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新一代NVM記憶體之爭 MRAM贏面大 (2008.11.12)
全球先進半導體設備及製程技術供應商Aviza今日（11/13）在台表示，MRAM有希望從多家新一代非揮發性記憶體（Non-Volatile Memory;NVM）技術中脫穎而出，並取代目前主流的SRAM，成為終極的通用型記憶體解決方案 |
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Aviza新品發表媒體聚會 (2008.11.11)
隨著記憶體應用越來越廣泛，並不斷朝向多功能、高效率及永久性的方向演進，半導體設備及製程技術領導廠商Aviza Technology，鎖定使用於硬碟和CMOS金屬閘門應用的磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）裝置，推出了具高生產力的沉積系統產品 |
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革新快閃記憶體邁出下一步 (2008.11.05)
市場對於主流非揮發性記憶體、特別是NAND Flash獨立儲存應用仍有廣大需求動能，短期內市場對NAND Flash及SSD的發展規模漸趨保守，長期發展前景仍舊維持審慎樂觀。NAND Flash在奈米微縮可擴充能力（Scalability）、儲存覆寫次數耐久性（Endurance）和資料保存能力（Data Retention）的侷限，使其面臨技術上和經濟上必須革新的關鍵 |
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飛思卡爾成立新公司推動MRAM業務 (2008.06.11)
飛思卡爾半導體宣佈，將與幾個頂尖創投公司集資成立一間以MRAM(磁性隨機存取記憶體)為主要產品的獨立新公司。這間新公司名為EverSpin Technologies，將持續提供並擴充現有的獨立MRAM產品線及相關磁性產品 |
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東芝成功開發MRAM專用之新TMR元件 (2007.11.09)
東芝成功開發可達1Gbit以上儲存容量的MRAM新型TMR元件。據了解，東芝透過自旋注入反磁化方式（簡稱自旋注入方式），以及可大幅減小元件體積的垂直磁化技術。東芝並於美國佛羅里達州Tampa所舉辦的第52屆磁學與磁性材料年會（Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials；MMM）上發表這項研究成果 |
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非揮發性記憶體的競合市場 (2007.10.24)
記憶體本身就具有通用與中介的性質，所以發展出來的各類記憶體元件，多能通用於不同系統之間。新一代的記憶體為了更通用之故，所發展的都是非揮發性的記憶體，這樣才能既做為系統隨機存取之用，又能組成各類的儲存裝置，例如嵌入在可攜式裝置中的儲存容量、彈性應用的記憶卡或固態硬碟等 |
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飛思卡爾MRAM元件獲創新類獎項 (2007.03.03)
飛思卡爾其4百萬位元MRAM元件最近榮獲In-Stat的Microprocessor Report年度「創新」類獎項。該元件在同年內也獲得了Electronic Product的「年度產品大獎」、同時還入圍了EDN的創新大獎及EE Times的ACE大獎等獎項的決選 |
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飛思卡爾推出商用MRAM技術 (2006.07.11)
飛思卡爾半導體發表首款商用磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件，並已投入量產。
飛思卡爾的4百萬位元MRAM產品是一款耐用性極佳的高速非揮發性記憶體，這種高速且耐用的特性組合是任何半導體記憶裝置都無法提供的 |
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Cypress將出售MRAM事業部 (2005.02.17)
Cypress Semiconductor宣佈計畫售出旗下專門供應磁阻式隨機存取記憶體(Magnetic Random Access Memory, MRAM)的子公司Silicon Magnetic Systems (SMS)。Cypress執行長T.J. Rodgers表示：「經過三年的努力，Cypress於1月開始供應七家OEM客戶全功能MRAM樣品 |
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Ovonic Unified Memory支援獨立型記憶體與嵌入型裝置應用 (2003.11.05)
OUM的資料儲存作業是透過類似可複寫CD或DVD光碟使用的硫屬合金材料所製成的薄膜，藉由熱引起的相位變化在無規律與多晶排列的狀態之間進行切換。OUM技術被視為高密度、低電壓、高cycle-count的非揮發性記憶體，適合於VLSI獨立型記憶體以及各種嵌入型產品的應用 |
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淺談磁性記憶體技術原理與前景 (2003.11.05)
新一代的磁性隨機存取記憶體不僅擁有flash的非揮發特性，DRAM的高集積度以及SRAM的高速存取特性；同時MRAM還具有相當高的的讀寫次數壽命，幾乎是兼具現有三大記憶體的優點，所以被稱為下一代的夢幻記憶體 |
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MRAM為我國磁儲存產業發展重點 (2003.08.20)
中央社報導，工研院光電所副所長黃得瑞於台灣磁性技術協會所主辦的研討會中指出，台灣目前磁性產業產值約為台幣100至200億元，且未來仍有發展空間，未來發展重點則是在磁儲存技術領域，尤其是MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）技術的研發 |
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高科技 安樂死 (2003.07.05)
在這個高度資訊化的時代，每天都有許多新科技、好科技，不斷被提出，就像是曾引起廣泛討論與期待的FRAM（鐵電記憶體）、MRAM（磁阻式記憶體）與Bluetooth（藍芽）、HomeRF等技術一樣，但是除了技術本身之外，許多外在因素包括市場等後天條件的配合，好像才是其能否避免「安樂死」－－尚未享受正常生命週期就必須殞落的關鍵 |
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以提供高整合度半導體儲存技術為職志 (2003.03.05)
從1989年首度提出Flash Disk概念就專注於快閃磁碟解決方案的M-System（艾蒙系統），耕耘快閃記憶體技術多年，近年來由於資訊產品可攜式的概念風行，同時具備高儲存容量、體積小與重量輕的快閃記憶體技術，在可攜式產品與可攜式儲存解決方案上相當受到市場歡迎，使得該公司在發展高整合度的半導體儲存技術上更具信心 |
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IC記憶體的統合應用 (2002.06.12)
Motorola的半導體部門及其實驗室日前聯合發表了業界第一款1Mb MRAM(磁電阻式隨機存取記憶體，magnetoresistive random access memory)通用記憶體晶片，這讓以半導體IC來做系統整合的應用更方便了，也會加大各類消費性電子產品的功能使用 |
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晶片市場戰況激烈 (2002.06.11)
美商超微(AMD)9日發表第一款採用0.13微米製程，運轉時脈為1.8Ghz的最新Athlon XP 2200+微處理器晶片。在此同時，摩托羅拉半導體事業部(SPS)和摩托羅拉實驗室，近期在「科技與電路超大型積體電路座談會」中，聯合發表第一款1Mb MRAM（磁電阻式隨機存取記憶體）晶片，並預定明年推出樣品，2004年量產 |
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旺宏趕在2004年前佈局MRAM及FRAM (2001.06.10)
國內快閃記憶體(Flash)大廠旺宏電子公司為取得未來進入系統單晶片(SOC)競爭優勢，也加入新世代非揮發性記憶體-磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)及鐵電隨機存取記憶體(FRAM)開發，並計劃趕在2004年前導入量產，以免被IBM及Infineon等國際整合元件大廠(IDM)搶食先機 |
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IBM Infineon合作研發MRAM (2000.12.07)
國際商業機器公司(IBM)與Infineon Technologies現正共同合作開發一全新的記憶體晶片，而此新晶片將很有可能取代目前被使用的所有記憶體晶片。這兩家公司發表聲明表示，他們希望能加速MRAM晶片的開發，期望能儘快將其從實驗室研究的階段提升至於市面上大量銷售的景況 |
