在萌芽階段,初期若也能同步發展設備與製程,將可帶動效益倍增
電子訊號Out!光束傳輸上看50Gbs (2010.09.13)
有沒有想過,為什麼我們非得用銅線來連結各式各樣的電腦元件?不斷地縮小元件的體積,只為了在寸土寸金的電路板上塞進更多的元件?以金屬作為介質的傳輸方式,距離一但加長
混合AlGaInAs動力電動泵矽消逝雷射光-混合AlGaInAs動力電動泵矽消逝雷射光 (2010.08.05)
混合AlGaInAs動力電動泵矽消逝雷射光
英特爾第一電泵浦混合矽雷射光器-英特爾第一電泵浦混合矽雷射光器 (2010.08.05)
英特爾第一電泵浦混合矽雷射光器
混合矽雷射光器---英特爾矽光子技術的未來萬億級計算白皮書-混合矽雷射光器---英特爾矽光子技術的未來萬億級計算白皮書 (2010.08.05)
混合矽雷射光器---英特爾矽光子技術的未來萬億級計算白皮書
Light Peak未出先輸?Intel推更快的HSL技術 (2010.07.28)
前陣子Intel大力推展LightPeak技術,就在大家逐漸看好其一統分歧傳輸介面的同時,Intel今日(7/28)卻發表混合矽晶雷射(Hybrid Silicon Laser)技術,這是全球首款以矽元件為基礎的光數據連線技術,傳速上看50Gbs,Intel確切表示,兩者雖然同是Intel大一統傳輸埠策略下的元件,但絕對是不同的計畫,兩者的目標市場與實現時間點截然不同
樂高機器人知道怎樣在短時間玩出魔術方塊來 (2010.06.21)
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Google綠能投資 首購風力發電廠 (2010.05.05)
Google綠能投資 首購風力發電廠
類比領軍2010 突破風暴邁向復甦 (2010.01.05)
1月,又是新的一年到來。脫離了不完美的2009年,2010年的初始便充滿了景氣回春的期盼。2009年末,本刊編輯走訪一趟矽谷進行參訪,藉以瞭解這些矽谷的科技廠商,如何在經濟谷底之時儲存能量,待景氣復甦再重新出發
混合訊號設計與測試挑戰 (2008.04.20)
電子產品的多元化及多樣化發展,擴展了混合訊號IC發展的更多可能性。而更先進的製程除了增加了混合訊號IC的電路設計複雜度之外,同時也加深了設計上的因難。為了因應這些挑戰,不僅設計流程需要進行調整及最佳化,針對設計完成後的量測工作也更增添難度
光腦的第一步 (2007.08.27)
上圖中的實驗裝置與元件,很可能是未來全面用光為介質的「光腦」之前導技術。當中的是種種的光檢測器,金色正方形指甲大小的則是以矽為基質的混合雷射元件,這是Intel在2005年宣布光晶片突破之後,實際研發出來的應用裝置
快閃IC「RRAM」發展動向 (2005.09.05)
隨著各種可攜式電子產品的記憶容量不斷擴張,傳統的Flash Memory已很難滿足市場需求。雖然FeRAM曾經是各半導體廠商囑目的焦點,不過隨著RRAM的出現,也代表著非揮發性記憶體即將進入嶄新的紀元
奈米儲存技術探微 (2005.03.05)
繼高密度藍光光碟技術之後,儲存密度可達100GB以上的奈米儲存是最被看好的新興技術。本文深入分析五類奈米儲存技術,讓讀者了解奈米儲存之深層奧秘與其發展現況。
解析CMOS-MEMS技術發展與應用現況(上) (2003.07.05)
所謂CMOS-MEMS(CMOS-Compatible MEMS)是將半導體標準CMOS製程與微機電充分整合而成的技術,對於在半導體產業已有多年發展經驗的台灣來說,若能充分掌握相關技術應用,市場商機可謂潛力無窮;本文將深入探討目前CMOS-MEMS技術發展與應用趨勢,為讀者與相關業者指引此一領域之未來發展方向
矽製程技術在通訊元件上之應用現況與挑戰 (2002.10.05)
本文主要探討矽製程技術在無線通訊產品的發展現況與挑戰,分別從元件高頻特性、無線通訊系統需求、功能單元實現,來分析各式ICs技術之優缺點與限制,其中亦兼論到寬頻光纖通訊ICs,並認為High-Performance SiGe BiCMOS為目前最實際可行、有效的辦法,可以同時兼顧高頻特性和高整合度的要求
混合訊號晶片的技術發展趨勢 (2001.03.05)
未來的系統級晶片(SoC)將是大型的混合訊號系統,它佔市場的比例將會增加一倍,從目前的33%成長到2005年的66%;而且大多數混合訊號晶片是建立在超深次微米CMOS的大型數位晶片上,將來的ASICs會用到多達一千五百萬個邏輯閘


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