帳號:
密碼:
CTIMES / 力晶半導體
科技
典故
確保網路穩定運作與發展的組織 - ICANN

ICANN是一個獨特的組織目的在於提昇網路的品質,並且致力於全球網路的發展。
力晶與三菱簽訂製程與設計技術移轉合約 (2002.07.24)
力晶半導體宣布與三菱電機正式簽訂0.18微米與0.15微米邏輯與嵌入式記憶體( Embedded Memory )製程與設計技術移轉合約,在代工業務獲得三菱強而有力的技術支援。在與三菱電機擴大合作範圍之後,力晶可以順利取得先進的邏輯製程技術來源,晶圓一廠轉型為代工廠的路途也將更為寬廣
DRAM Q2行情不樂觀 (2002.07.22)
動態隨機存取記憶體 (DRAM)第二季賠多賺少,上半年營收達成率也偏低,茂矽達成率在預定目標八成以上,南科、力晶仍小賺,廠商寄望下半年平均出貨價格 (ASP)拉高,才能不調降財測
力晶12吋廠總投資額達16億美元 (2002.05.14)
力晶半導體對外表示,該公司十二吋晶圓廠總投資金額達16億美元,預計六月底以0.13微米試產256Mb DRAM晶片,年底則將以1萬5000片月產能量產。力晶半導體總經理蔡國智表示
力晶半導體採用以柔資訊 EIP 解決方案 (2002.05.04)
素來被企業客戶視為資訊集成、Java領域的專業資訊整合服務公司以柔資訊 (W&Jsoft),2日對外宣佈,DRAM製造商力晶半導體採用以柔資訊的企業入口網站(Enterprise Information Portal; EIP)解決方案,以強化力晶半導體的電子化企業環境
力晶與三菱合簽0.1微米合作備忘錄 (2002.03.19)
力晶半導體十八日宣佈與日本三菱電機(Melco)共同簽署0.1微米堆疊式(Stacked)DRAM製程的技術合作備忘錄,預計明年下半年移轉至力晶十二吋廠並進行試產,力晶也將再與三菱合作,開發0.07微米以下先進DRAM製程
力晶12吋廠Q2裝機 (2002.02.07)
隨著DRAM景氣回升,力晶12吋晶圓廠規劃提前在第二季裝機,預計年底量產,明年12吋廠月產能將提高至2萬片並著手興建第二座12吋廠。針對12吋廠興建一事,力晶半導體董事長黃崇仁6日表示,力晶兩座12吋晶圓廠將在四年內全產能投片,月產將增至7萬片,並以0
力晶將於明年第一季出現營收 (2001.11.28)
力晶半導體董事長黃崇仁27日以台北市電腦公會理事長身分出席資訊月展前記者會,他於會後接受記者訪問時指出,力晶半導體為了轉型成為晶圓代工(Foundry)廠商已經布局兩年了,今年第四季也已經接到不少的代工訂單,在明年第一季就會有營收
六大DRAM廠今年賠逾500億元 (2001.10.30)
全球半導體不景氣,使國內六家生產動態隨機存取記憶體(DRAM)廠商今年虧損將超過500億元。其中茂矽及南亞科技虧損超過100億元,其餘各家虧損也在60億元到75億元不等。 DRAM價格崩跌
IBM與力晶簽訂CIM合約 (2001.09.04)
力晶3日宣佈與IBM簽訂十二吋DRAM晶圓廠電腦整合製造(CIM)合約。康柏與IBM在半導體CIM市場的競爭將更形白熱化。 由於台灣在半導體以及TFT液晶顯示器地位重要,因此台灣IBM積極爭取,終於獲亞太區總部支持,在新竹成立其亞太區第一個SiView Competency Center
台灣IBM暨力晶半導體簽訂12吋晶圓廠CIM系統合約 (2001.09.03)
力晶半導體3日宣佈與台灣IBM簽訂12吋DRAM晶圓廠CIM(Computer Integrated Manufacturing)系統合約。力晶半導體在此座全新的12吋晶圓廠,將全面引進IBM SiView電腦整合製造系統,未來並可享有「IBM電腦整合製造技術支援中心」的創新服務,以最有效的投資創造最大效益
因應DRAM跌價 力晶擬建12吋廠 (2001.08.15)
動態隨機存取記憶體(DRAM)價格連番重挫,力晶半導體昨(14)日也宣布獲利將受重創,決定調降今年財務預測,全年營收由215.3億元,調降為138.7億元,降幅為35.5%,並由盈轉虧,由原預估稅前盈餘34.6億元,調降為稅前虧損36.5億元,稅後純損為29.6億元,每股純損1.23元
力晶逆境投資12吋廠 月產能增加5成 (2001.06.27)
力晶半導體12吋廠緊鑼密鼓動工,力晶半導體董事長黃崇仁周二表示,因為景器相當低迷,目前半導體設備較過去跌價達三成以上,力晶決定今年在不增加一百億元資本支出的情況下,加裝機台設備
黃崇仁:DRAM下半年是漲潮期 (2001.05.21)
全球動態隨機存取記憶體(DRAM)價格尚無止跌跡象,生產DRAM的力晶半導體公司董事長黃崇仁強調,目前全球DRAM仍處於退潮期,預估第二季全球在DRAM本業獲利的將降到僅剩一家,甚至全無獲勝局面
力晶半導體8月將引進三菱0.15微米製程 (2001.04.12)
力晶半導體8月將引進日本三菱0.15微米製程技術,於力晶一廠(8吋廠)裝設12吋機台試產線,預計明年上半年力晶二廠正式量產,進度超越其他記憶體廠;若達到1萬片的經濟規模,256Mb動態隨機存取記憶體(DRAM)成本僅3.5美元
力晶成功試產0.18微米製程256Mb SDRAM及DDR SDRAM (2001.03.09)
新竹科學園區廠商力晶半導體公司日前宣布,該公司已試產成功0.18微米製程的256MbSDRAM,且將同步推出256Mb SDRAM及256Mb DDR SDRAM(倍速資料傳輸記憶體)產品並進行驗證,預計第二季投產,初估至年底月出貨量可接近百萬顆
力晶半導體0.18微米製程256Mb SDRAM試產成功 (2001.03.02)
力晶半導體公司昨日表示,該公司已試產成功0.18微米製程的256Mb SDRAM,且同步推出256Mb DDR記憶體產品,正進行驗證,預計第二季開始正式投產,初估至年底月出貨量將可接近百萬顆
裕沛發表國內首見晶圓級封裝樣品 (2001.02.21)
在經過半年的研發後,裕沛科技昨日發表國內第一個晶圓級封裝樣品,並將於三月底前完成基本可靠性測試,為試作客戶進行小量樣品試產與驗證。裕沛科技董事長楊文焜表示
國內自行設計之DDR DRAM漸有成果 (2001.02.20)
國內IC設計公司自行設計的DDR DRAM,最近已漸有產能開出,力晶半導體為鈺創代工製造的2×32DDR DRAM,近日試產階段已有不錯良率開出,但DDR產品成本障礙集中於後段測試部份,則是目前各IC設計公司與下游合作廠商努力達成的目標
DRAM獲利不如預期,業者積極轉型 (2000.12.29)
記憶體製造公司積極開拓非記憶體的產品線,世界先進考慮與美商SST公司合作生產快閃記憶體;力晶半導體藉由投資力旺科技,強化快閃記憶體的設計能力;茂矽、華邦電明年則以液晶顯示器 (TFT-LCD)驅動IC作為明年銷售主力
力晶 三菱簽訂0.15/0.13微米製程技術 (2000.09.05)
力晶半導體表示,已與日本三菱電機簽訂0.15與0.13微米製程技術,並將由三菱導入行動電話用低功率SRAM及Data Flash產品,藉以降低DRAM景氣波動對營運所帶來的衝擊。 力晶半導體總經理蔡國智表示,原本力晶就與三菱在0

  十大熱門新聞

AD

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw