CTIMES - 失效分析

CTIMES / 失效分析

科技
典故

當傳輸技術進入數位時代之後，使用者及廠商對於數位顯示的品質要求越來越注重，結合顯示卡硬體的數位顯示介面標準，其發展進度因而更受到矚目。

	掌握失效分析技術關鍵應對SiP微小化產品多樣需求 (2023.04.21) 失效分析的一般程式分為三個關鍵步驟：失效模式確認、分析失效機理、驗證失效機理和原因，再進一步就是要提出改進措施。失效分析在積體電路（IC）產業鏈中發揮的重要性越來越大
	蔡司導入3D非破壞性X-ray智慧重構技術提升封裝失效分析 (2020.09.01) 蔡司（ZEISS）今日宣布為其Xradia Versa系列非破壞性3D X-Ray顯微鏡（XRM）以及Xradia Context 3D X-ray微電腦斷層掃描技術（microCT）系統，導入先進重構工具模組（Advanced Reconstruction Toolbox）
	蔡司推出Crossbeam Laser FIB-SEM 量級化速度加快封裝失效分析 (2020.02.13) 蔡司（ZEISS）宣布推出蔡司Crossbeam Laser，專為指定區域使用的聚焦離子束掃描式電子顯微鏡（FIB-SEM）全新系列解決方案，可大幅提升先進半導體封裝失效分析及製程優化的速度
	解決QFN-mr BiCMOS元件測試電源電流失效問題 (2018.09.28) 本文探討一套解決晶片單元級電測試過程電源電流失效問題的方法，並介紹數種不同的失效分析方法，例如資料分析、實驗設計(DOE)、流程圖分析、統計輔助分析和標杆分析
	iST獨家研發MEMS G-Sensor失效分析標準流程 (2013.10.15) 在先端科技的蓬勃發展下，MEMS元件已成為智慧產品的主要核心。為降低企業投入MEMS開發時，因故有分析技術難以找出MEMS真正失效原因，iST集團-台灣宜特今(10/15)宣布，成功建構出MEMS G-Sensor的標準失效分析流程