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CTIMES / 介電質薄膜
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
科林研發推出先進邏輯元件用的介電質原子層蝕刻功能 (2016.09.07)
先進半導體設備製造商科林研發公司(Lam Research Corp.)宣佈,已在其Flex介電質蝕刻系統中增加了原子層蝕刻(ALE)功能,以擴展ALE技術的產品組合。運用科林研發的先進混合模式脈衝 (AMMP)技術,新的ALE製程展現出原子級的控制能力,可克服邏輯元件微縮至10奈米以下時面對的重要挑戰

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