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Diodes初級側轉換器降低電源大小及成本暨提升效能 (2014.12.05)
Diodes公司推出離線式初級側開關控制器AP3988，旨在為充電器、ADSL轉接器和家電電源降低成本，以及提升電源效能。新元件提供初級側控制，不需光耦合器和二次側控制電路，從而減少元件數量，以及節省電路板空間和成本 |
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美高森美太空產品長期促動羅塞塔號探測器任務 (2014.12.03)
美高森美太空產品逾一萬五千個部署於長達十年的羅塞塔號探測器任務
美高森美公司（Microsemi）祝賀歐洲太空總署（ESA）、美國國家航空暨太空總署（NASA）和其合作夥伴的羅塞塔號（Rosetta）探測器成功達到了觀測67P/Churyumov-Gerasimenko彗星的任務目標 |
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意法半導體RF電晶體高電壓新技術 實現高可靠度E級工業電源 (2014.11.05)
意法半導體600W－250V 的13.6MHz RF功率電晶體STAC250V2-500E擁有先進的穩定性和高功率密度。採用熱效率（thermally efficient）極高的微型封裝，可用於高輸出功率的Ｅ級工業電源 |
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用於電訊及醫療電源等應用的返馳/升壓穩壓器 (2014.10.17)
如今，在電訊及網路等應用中，廣泛採用分佈式電源架構，使電源供應盡可能地貼近負載，從而為系統中的不同負載供電，並提供更高的可靠性、彈性及散熱性能。安森美半導體為這些應用提供寬廣範圍的分佈式電源方案，其中既包括隔離型方案，也包括非隔離方案 |
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宜普300 V氮化鎵功率電晶體因應高頻應用需求 (2014.10.03)
宜普公司為功率系統設計師提供一種上升時間為2奈秒(ns)並面向高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的300 V氮化鎵場效應功率電晶體(EPC2025)。
宜普電源(EPC)推出300 V功率電晶體(EPC2025),可用於需要高頻開關的應用,從而實現更高效率及更高功率密度 |
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Diodes穩壓器電晶體提升48V電路系統功率密度 (2014.08.21)
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 為網路、電信和乙太網路供電 (Power over Ethernet，簡稱PoE) 設備內的48V電路推出可有效節省空間的高壓線性穩壓器電晶體ZXTR2000系列。
這些穩壓器電晶體將幾個分立部件單片式地整合到超薄PowerDI5及較高功耗的TO252 (DPAK) 封裝，使設計人員得以提高48V直流一次側和風扇控制應用的功率密度 |
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重回簽核戰場 Cadence力推電晶體電性測試方案 (2014.08.08)
儘管EDA（電子設計自動化）大廠近年來持續致力於先進製程的開發工具的開發再輔以不斷強化IP陣容的作法，這有助於縮短SoC（系統單晶片）的開發時程，但事實上，綜觀終端系統設計，混合訊號與類比電路仍然是不可或缺的一環，身為EDA大廠之一的Cadence（益華電腦）仍然相當關注該領域的工具研發 |
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宜普電源轉換公司推出採用高頻氮化鎵場效應電晶體 (2014.07.01)
由於氮化鎵場效應電晶體具備卓越性能例如低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及尺寸短小，它是高度諧振並符合Rezence (A4WP)規格的無線電源傳送系統的理想器件，可提高該系統的效率 |
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宜普展示採用氮化鎵場效應電晶體可提高無線電源傳送應用的效率達20% (2014.03.17)
矽基增強型功率氮化鎵(eGaN)功率電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將於亞太區業界技術研討會進行三場技術演講。
於3月18日在中國上海舉行的兩場業界研討會中，宜普公司技術專家將與您分享更高效的氮化鎵（GaN）功率器件如何替代陳舊的矽MOSFET器件，並如何在無線電源傳送（WiPo）應用取得更高性能 |
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恩智浦推採用1.1-mm2無鉛塑膠封裝3 A電晶體 (2013.10.31)
恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)近日推出首款採用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分立式扁平無引腳）封裝的電晶體。全新產品組合由25種元件組成，其中包括低RDson MOSFET以及可將電流能力最高提升至3.2 A的低飽和通用電晶體 |
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英飛凌擴展射頻產品，推適用 UHF TV 功率放大器新型電晶體 (2013.10.16)
英飛凌科技股份有限公司今日推出專為 UHF TV 廣播發射器設計的 50V LDMOS 電晶體，其中包括一款為市面上針對該應用提供最高功率峰值輸出的產品。在整個 470 – 806 MHz TV 廣播頻帶提供更高的功率輸出，讓放大器設計人員可選擇使用更少的電晶體達成目標輸出功率，進而減少元件數量降低成本，並以更簡單的設計提升可靠性 |
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美高森美750W GaN on SiC RF功率電晶體 為航空提供無與倫比的高功率性能 (2013.10.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新型750W RF電晶體，擴展其基於碳化矽(silicon carbide, SiC)襯底氮化鎵(gallium nitride, GaN)高電子移動率電晶體(high electron mobility transistor, HEMT)技術的射頻(radio frequency, RF)功率電晶體系列之陣容 |
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Mouser 供貨羅姆推出的全球最小電晶體 (2013.08.14)
Mouser Electronics 宣佈開始供應羅姆半導體(ROHM Semiconductor)的全球最小電晶體封裝，該產品適用於輕薄短小的可攜式裝置。
羅姆半導體超精巧MOSFET 與雙極性電晶體採用市場上尺寸最小的電晶體封裝，並已針對輕薄短小的可攜式裝置進行最佳化 |
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Diodes推出業界最小雙極電晶體 (2013.08.06)
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出業界第一款採用DFN0806-3 微型封裝的小訊號雙極電晶體。這些元件的面積只有 0.48mm2，離板厚度僅0.4mm，面積比採用DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型元件還小20% |
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Agilent與NXP合作展示高功率電晶體及模擬方案 (2011.11.08)
安捷倫科技（Agilent）與NXP半導體於日前共同宣佈，將針對安捷倫的非線性向量網路分析儀（NVNA）已在歐洲微波週中提供現場展示。該NVNA必須在安捷倫的PNA-X系列網路分析儀上執行，在這次的展示中，被用來對NXP專為2.45 GHz ISM頻帶應用而設計的高功率LDMOS電晶體進行特性描述 |
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意法半導體推出新系列射頻功率電晶體 (2011.10.06)
意法半導體（STMicroelectronics）今（5）日發表，推出新系列射頻（RF）功率電晶體。新系列產品採用先進技術，為政府通訊、用於緊急救援的專用行動無線電系統（private mobile radio，PMR）以及L波段衛星上連（L-band satellite uplink）設備等要求苛刻的重要應用領域提高無線通訊系統的性能、穩健性及可靠性 |
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Diodes迷你型SOT963封裝產品問世 (2010.08.19)
Diodes近日宣佈，推出採用超小型SOT963封裝的雙極電晶體（BJT）、MOSFET和瞬態電壓抑制（TVS）元件，適合低功耗應用，Diodes SOT963的佈局面積只有0.7平方毫米，比SOT723封裝少30%，較SOT563封裝少60% |
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Diodes新型雙極電晶體提升電源管理電路效率 (2010.08.16)
Diodes公司於日前宣佈，推出了新型的20V NPN和PNP雙極電晶體，它們採用超微型的DFN1411-3表面黏著封裝，能夠大幅提升電源管理電路的功率密度和效率，並且採用了Diodes的第五代矩陣射極雙極製程來進行設計 |
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恩智浦半導體標準產品展現絕佳性能 (2010.06.02)
恩智浦半導體(NXP Semiconductors) 今年首度展出全系列「高性能混合訊號(High Performance Mixed Signal)」技術的多款創新設計與解決方案。整合類比與數位技術的優勢，讓高性能混合訊號技術與標準產品相結合，在瞬息萬變的市場中，提供更多樣化的產品選擇 |
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工研院成功研發4.7吋主動式電晶體印刷技術 (2008.11.14)
工研院在新竹國賓飯店的「2008軟性電子暨顯示技術國際研討會」中，展出已測試完成的可彎曲4.7吋主動式有機薄膜電晶體，讓可彎曲、折疊、易攜帶的軟性顯示器商品在未來生活實現 |
