CTIMES - 二極體

美高森美太空產品長期促動羅塞塔號探測器任務 (2014.12.03)
美高森美太空產品逾一萬五千個部署於長達十年的羅塞塔號探測器任務美高森美公司（Microsemi）祝賀歐洲太空總署（ESA）、美國國家航空暨太空總署（NASA）和其合作夥伴的羅塞塔號（Rosetta）探測器成功達到了觀測67P/Churyumov-Gerasimenko彗星的任務目標

Littelfuse低電容型瞬態電壓抑制二極體陣列相比類似矽解決方案可將箝位元電壓降低50% (2014.09.16)
Littelfuse公司是全球電路保護領域的企業，日前宣布發布了低電容型SP3014系列瞬態抑制二極體陣列（SPAR二極體），為可能受到破壞性靜電放電（ESD）的電子設備提供保護。 SP3014系列整合了兩個通道的低電容控制二極體與穩壓二極體，經最嚴苛的IEC61000-4-2標準測試後，不斷收到ESD衝擊下還能夠有穩健的效能且安全的吸收

Littelfuse公司宣佈推出低電容型瞬態抑制二極體陣列 (2014.08.20)
Littelfuse公司是電路保護領域企業，日前宣佈推出了低電容型SP2574NUTG瞬態抑制二極體陣列（SPA二極體），旨在保護高速差分數據線免受ESD（靜電放電）、CDE（電纜放電）、EFT（電氣快速瞬變）和雷擊感應突波造成的損害

凌力爾特60V 同步升壓控制器可降低熱應力，效率達98% (2014.07.28)
凌力爾特 (Linear Technology Corporation )日前發表同步升壓DC/ DC控制器LTC3769，其可透過高效率N通道MOSFET取代升壓二極體，以提高效率並將輸出電流能力達到最高。該控制器可於5A輸出從12V輸入產生24V，效率高達98％，因此可滿足汽車、工業和醫療應用中升壓DC/ DC轉換器必須在小解決方案尺寸中達到低熱耗的需求

ST的二極體專利技術可大幅縮減充電器尺寸，並可加快充電速度 (2014.07.01)
意法半導體的新系列場效應整流二極體（FERD，Field-Effect Rectifier diodes）完美解決了低正向壓降（VF）與低漏電流（IR）之間不可兼得的矛盾關係，讓充電器和筆記型電腦轉換器（adaptor）等設備的設計人員在不使用成本更高的同步整流二極的前提下滿足要求最嚴格的能效標準

凌力爾特返馳同步整流器驅動器提供10A輸出電流 (2014.03.04)
凌力爾特 (Linear Technology Corporation)日前發表反馳式二次側同步整流器驅動器LT8309，其可透過MOSFET取代輸出二極體，以達到10A輸出電流並無需散熱片。當不使用散熱片時，反馳電源的最大輸出電流是由功耗和輸出二極體產生的熱而限制

美高森美推出高可靠性、低電壓的齊納二極體產品 (2013.12.09)
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣佈推出全新 1-2.4 V齊納二極體產品，它可提供比標準齊納二極體好4倍的電壓調節性能和最高達40倍的典型洩漏電流改進。新型高可靠性ultra-sharp knee二極體器件以國防、航太、工業和醫療市場中的低電壓調節和瞬變保護應用為目標；此外

美高森美全新碳化矽肖特基解決方案提升大功率應用 (2013.10.30)
功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 擴展碳化矽(SiC)肖特基產品系列的陣容，推出全新的650V解決方案產品，新型二極體產品將以包括太陽能逆變器在內的大功率工業應用為其應用目標

麥瑞推85V半橋MOSFET驅動器，集成陰極負載二極體可程式設計柵極驅動電壓範圍 (2013.10.01)
麥瑞半導體公司推出了85V半橋MOSFET驅動器MIC4604。MIC4604具有集成的85V陰極負載二極體和業內最寬廣的可程式設計柵極驅動電壓範圍（5.5V至16V）等特點。這些特點使其成為業內最嚴格的電池驅動電機應用（包括電動工具和直流/交流逆變器）的理想解決方案

美高森美新型瞬態電壓抑制二極體 (2013.09.09)
功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司發佈兩款新的塑膠大面積器件(plastic large area device, PLAD)瞬態電壓抑制(TVS)二極體產品，它們可保護飛機電氣系統免於雷擊所造成的損壞

德州儀器推出支援業界極低功耗智慧旁路二極體 (2013.04.09)
德州儀器 (TI) 宣佈推出一款業界最低功耗 (power dissipation) 的智慧旁路二極體 (bypass diode) ，採用標準表面黏著 (surface-mount) 封裝並支援 15A 電流處理功能。在標準應用中，與採用三個傳統蕭特基二極體 (Schottky diode) 的類似接線盒 (junction box) 相比，每個 SM74611 可將功耗銳減 80%，還可將接線盒內的運作溫度降低 50 ℃

英飛凌推出 650V Rapid 1 與 Rapid 2 系列進攻高壓超快速矽二極體市場 (2013.04.08)
英飛凌科技股份有限公司今日推出高效率、快速回復的 650V Rapid 1 與 Rapid 2 矽二極體系列。Rapid 二極體結合英飛凌在超薄晶圓製造、低耗損垂直結構的專業知識，加上獨特的元件設計，效能表現卓著

Diodes推出微型高速開關二極體 (2012.03.20)
Diodes昨日宣佈，推出一系列佔位面積小、採用薄型封裝的高速開關二極體，能夠大幅降低元件數量和電路版面積。這款產品線除了具備75V、80V及85V的額定擊穿電壓 (Breakdown Voltage) 外，更採用微型塑膠SOT563、DFN1006-3和DFN2020-6封裝，以供客戶選擇

宏微發表新一代600V全系列快速恢復二極體 (2010.10.12)
宏微科技近日宣佈，推出新一代600V系列快速恢復二極體（FRED），晶片製程上採用磊晶平面設計，單一晶片功率範圍從1A～100A，能滿足多類型開關電源應用。透過自行研發晶片技術的革新

安捷倫推出一款三通道信號源量測設備 (2009.09.15)
安捷倫科技（Agilent）發表一款三通道信號源量測設備（SMU），可在二極體、LED、CMOS積體電路及其他半導體元件的參數測試等應用中，同時提供電源及執行量測。Agilent U2723A USB介面模組式SMU設計輕巧，可節省工作台空間，而改良過的產出速度，則有助於節省測試時間

ON推出4款新的30V肖特基勢壘二極體 (2009.08.20)
安森美半導體(ON)推出4款新的30伏(V)肖特基勢壘二極體。這些新的肖特基勢壘二極體採用超小型0201雙矽晶無針腳(DSN2)晶片級封裝，為可攜式電子設計人員提供業界最小的肖特基二極體和同類最佳的空間性能

ROHM推出優異溫度特性紅外線雙光束雷射二極體 (2009.04.21)
半導體製造商羅姆股份有限公司（日本京都市）推出雷射印表機用，擁有優異溫度特性的窄發光點間距（28μm）的雙光束紅外線雷射二極體「RLD2BPNK3」。此產品已於2009年2月開始樣品出貨（樣品價格：2,000日圓），預定在2010年1月以月產50萬顆的規模投入量產

英飛淩推出第三代SiC蕭特基二極體 (2009.02.20)
功率半導體暨碳化矽（SiC）蕭特基二極體供應商英飛凌科技在美國華盛頓特區舉辦之應用電力電子研討會暨展覽會（APEC）上宣佈推出第三代thinQ! SiC蕭特基二極體。全新thinQ!二極體擁有低裝置電容，適用於所有電流額定值，在更高的切換頻率以及輕負載的情況下，更能提升整體系統效率，有助於降低整體電源轉換的系統成本

ST推出碳化矽肖特基二極體 (2009.02.15)
電源轉換使用的普通矽二極體因為無法立即關斷而損耗1%的電源效能，為此，ST推出在轉換時可降低耗電量的碳化矽(silicon carbide, SiC)二極體。 STPSC806D和STPSC1006D碳化矽肖特基二極體對太陽能系統的轉換器特別有用，因為效能對於太陽能而言是很重要的

英飛凌推出小體積射頻天線防護二極體 (2008.11.21)
英飛凌科技發表小體積的暫態電壓抑制（TVS）二極體，用來保護最新電子設備的天線，應用的範圍包括GPS、行動電視、FM調頻收音機、車用「遙控車門開關」及「胎壓監測系統」